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탄소 나노 패턴의 제조방법 및 이에 의해 제조된 탄소 나노 패턴

  • 기술번호 : KST2015134478
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 고분자막을 스핀코팅한 후, 일정량 이상의 전자빔을 조사함으로써 상기 고분자를 탄소화하여 탄소 나노 패턴을 형성하는 방법을 제공한다. 본 발명에 따르면 매우 간단한 공정으로 탄소 나노 패턴을 얻을 수 있기 때문에, 고집적화된 소자에 패턴화된 도전성 또는 반도전성 막을 용이하게 제조할 수 있으며, 상기 패턴의 두께 조절도 자유롭게 할 수 있기 때문에, 그 응용분야가 매우 넓다. 탄소 나노 패턴
Int. CL G03F 7/004 (2011.01) B82B 3/00 (2011.01)
CPC G03F 7/004(2013.01) G03F 7/004(2013.01)
출원번호/일자 1020040106792 (2004.12.16)
출원인 고려대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-0642719-0000 (2006.10.30)
공개번호/일자 10-2006-0068176 (2006.06.21) 문서열기
공고번호/일자 (20061110) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2004.12.16)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 고려대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 진정일 대한민국 서울 광진구
2 권영완 대한민국 서울 영등포구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 현종철 대한민국 서울특별시 중구 다산로 **, *층 특허법인충현 (신당동, 두지빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 고려대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성북구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2004.12.16 수리 (Accepted) 1-1-2004-0593035-70
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2006.02.14 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2006.03.14 수리 (Accepted) 9-1-2006-0013959-16
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2006.05.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0305689-03
5 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 2006.07.21 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2006-0521589-00
6 의견서
Written Opinion		 2006.07.21 수리 (Accepted) 1-1-2006-0521553-67
7 등록결정서
Decision to grant		 2006.10.16 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0597717-19
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2007.03.22 수리 (Accepted) 4-1-2007-5043540-16
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2008.03.05 수리 (Accepted) 4-1-2008-5034712-96
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.06.09 수리 (Accepted) 4-1-2009-5111177-32
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2010.08.12 수리 (Accepted) 4-1-2010-5149278-93
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.11 수리 (Accepted) 4-1-2014-5018243-16
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.04.22 수리 (Accepted) 4-1-2014-5049934-62
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.10.10 수리 (Accepted) 4-1-2019-5210941-09
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
(a) 고분자 또는 저분자 유기화합물을 실리콘 기판, 유리 기판 또는 플라스틱 기판상에 성막하여 필름을 형성하는 단계; (b) 상기 성막된 필름표면에 전자빔을 조사하여 탄소화하는 단계; 및 (c) 상기 필름의 전자빔 비조사부를 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 탄소 나노 패턴의 제조방법
2 2
제 1항에 있어서, 상기 (a)단계의 고분자 유기화합물은 폴리메틸아크릴레이트, 폴리메틸메타크릴레이트, 폴리스티렌, 폴리플루오렌, 노볼락, 폴리에스테르 또는 폴리우레탄인 것을 특징으로 하는 탄소 나노 패턴의 제조방법
3 3
제 1항에 있어서, 상기 (a)단계의 저분자 유기화합물은 2개 이상의 방향족 고리를 포함하는 유기화합물인 것을 특징으로 하는 탄소 나노 패턴의 제조방법
4 4
제 1항에 있어서, 상기 (c)단계의 전자빔의 조사량은 1∼20 mC/cm2인 것을 특징으로 하는 탄소 나노 페턴의 제조방법
5 5
제 1항에 있어서, 상기 탄소 나노 패턴의 저항은 10-2 (Ω·m)이하인 것을 특징으로 하는 탄소 나노 패턴의 제조방법
6 6
제 1항 내지 제 5항 중 어느 한 항에 따른 방법에 의해 제조된 것을 특징으로 하는 탄소 나노 패턴
7 6
제 1항 내지 제 5항 중 어느 한 항에 따른 방법에 의해 제조된 것을 특징으로 하는 탄소 나노 패턴
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.