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벌크 타입 반도체 기판에 상기 반도체 기판과 격자상수가 다른 이종 박막을 성장시키는 단계;상기 이종 박막 위에 덮개층을 형성하는 단계;상기 덮개층이 형성된 결과물을 열처리하여 상기 이종 박막의 격자를 이완시키는 단계; 및상기 열처리된 결과물에서 상기 덮개층을 식각으로 제거하는 단계를 포함하며,상기 격자를 이완시키는 단계에서는,상기 덮개층에 의해 상기 이종 박막의 원자 확산이 억제된 상태에서 상기 이종 박막과 상기 반도체 기판이 이루는 계면에서의 전위 생성을 초래함으로써 격자상수 차이에 의해 유발되는 응력을 완화시켜 격자를 이완시키고, 상기 덮개층에 의한 원자 확산 억제로 상기 이종 박막의 표면을 평탄하게 유지하는 것을 특징으로 하는 이완된 반도체 박막 형성 방법
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제1항에 있어서, 상기 반도체 기판은 Si, Ge, GaAs, InP, GaN, InAs, GaP, Al2O3 또는 GaSb 기판인 것을 특징으로 하는 이완된 반도체 박막 형성 방법
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제1항에 있어서, 상기 이종 박막은 SiGe, InAlAs, InAlGaAs, InP, InGaAsP, InGaAs, GaAs, Si, GaN, AlN 또는 이들의 조합으로 구성된 이종접합층인 것을 특징으로 하는 이완된 반도체 박막 형성 방법
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제1항에 있어서, 상기 이종 박막의 두께는 1 nm 내지 1000 nm의 범위인 것을 특징으로 하는 이완된 반도체 박막 형성 방법
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제3항에 있어서, 상기 이종 박막은 고상 증착법, 이온빔 증착법, 또는 기상 에피택시 증착법으로 성장시키는 것을 특징으로 하는 이완된 반도체 박막 형성 방법
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제1항에 있어서, 상기 덮개층은 TEOS, SiO2, SiNx 또는 이들의 조합인 것을 특징으로 하는 이완된 반도체 박막 형성 방법
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제6항에 있어서, 상기 덮개층은 고상 증착법, 이온빔 증착법, 또는 기상 에피택시 증착법으로 성장시키는 것을 특징으로 하는 이완된 반도체 박막 형성 방법
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제1항에 있어서, 상기 열처리는 퍼니스 어닐링(furnace annealing) 또는 급속 열 가열(rapid thermal heating)로 수행하는 것을 특징으로 하는 이완된 반도체 박막 형성 방법
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제1항에 있어서, 상기 열처리는 램프 가열(lamp heating), 직류 전류 가열(DC current heating) 또는 레이저 가열(laser heating)을 이용하는 것을 특징으로 하는 이완된 반도체 박막 형성 방법
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제1항에 있어서, 상기 덮개층을 제거하는 단계는 불산, 인산 등의 용액과, 트리플로로메탄(CHF3), 테트라플로로메탄(CF4), 아르곤(Ar), 산소, 염소 등의 가스를 이용하는 플라즈마 식각을 이용하는 것을 특징으로 하는 이완된 반도체 박막 형성 방법
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벌크 Si 기판에 SiGe으로 구성된 이종 박막을 성장시키는 단계;상기 이종 박막 위에 SiO2로 구성된 덮개층을 형성하는 단계;상기 덮개층이 형성된 결과물을 열처리하여 상기 이종 박막의 격자를 이완시키는 단계; 및 상기 열처리된 결과물에서 상기 덮개층을 불산(HF) 희석액으로 식각하여 제거하는 단계를 포함하며,상기 격자를 이완시키는 단계에서는,상기 덮개층에 의해 상기 이종 박막의 원자 확산이 억제된 상태에서 상기 이종 박막과 상기 Si 기판이 이루는 계면에서의 전위 생성을 초래함으로써 격자상수 차이에 의해 유발되는 응력을 완화시켜 격자를 이완시키고, 상기 덮개층에 의한 원자 확산 억제로 상기 이종 박막의 표면을 평탄하게 유지하는 것을 특징으로 하는 이완된 반도체 박막 형성 방법
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벌크 Si 기판에 SiGe으로 구성된 이종 박막을 성장시키는 단계;상기 이종 박막 위에 SiO2로 구성된 덮개층을 형성하는 단계;상기 덮개층이 형성된 결과물을 열처리하여 상기 이종 박막의 격자를 이완시키는 단계; 및 상기 열처리된 결과물에서 상기 덮개층을 불산(HF) 희석액으로 식각하여 제거하는 단계를 포함하며,상기 격자를 이완시키는 단계에서는,상기 덮개층에 의해 상기 이종 박막의 원자 확산이 억제된 상태에서 상기 이종 박막과 상기 Si 기판이 이루는 계면에서의 전위 생성을 초래함으로써 격자상수 차이에 의해 유발되는 응력을 완화시켜 격자를 이완시키고, 상기 덮개층에 의한 원자 확산 억제로 상기 이종 박막의 표면을 평탄하게 유지하는 것을 특징으로 하는 이완된 반도체 박막 형성 방법
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