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나노 구조체 및 이를 포함하는 나노 디바이스

  • 기술번호 : KST2015136414
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 절연성 기판; 및 상기 절연성 기판상에 형성된 나노 구조물을 포함하는 나노 구조체, 및 이를 포함하는 나노 디바이스를 개시한다.
Int. CL B82B 1/00 (2017.01.01) H01B 5/14 (2006.01.01) H01L 33/00 (2010.01.01)
CPC B82B 1/00(2013.01) B82B 1/00(2013.01) B82B 1/00(2013.01)
출원번호/일자 1020130016393 (2013.02.15)
출원인 서울대학교산학협력단
등록번호/일자 10-1547969-0000 (2015.08.21)
공개번호/일자 10-2014-0102899 (2014.08.25) 문서열기
공고번호/일자 (20150827) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2013.02.15)
심사청구항수 12

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 서울대학교산학협력단 대한민국 서울특별시 관악구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이규철 대한민국 서울 송파구
2 오홍석 대한민국 경기도 광주시

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인다나 대한민국 서울특별시 강남구 역삼로 *길 **, 신관 *층~*층, **층(역삼동, 광성빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 서울대학교산학협력단 대한민국 서울특별시 관악구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2013.02.15 수리 (Accepted) 1-1-2013-0138094-69
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2014.04.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0293680-32
3 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2014.06.26 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2014-0602018-51
4 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2014.06.26 수리 (Accepted) 1-1-2014-0602019-07
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2014.11.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0822850-62
6 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2015.01.28 수리 (Accepted) 1-1-2015-0094451-14
7 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2015.03.02 수리 (Accepted) 1-1-2015-0205033-14
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.03.17 수리 (Accepted) 4-1-2015-5033829-92
9 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2015.03.31 수리 (Accepted) 1-1-2015-0316042-06
10 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2015.04.30 수리 (Accepted) 1-1-2015-0423349-94
11 지정기간연장 관련 안내서
Notification for Extension of Designated Period		 2015.05.07 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2015-0079783-53
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.05.13 수리 (Accepted) 4-1-2015-5062924-01
13 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2015.05.26 수리 (Accepted) 1-1-2015-0503196-59
14 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2015.05.26 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2015-0503193-12
15 등록결정서
Decision to grant		 2015.08.17 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0546588-31
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.05.13 수리 (Accepted) 4-1-2019-5093546-10
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.05.23 수리 (Accepted) 4-1-2019-5101798-31
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.02 수리 (Accepted) 4-1-2019-5154561-59
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
육방정 질화붕소(h-BN)를 포함하는 절연성 기판; 및상기 절연성 기판상에 형성된 나노 구조물을 포함하고,상기 절연성 기판은 층상 구조를 갖고,상기 절연성 기판의 두께는 0
2 2
삭제
3 3
삭제
4 4
삭제
5 5
삭제
6 6
제1항에 있어서,상기 나노구조물은 상기 절연성 기판상에 성장된 나노 막대, 나노 바늘, 나노 튜브, 나노 플라워, 및 나노 벽으로 이루어진 그룹에서 선택된 어느 하나 이상인 나노 구조체
7 7
삭제
8 8
제1항에 있어서,상기 나노 구조물의 표면에 형성된 코팅층을 포함하는 나노 구조체
9 9
제8항에 있어서,상기 코팅층은 나노 구조물과 복수의 접합부가 형성되는 나노 구조체
10 10
제9항에 있어서,상기 코팅층은 나노 구조물과 접합부가 양자 우물 구조로 형성되는 나노 구조체
11 11
제9항에 있어서,상기 코팅층은 나노 구조물과 접합부가 p-n 접합부로 형성되는 나노 구조체
12 12
제1항에 있어서, 상기 나노구조물을 커버하는 박막층이 형성된 나노 구조체
13 13
제12항에 있어서,상기 박막층은 상기 나노구조물과 동일한 조성을 갖거나 또는 상이한 조성을 갖는 나노 구조체
14 14
육방정 질화붕소(h-BN)를 포함하는 절연성 기판;상기 절연성 기판의 일면에 성장된 나노 구조물;상기 나노 구조물 상부에 형성되는 소스 전극과 드레인 전극; 및상기 절연성 기판의 타면에 형성되는 게이트 전극을 포함하고,상기 절연성 기판은 층상 구조를 갖고,상기 절연성 기판의 두께는 0
15 15
육방정 질화붕소(h-BN)를 포함하는 절연성 기판;상기 절연성 기판의 일면에 성장된 나노 구조물;상기 절연성 기판상에 형성되는 소스 전극과 드레인 전극, 및 게이트 전극을 포함하고,상기 절연성 기판은 상기 소스 전극과 드레인 전극에 대응되는 부분이 식각되고,상기 절연성 기판은 층상 구조를 갖고,상기 절연성 기판의 두께는 0
16 16
삭제
17 17
제14항 또는 제15항에 있어서,상기 나노 구조물을 커버하는 박막층을 포함하는 나노 디바이스
18 18
제17항에 있어서,상기 박막층은 상기 나노 구조물과 동일한 조성이거나 또는 상이한 조성을 갖는 나노 디바이스
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1 US09853106 US 미국 FAMILY
2 US20160035838 US 미국 FAMILY
3 WO2014126300 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY

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1 US2016035838 US 미국 DOCDBFAMILY
2 US9853106 US 미국 DOCDBFAMILY
3 WO2014126300 WO 세계지적재산권기구(WIPO) DOCDBFAMILY
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 교육과학기술부 서울대학교 기초연구사업 반도체 나노막대 연구단