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ⅰ) 나노구조 표면에 기능성 분자를 흡착시키는 단계; 및ⅱ) 상기 기능성 분자가 흡착된 나노구조를 용매에 분산시켜 나노구조 함유 용액을 형성하는 단계를 포함하며,상기 기능성 분자가 친수성 분자인 경우에 상기 용매는 친수성 용매이며, 상기 기능성 분자가 소수성 분자인 경우에 상기 용매는 소수성 용매인나노구조의 분산방법
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제1항에 있어서,상기 친수성 분자는 아미노프로필트리에톡시실란(aminopropyltriethoxysilane(APTES)), (3-메르캅토프로필)트리에톡시실란((3-mercaptopropyl)-triethoxysilane(MPTMS)), 16-메르캅토헥사데칸산(16-mercaptohexadecanoic acid(MHA)), 시스타민(cystamine) 및 그 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택되는나노구조의 분산방법
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제1항에 있어서,상기 소수성 분자는 옥타데실트리클로로실란(octadecyltrichlorosilane(OTS)), 옥타데실트리메톡시실란(octadecyltrimethoxysilane(OTMS)), 옥타데실트리에톡시실란(octadecyltriethoxysilane(OTE)), 옥타데칸싸이올(octadecanethiol(ODT)) 및 그 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택되는나노구조의 분산방법
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제1항에 있어서,상기 친수성 용매는 탈이온수(DI-water), 에탄올, 메탄올, 1,2-디클로로벤젠(1,2-dichlorobenzene), 이소프로필알코올(IPA) 및 그 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택되는나노구조의 분산방법
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제1항에 있어서,상기 소수성 용매는 벤젠, 헥산 및 그 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택되는나노구조의 분산방법
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제1항에 있어서,상기 ⅰ) 단계는 나노구조를 기능성 분자 함유 용액에 침지시키거나, 또는 나노구조를 기능성 분자 함유 기체에 노출시킴으로써 이루어지는나노구조의 분산방법
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제7항에 있어서,상기 ⅰ) 단계는 1초 내지 10일 동안 이루어지는나노구조의 분산방법
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제7항에 있어서,나노구조를 기능성 분자 함유 기체에 노출시키는 것은 나노구조 및 기능성 분자를 밀폐 용기 속에 이격하여 배치한 후 50~200℃로 가열함으로써 이루어지는나노구조의 분산방법
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제1항에 있어서,상기 ⅰ) 단계 후 기능성 분자가 흡착된 나노구조를 세척하는 단계를 더 포함하는나노구조의 분산방법
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제1항에 있어서,상기 ⅱ) 단계는 기능성 분자가 흡착된 나노구조를 용매에 침지시킨 후 초음파 세척기를 이용하여 1초 내지 1시간 동안 분산시킴으로써 이루어지는나노구조의 분산방법
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제1항에 있어서,상기 나노구조는 나노선, 나노입자, 나노튜브 및 그 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택되는나노구조의 분산방법
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ⅰ) 나노구조 표면에 기능성 분자를 흡착시키는 단계;ⅱ) 상기 기능성 분자가 흡착된 나노구조를 용매에 분산시켜 나노구조 함유 용액을 형성하는 단계;ⅲ) 상기 나노구조를 흡착시키고자 하는 고체 표면에, 상기 나노구조에 대한 접촉 에너지가 상기 고체 표면보다 높은 패터닝용 분자막을 소정 형태로 패터닝하는 단계; 및ⅳ) 상기 패터닝된 고체를 상기 나노구조 함유 용액에 침지시켜, 상기 나노구조가 상기 패터닝용 분자막이 형성되지 않은 고체 표면에 선택적으로 흡착되어 정렬되는 단계를 포함하는나노구조의 선택적인 흡착방법
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ⅰ) 나노구조 표면에 기능성 분자를 흡착시키는 단계;ⅱ) 상기 기능성 분자가 흡착된 나노구조를 용매에 분산시켜 나노구조 함유 용액을 형성하는 단계;ⅲ) 상기 나노구조를 흡착시키고자 하는 고체 표면에, 상기 나노구조에 대한 접촉 에너지가 상기 고체 표면보다 높은 패터닝용 분자막을 소정 형태로 패터닝하는 단계; 및ⅳ) 상기 나노구조를 흡착시키고자 하는 고체 표면에 상기 나노구조 함유 용액을 적하한 후 용매를 증발시켜, 상기 나노구조가 상기 패터닝용 분자막이 형성되지 않은 고체 표면에 선택적으로 흡착되어 정렬되는 단계를 포함하는나노구조의 선택적인 흡착방법
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제13항 또는 제14항에 있어서,상기 나노구조 표면에 흡착된 기능성 분자가 친수성 분자인 경우 상기 패터닝용 분자막은 소수성 분자막이고, 상기 나노구조 표면에 흡착된 기능성 분자가 소수성 분자인 경우 상기 패터닝용 분자막은 친수성 분자막인나노구조의 선택적인 흡착방법
