맞춤기술찾기

홈으로 가기
맞춤기술찾기
이전대상기술
프린트하기

이전대상기술

상향식 게이트 올 어라운드 소자 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2015134785
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
상담신청 PDF 받기
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 게이트 올 어라운드 소자 및 그 제조방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 소스와 드레인 사이에 나노와이어 채널이 서스펜디드 구조로 형성되어 있고 게이트 전극이 상기 나노와이어 채널을 감싸고 있는 형태의 상향식 게이트 올 어라운드 소자 및 그 제조방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 상향식 게이트 올 어라운드 소자는 동작전류와 꺼짐 전류 사이의 비를 크게 할 수 있으므로 작은 동작 전압으로 소자를 제어할 수 있고 소모 전력을 감소시킬 수 있다는 장점이 있다. 게이트 올 어라운드, 상향식, 나노와이어
Int. CL H01L 29/78 (2006.01) H01L 21/336 (2006.01) B82B 3/00 (2006.01)
CPC H01L 29/42312(2013.01) H01L 29/42312(2013.01) H01L 29/42312(2013.01) H01L 29/42312(2013.01) H01L 29/42312(2013.01) H01L 29/42312(2013.01)
출원번호/일자 1020090060940 (2009.07.06)
출원인 고려대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1090740-0000 (2011.12.01)
공개번호/일자 10-2011-0003612 (2011.01.13) 문서열기
공고번호/일자 (20111208) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2009.07.06)
심사청구항수 3

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 고려대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 홍병학 대한민국 서울 성북구
2 황성우 대한민국 서울특별시 강남구
3 강명길 대한민국 서울특별시 성북구
4 김희태 대한민국 충청남도 서산시 대

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 고윤호 대한민국 서울특별시 강남구 삼성로***길 *, ***호 가디언국제특허법률사무소 (삼성동, 우경빌딩)
2 이철희 대한민국 서울특별시 강남구 삼성로***길 *, ***호 가디언국제특허법률사무소 (삼성동, 우경빌딩)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 고려대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성북구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2009.07.06 수리 (Accepted) 1-1-2009-0408964-59
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2010.08.12 수리 (Accepted) 4-1-2010-5149278-93
3 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2011.04.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0208554-13
4 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2011.06.15 수리 (Accepted) 1-1-2011-0453144-30
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2011.06.15 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0453146-21
6 등록결정서
Decision to grant		 2011.11.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0695340-38
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.11 수리 (Accepted) 4-1-2014-5018243-16
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.04.22 수리 (Accepted) 4-1-2014-5049934-62
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.10.10 수리 (Accepted) 4-1-2019-5210941-09
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
삭제
2 2
삭제
3 3
삭제
4 4
삭제
5 5
삭제
6 6
삭제
7 7
삭제
8 8
반도체 기판 상에 두 개의 금속전극을 형성하는 금속전극 형성단계; 상기 금속전극 위에 나노와이어 용액을 도포하는 나노와이어 용액 도포단계; 교류신호를 인가하여 상기 금속전극 사이에 나노와이어 채널을 형성하는 나노와이어 채널 형성단계; 상기 나노와이어 채널이 형성된 부분에 게이트 전극을 형성하는 게이트 전극 형성단계; 및 전기도금법을 이용하여 상기 나노와이어 채널과 상기 게이트 전극을 도금함으로써 상기 게이트 전극이 상기 나노와이어 채널을 둘러싸도록 하는 전기도금단계;를 구비하는 것을 특징으로 하는 상향식 게이트 올 어라운드 소자의 제조방법
9 9
제8항에 있어서, 상기 금속전극 형성단계는 광식각 방법(photo lithography)에 의해 이루어지는 것을 특징으로 하는 상향식 게이트 올 어라운드 소자의 제조방법
10 10
제9항에 있어서, 상기 게이트 전극 형성단계는 상기 나노와이어 채널이 형성된 방향과 직교한 방향으로 상기 게이트 전극을 형성하는 것을 특징으로 하는 상향식 게이트 올 어라운드 소자의 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.