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불소 계열의 가스 플라즈마를 이용하여 2차원 평면 구조를 갖는 육방정계 질화붕소 시트의 표면을 플라즈마 처리하는 단계;상기 플라즈마 처리된 육방정계 질화붕소 시트를 그래핀 시트 상에 적층하는 단계; 및상기 육방정계 질화붕소 시트의 표면처리된 표면 상에 절연체층을 형성하는 단계; 를 포함하는 그래핀 적층 구조체의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 불소 계열의 가스 플라즈마는 CF4, CHF3, SF6 및 NF3로부터 선택되는 적어도 하나의 가스를 이용한 것인 그래핀 적층 구조체의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 플라즈마 처리는 1 내지 10 sccm, 및 300 내지 700 mTorr의 플라즈마 표면처리 압력에서 1 내지 10 초 동안 수행되는 그래핀 적층 구조체의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 육방정계 질화붕소 시트가 B-N간의 결합이 sp2 공유결합이고 층간 결합이 반 데어 바알스 결합인 2차원 평면 구조를 가지며, 두께가 10nm 이하인 그래핀 적층 구조체의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 플라즈마 처리되는 육방정계 질화붕소 시트의 면적이 1 cm2 이상인 그래핀 적층 구조체의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 플라즈마 처리되는 육방정계 질화붕소 시트가 금속촉매 박막 상에 제공된 것인 그래핀 적층 구조체의 제조방법
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제6항에 있어서,상기 플라즈마 처리 단계 후, 상기 육방정계 질화붕소 시트로부터 상기 금속촉매 박막을 에칭에 의해 제거하는 단계를 더 포함하는 그래핀 적층 구조체의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 그래핀 시트가 복수개의 탄소원자들이 서로 공유결합으로 연결되어 일 평면 상으로 배열되어 있는 폴리시클릭 방향족 시트의 단일층 또는 복수개 적층된 다중층으로서, 두께가 30 nm 이하인 그래핀 적층 구조체의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 그래핀 시트의 면적이 1 cm2 이상인 그래핀 적층 구조체의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 그래핀 시트가 Si 기판, SiC 기판, 글래스 기판, GaN 기판, 실리카 기판, 사파이어 기판, 금속 기판, 탄소 기판 또는 이들의 복합기판으로부터 선택된 적어도 하나의 기판 상에 제공된 것인 그래핀 적층 구조체의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 절연체층은 비유전율 7 이상의 고유전체를 포함하는 그래핀 적층 구조체의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 절연체층은 무기 산화물, 무기 질화물, 고분자, 유기 저분자 또는 이들의 조합을 포함하는 그래핀 적층 구조체의 제조방법
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제12항에 있어서,상기 무기 산화물은 산화 규소, 산화 알루미늄, 산화 탄탈럼, 산화 타이타늄, 산화 주석, 산화 바나듐, 타이타늄산 바륨스트론튬, 지르코늄산 타이타늄산 바륨, 지르코늄산 타이타늄산 납, 타이타늄산 납 란타늄, 타이타늄산 스트론튬, 타이타늄산 바륨, 불화 바륨 마그네슘, 란타늄 산화물, 불소 산화물, 마그네슘 산화물, 비스무트 산화물, 타이타늄산 비스무트, 니오븀 산화물, 타이타늄산 스트론튬 비스무트, 탄탈럼산 스트론튬 비스무트, 오산화 탄탈럼, 탄탈럼산 니오븀산 비스무트, 트라이옥사이드이트륨 또는 이들의 조합인 그래핀 적층 구조체의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 절연체층을 원자층 증착법, 진공 증착법, 분자선 에피택셜 성장법, 이온 클러스터빔법, 저에너지 이온빔법, 이온 플레이팅법, CVD법, 스퍼터링법, 대기압 플라즈마법, 스프레이 코팅법, 스핀 코팅법, 블레이드 코팅법, 딥 코팅법, 캐스팅법, 롤 코팅법, 바 코팅법, 다이 코팅법 또는 이들의 조합을 이용하여 형성되는 그래핀 적층 구조체의 제조방법
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기판 상에 형성된, 그래핀 시트를 포함하는 채널층;상기 그래핀 시트를 보호하기 위하여 상기 채널층 상에 형성된, 2차원 평면 구조를 갖는 육방정계 질화붕소 시트를 포함하는 버퍼층; 및상기 버퍼층 상에 형성된 절연체층;을 포함하는 그래핀 적층 구조체
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16
제15항에 있어서,상기 그래핀 시트의 면적이 0
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제15항에 있어서,상기 육방정계 질화붕소 시트의 면적이 0
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제15항에 있어서,상기 절연체층은 무기 산화물, 무기 질화물, 고분자, 유기 저분자 또는 이들의 조합을 포함하는 그래핀 적층 구조체
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제18항에 있어서,상기 무기 산화물은 산화 규소, 산화 알루미늄, 산화 탄탈럼, 산화 타이타늄, 산화 주석, 산화 바나듐, 타이타늄산 바륨스트론튬, 지르코늄산 타이타늄산 바륨, 지르코늄산 타이타늄산 납, 타이타늄산 납 란타늄, 타이타늄산 스트론튬, 타이타늄산 바륨, 불화 바륨 마그네슘, 란타늄 산화물, 불소 산화물, 마그네슘 산화물, 비스무트 산화물, 타이타늄산 비스무트, 니오븀 산화물, 타이타늄산 스트론튬 비스무트, 탄탈럼산 스트론튬 비스무트, 오산화 탄탈럼, 탄탈럼산 니오븀산 비스무트, 트라이옥사이드이트륨 또는 이들의 조합인 그래핀 적층 구조체
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제15항 내지 제19항 중 어느 한 항에 따른 그래핀 적층 구조체를 포함하는 전기소자
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제15항 내지 제19항 중 어느 한 항에 따른 그래핀 적층 구조체를 포함하는 트랜지스터
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