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제15항에 있어서,상기 소수성 분자막은 옥타데실트리클로로실란(octadecyltrichlorosilane(OTS)), 옥타데실트리메톡시실란(octadecyltrimethoxysilane(OTMS)), 옥타데실트리에톡시실란(octadecyltriethoxysilane(OTE)), 옥타데칸싸이올(octadecanethio(ODT)) 및 그 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택되는 분자로 이루어지는나노구조의 선택적인 흡착방법,
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제15항에 있어서,상기 친수성 분자막은 아미노프로필트리에톡시실란(aminopropyltriethoxysilane(APTES)), (3-메르캅토프로필)트리에톡시실란((3-mercaptopropyl)-triethoxysilane(MPTMS)), 16-메르캅토헥사데칸산(16-mercaptohexadecanoic acid(MHA)), 시스타민(cystamine) 및 그 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택되는 분자로 이루어지는나노구조의 선택적인 흡착방법
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제13항 또는 제14항에 있어서,상기 ⅲ) 단계 후, 상기 패터닝용 분자막이 형성되지 않은 고체 표면에 나노구조 흡착용 분자막을 형성하는 단계를 더 포함하는나노구조의 선택적인 흡착방법
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제18항에 있어서, 상기 나노구조 흡착용 분자막을 형성한 후, 상기 나노구조 흡착용 분자막 상에 상기 나노구조에 흡착된 기능성 분자와 화학 결합을 하는 분자막을 형성하는 단계를 더 포함하는나노구조의 선택적인 흡착방법
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제18항에 있어서,상기 나노구조 표면에 흡착된 기능성 분자가 친수성 분자인 경우 상기 패터닝용 분자막은 소수성 분자막이고 상기 나노구조 흡착용 분자막은 친수성 분자막이며,상기 나노구조 표면에 흡착된 기능성 분자가 소수성 분자인 경우 상기 패터닝용 분자막은 친수성 분자막이고 상기 나노구조 흡착용 분자막은 소수성 분자막인나노구조의 선택적인 흡착방법
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제20항에 있어서,상기 친수성 분자막은 아미노프로필트리에톡시실란(aminopropyltriethoxysilane(APTES)), (3-메르캅토프로필)트리에톡시실란((3-mercaptopropyl)-triethoxysilane(MPTMS)), 16-메르캅토헥사데칸산(16-mercaptohexadecanoic acid(MHA)), 시스타민(cystamine) 및 그 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택되는 분자로 이루어지는 나노구조의 선택적인 흡착방법
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제20항에 있어서,상기 소수성 분자막은 옥타데실트리클로로실란(octadecyltrichlorosilane(OTS)), 옥타데실트리메톡시실란(octadecyltrimethoxysilane(OTMS)), 옥타데실트리에톡시실란(octadecyltriethoxysilane(OTE)), 옥타데칸싸이올(octadecanethio(ODT)) 및 그 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택되는 분자로 이루어지는나노구조의 선택적인 흡착방법
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제13항 또는 제14항에 있어서,상기 ⅲ) 단계 후, 상기 패터닝용 분자막이 형성되지 않은 고체 표면에 상기 나노구조에 흡착된 기능성 분자와 화학 결합을 하는 분자막을 형성하는 단계를 더 포함하는나노구조의 선택적인 흡착방법
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제13항 또는 제14항에 있어서,상기 ⅲ) 단계는 마이크로컨택 프린팅(microcontact printing), 포토리소그래피(photopithgraphy), 딥-펜 나노리소그래피(dip-pen nanolithography), 전자빔 리소그래피(e-beam lithography), 이온-빔 리소그래피(ion-beam lithgraphy), 나노 그래프팅(nano grafting), 나노 쉐이빙(nano shaving) 또는 STM 리소그래피(STM lithography)에 의하여 이루어지는나노구조의 선택적인 흡착방법
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제13항 또는 제14항에 있어서,상기 나노구조는 나노선, 나노입자, 나노튜브 및 그 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택되는나노구조의 선택적인 흡착방법
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제13항 또는 제14항에 있어서,상기 ⅲ) 단계에서 패터닝용 분자막이 표면에 패터닝되는 고체는 금(Au), 은(Ag), 구리(Cu), 갈륨아세닉(GaAs), 인듐인(InP), 백금(Pt), 유리(glass), 실리콘(Si), Si-H 결합을 갖는 고체, 산화물 및 그 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택되는나노구조의 선택적인 흡착방법
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