맞춤기술찾기

홈으로 가기
맞춤기술찾기
이전대상기술
프린트하기

이전대상기술

버퍼층을 포함하는 비휘발성 고분자 기억 소자 및 그의 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015141429
  • 담당센터 : 인천기술혁신센터
  • 전화번호 : 032-420-3580
상담신청 PDF 받기
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 비휘발성 고분자 기억 소자 및 그의 제조 방법에 관한 것으로, 보다 구체적으로는 기판, 상기 기판 상에 형성된 하부전극, 상기 하부전극 상에 형성된 버퍼층, 상기 버퍼층 상에 형성된 PEDOT:PSS 박막층, 및 상기 PEDOT:PSS 박막층 상에 형성된 상부전극을 포함하는 비휘발성 기억 소자 및 그의 제조 방법에 관한 것이다. 본 발명의 비휘발성 기억 소자는 하부전극과 PEDOT:PSS 박막층 사이에 버퍼층을 삽입함으로써, 하부전극과 PEDOT:PSS 박막층 사이에 산화막 형성이 방지되는 효과가 있고, 유연성 기판을 이용하여 제작됨에도 불구하고 PEDOT:PSS 박막층의 상부면이 고른 거칠기로 형성되는 효과가 있다. 따라서, 유연하면서도 PEDOT:PSS 기억 소자의 메모리 마진을 높게 유지할 수 있는 효과가 있다.
Int. CL H01L 27/115 (2017.01.01) H01L 21/8247 (2006.01.01)
CPC G11C 13/0016(2013.01) G11C 13/0016(2013.01) G11C 13/0016(2013.01) G11C 13/0016(2013.01) G11C 13/0016(2013.01)
출원번호/일자 1020110085758 (2011.08.26)
출원인 한양대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2013-0022819 (2013.03.07) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2011.08.26)
심사청구항수 11

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 김태환 대한민국 서울특별시 성동구
2 손정민 대한민국 서울특별시 성동구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 특허법인이상 대한민국 서울특별시 서초구 바우뫼로 ***(양재동, 우도빌딩 *층)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
최종권리자 정보가 없습니다
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2011.08.26 수리 (Accepted) 1-1-2011-0665553-62
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2012.05.14 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2012.06.21 수리 (Accepted) 9-1-2012-0048503-27
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2013.04.01 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0221415-05
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2013.06.03 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-0491211-51
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2013.06.03 수리 (Accepted) 1-1-2013-0491202-40
7 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2013.08.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0600705-75
8 [법정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Extension of Legal Period] Request for Extension of Period (Reduction, Expiry Reconsideration)		 2013.09.24 수리 (Accepted) 7-1-2013-0037537-98
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.06.05 수리 (Accepted) 4-1-2014-5068294-39
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.16 수리 (Accepted) 4-1-2015-5022074-70
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.05 수리 (Accepted) 4-1-2019-5155816-75
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.06 수리 (Accepted) 4-1-2019-5156285-09
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판;상기 기판 상에 형성된 하부전극;상기 하부전극 상에 형성된 버퍼층;상기 버퍼층 상에 형성된 PEDOT:PSS 박막층; 및상기 PEDOT:PSS 박막층 상에 형성된 상부전극을 포함하는 비휘발성 기억 소자
2 2
제1항에 있어서, 상기 버퍼층은 PMMA, PI, PVP, PS 및 PE로 구성되는 군에서 선택되는 어느 하나 또는 둘 이상의 혼합물로 구성되는 것을 특징으로 하는 비휘발성 기억 소자
3 3
제1항에 있어서, 상기 버퍼층은 PMMA로 구성되는 것을 특징으로 하는 비휘발성 기억 소자
4 4
제1항에 있어서, 상기 기판은 유연성 기판인 것을 특징으로 하는 비휘발성 기억 소자
5 5
제1항에 있어서, 상기 하부전극은 Al, Au, Cu, Pt, Ag, W, Ni, Zn, Ti, Zr, Hf, Cd, Pd, ITO, FTO, Al-도핑된 ZnO, Ga-도핑된 ZnO, In과 Ga-도핑된 ZnO, F-도핑된 ZnO, Al-도핑된 ZnO/Ag/Al-도핑된 ZnO, Ga-도핑된 ZnO/Ag/Ga-도핑된 ZnO, In-도핑된 ZnO/Ag/In-도핑된 ZnO, In과 Ga-도핑된 ZnO/Ag/In, 및 Ga-도핑된 ZnO로 구성된 군에서 선택되는 어느 하나인 것을 특징으로 하는 비휘발성 기억 소자
6 6
제1항에 있어서, 상기 PEDOT:PSS 박막층은 PSS가 PEDOT의 상부에 정렬된 것을 특징으로 하는 비휘발성 기억 소자
7 7
제1항에 있어서, 상기 상부전극은 Al, Au, Cu, Pt, Ag, W, Ni, Zn, Ti, Zr, Hf, Cd 및 Pd로 구성된 군에서 선택되는 어느 하나 또는 둘 이상의 합금인 것을 특징으로 하는 비휘발성 기억 소자
8 8
하부전극 상에 버퍼층을 형성하는 단계;상기 버퍼층 상에 PEDOT:PSS 박막층을 형성하는 단계; 및상기 PEDOT:PSS 박막층에 열을 가하는 단계를 포함하는 비휘발성 기억 소자의 제조 방법
9 9
제8항에 있어서, 상기 하부전극은 유연성 기판 상에 형성된 것을 특징으로 하는 비휘발성 기억 소자의 제조 방법
10 10
제8항에 있어서, 상기 버퍼층은 PMMA, PI, PVP, PS 및 PE로 구성되는 군에서 선택되는 어느 하나 또는 둘 이상의 혼합물로 구성되는 것을 특징으로 하는 비휘발성 기억 소자의 제조 방법
11 11
제8항에 있어서, 상기 열은 70℃ 내지 120℃의 온도인 것을 특징으로 하는 비휘발성 기억 소자의 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
순번, 패밀리번호, 국가코드, 국가명, 종류의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 패밀리정보 - 패밀리정보 표입니다.
순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 WO2013032191 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY
2 WO2013032191 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY
3 WO2013032191 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

순번, 패밀리번호, 국가코드, 국가명, 종류의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 패밀리정보 - DOCDB 패밀리 정보 표입니다.
순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 WO2013032191 WO 세계지적재산권기구(WIPO) DOCDBFAMILY
2 WO2013032191 WO 세계지적재산권기구(WIPO) DOCDBFAMILY
3 WO2013032191 WO 세계지적재산권기구(WIPO) DOCDBFAMILY
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 지식경제부 한양대학교산학협력단 기술혁신사업 산업원천기술개발사업 테라비트급 고집적 차세대비휘발성메모리 기술 개발