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마이크로-나노 패턴의 형성방법 및 이를 이용한 광학 소자

  • 기술번호 : KST2015134165
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 마이크로-나노 패턴의 형성방법 및 이를 이용한 광학 소자에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 핫 엠보싱 공정 또는 임프린팅 공정을 이용하여 기판 등의 표면에 직접 마이크로-나노 패턴을 형성하는 방법 및 이를 이용한 광학소자에 관한 것이다.
Int. CL B29C 59/02 (2006.01) B82B 3/00 (2006.01)
CPC B29C 59/022(2013.01) B29C 59/022(2013.01) B29C 59/022(2013.01) B29C 59/022(2013.01) B29C 59/022(2013.01) B29C 59/022(2013.01)
출원번호/일자 1020100135981 (2010.12.27)
출원인 고려대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2012-0074038 (2012.07.05) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2010.12.27)
심사청구항수 11

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 고려대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이헌 대한민국 서울특별시 서초구
2 한강수 대한민국 서울특별시 도봉구
3 변경재 대한민국 서울특별시 노원구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 한양특허법인 대한민국 서울특별시 강남구 논현로**길 **, 한양빌딩 (도곡동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2010.12.27 수리 (Accepted) 1-1-2010-0864454-73
2 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2011.02.10 수리 (Accepted) 1-1-2011-0095639-20
3 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2011.04.20 수리 (Accepted) 1-1-2011-0294453-03
4 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2012.02.16 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
5 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2012.03.21 수리 (Accepted) 9-1-2012-0022334-10
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2012.08.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0493072-59
7 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2012.10.24 수리 (Accepted) 1-1-2012-0869090-98
8 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2012.11.26 수리 (Accepted) 1-1-2012-0972848-83
9 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2013.02.04 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0079562-54
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.02.11 수리 (Accepted) 4-1-2014-5018243-16
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.04.22 수리 (Accepted) 4-1-2014-5049934-62
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.10.10 수리 (Accepted) 4-1-2019-5210941-09
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
(a) 표면에 마이크로-나노 패턴이 형성된 마스터 몰드를 고분자 시트(Polymer Sheet) 상부에 위치시키는 단계;(b)핫 엠보싱(Hot-embossing) 방법으로 상기 마스터 몰드에 형성된 마이크로-나노 패턴을 상기 고분자 시트 표면에 전사하는 단계; 및(c)상기 마스터 몰드와 상기 고분자 시트를 분리하는 단계를 포함하며,상기 (b)단계는 (b1)상기 마스터 몰드와 고분자 시트를 접촉시키고, 상기 고분자 시트의 유리전이온도(Tg)보다 높은 온도로 가열하는 단계;(b2)압력을 가하여 상기 마스터 몰드 표면에 형성된 마이크로-나노 패턴을 상기 고분자 시트 표면에 전사하는 단계; 및(b3)온도를 상기 고분자 시트의 유리전이온도(Tg)보다 낮은 온도로 낮추고, 상기 마스터 몰드와 고분자 시트를 분리하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 마이크로-나노 패턴 형성방법
2 2
(a)기판 위에 용융 상태의 레진을 도포하는 단계;(b)표면에 마이크로-나노 패턴이 형성된 마스터 몰드를 상기 기판 상부에 위치시키는 단계;(c)압력을 가하여 상기 마스터 몰드를 상기 기판에 압착시켜, 상기 마스터 몰드 표면에 형성된 마이크로-나노 패턴 내부에 상기 레진을 충진시키는 단계;(d)상기 레진을 경화시켜, 상기 기판 표면에 마이크로-나노 패턴을 형성하는 단계; 및(e)상기 마스터 몰드와 상기 기판을 분리하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 마이크로-나노 패턴 형성방법
3 3
청구항 1 또는 청구항 2에 있어서, 상기 마스터 몰드에 형성된 마이크로-나노 패턴은 N-faced N-type GaN 기판을 KOH 수용액에서 습식 식각하여 형성된 것을 특징으로 하는 마이크로-나노 패턴 형성방법
4 4
청구항 1 또는 청구항 2에 있어서, 상기 마이크로-나노 패턴은 광결정 패턴인 것을 특징으로 하는 마이크로-나노 패턴 형성방법
5 5
청구항 1에 있어서, 상기 고분자 시트는 PC(polycarbonatee), PMMA(polymethylmethacrylate), PVC(poly vinyl chloride) 또는 PE(polyethylene)인 것을 특징으로 하는 마이크로-나노 패턴 형성방법
6 6
청구항 1에 있어서, 상기 고분자 시트는 도광판, 확산필름 또는 프리즘 시트인 것을 특징으로 하는 마이크로-나노 패턴 형성방법
7 7
청구항 2에 있어서, 상기 기판은 도광판, 확산필름 또는 프리즘 시트인 것을 특징으로 하는 마이크로-나노 패턴 형성방법
8 8
청구항 1에 있어서,상기 (b2)단계의 압력은 1atm 내지 20atm인 것을 특징으로 하는 마이크로-나노 패턴 형성방법
9 9
청구항 2에 있어서,상기 (c)단계의 압력은 1 내지 20atm인 것을 특징으로 하는 마이크로-나노 패턴 형성방법
10 10
청구항 1 또는 2의 패턴 형성방법에 따라 형성된 마이크로-나노 패턴이 표면에 형성되어 있는 광학 소자
11 11
청구항 10에 있어서, 상기 광학 소자는 도광판, 확산필름 또는 프리즘 시트인 것을 특징으로 하는 광학 소자
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 한국기초과학지원연구원 고려대학교 산학협력단 국가연구시설장비선진화지원사업 나노급 저항변화소자의 구현 및 c-AFM을 이용한 실시간 전기적 특성 평가