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반도체 나노층 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015134739
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 다양한 반도체 결정재료를 간편하게 단일층 또는 100 nm 이하 두께의 다층 반도체 나노층으로 대량 생산하는 방법을 제공한다. 양전극에 연결되고 층상 구조를 가지는 반도체 결정재료와 음전극을 비금속성 음이온을 가지는 전해질 용액에 담근 다음, 상기 양전극에 양의 전압을 인가하고 상기 음전극에 음의 전압을 인가한다. 상기 음이온을 상기 반도체 결정재료의 층 사이에 삽입하여 층을 박리시킨다.
Int. CL B82B 3/00 (2006.01)
CPC B82B 3/0095(2013.01) B82B 3/0095(2013.01) B82B 3/0095(2013.01) B82B 3/0095(2013.01)
출원번호/일자 1020130104665 (2013.09.02)
출원인 고려대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1466647-0000 (2014.11.24)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20141201) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2013.09.02)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 고려대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박정호 미국 서울 성동구
2 유학추 중국 중국 헤이룽장 프로빈스 하얼빈 웨스트 다

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 송경근 대한민국 서울특별시 서초구 서초대로**길 ** (방배동) 기산빌딩 *층(엠앤케이홀딩스주식회사)
2 박보경 대한민국 서울특별시 서초구 서초중앙로 **, *층(서초동, 준영빌딩)(특허법인필앤온지)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 고려대학교 산학협력단 서울특별시 성북구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2013.09.02 수리 (Accepted) 1-1-2013-0798408-15
2 보정요구서
Request for Amendment		 2013.09.05 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2013-0106224-18
3 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2013.10.02 수리 (Accepted) 1-1-2013-0896890-64
4 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2013.10.17 수리 (Accepted) 1-1-2013-0936909-71
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.11 수리 (Accepted) 4-1-2014-5018243-16
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.04.22 수리 (Accepted) 4-1-2014-5049934-62
7 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2014.05.07 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
8 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2014.06.11 수리 (Accepted) 9-1-2014-0047441-96
9 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2014.07.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0520062-06
10 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2014.09.30 수리 (Accepted) 1-1-2014-0934274-75
11 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2014.10.30 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2014-1046191-78
12 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2014.10.30 수리 (Accepted) 1-1-2014-1046170-19
13 등록결정서
Decision to grant		 2014.11.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0790044-94
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.10.10 수리 (Accepted) 4-1-2019-5210941-09
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
양전극에 연결되고 층상 구조를 가지는 반도체 결정재료와 음전극을 비금속성 음이온을 가지는 전해질 용액에 담그는 단계;상기 양전극에 양의 전압을 인가하고 상기 음전극에 음의 전압을 인가하는 단계; 및상기 음이온을 상기 반도체 결정재료의 층 사이에 삽입하여 층을 박리시키는 단계;를 포함하며,상기 반도체 결정재료의 표면에 양전압이 균일하게 인가되도록, 상기 양전극은 상기 반도체 결정재료의 표면을 감싸는 그물 모양으로 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 나노층 제조 방법
2 2
제1항에 있어서, 상기 반도체 나노층은 MoS2, WS2, MoSe2, MoTe2, RaSe2, NiTe2, BN, 및 Bi2Te3 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 반도체 나노층 제조 방법
3 3
제1항에 있어서, 상기 반도체 결정재료는 MoS2, WS2, MoSe2, MoTe2, RaSe2, NiTe2, BN 및 Bi2Te3 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 반도체 나노층 제조 방법
4 4
제1항에 있어서, 상기 음전극은 Au, Pt 및 탄소 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 반도체 나노층 제조 방법
5 5
삭제
6 6
제1항에 있어서, 상기 음이온은 SO42-, Cr2O72-, MnO4-, Br-, NO3-, Cl-, ClO3-, ClO4- 및 PO43- 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 반도체 나노층 제조 방법
7 7
제1항에 있어서, 상기 전압은 단순히 선형적으로 계속 증가하는 전압을 인가하거나, 선형적으로 계속 감소하는 전압을 인가하는 것을 특징으로 하는 반도체 나노층 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 환경부 고려대학교산학협력단 글로벌탑 환경기술개발사업 [2차년도-국고] 차세대 상수관망 통합관리시스템 개발
2 연구지원부 고려대학교산학협력단 (이공)일반연구자-기본(유형I) 신종 플루 및 변이 인플루엔자 바이러스 검출을 위한 전기화학적 고감도 나노-바이오 면역센서와 측정 시스템 개발