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무기감광막과 콜로이드 양자점의 혼합물질을 이용한 박막

  • 기술번호 : KST2015159114
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 균일한 분포를 가지는 양자점 박막 형성 방법에 관한 것으로, 구체적으로는 콜로이드 방법으로 제조한 양자점을 액상 무기감광막 물질에 혼합하고, 이 혼합 물질을 기판에 도포하는 방법으로 양자점 박막을 형성하는 방법에 관한 것이다. 이러한 양자점 박막은 무기감광막의 특성과 양자점의 특성을 동시에 가지며, 이러한 박막을 이용한 전자소자, 광소자 및 자성소자 제작이 가능하다.양자점, 콜로이드, 무기 감광막
Int. CL G03F 7/00 (2000.01)
CPC G03F 7/0042(2013.01) G03F 7/0042(2013.01) G03F 7/0042(2013.01) G03F 7/0042(2013.01) G03F 7/0042(2013.01) G03F 7/0042(2013.01)
출원번호/일자 1020050025209 (2005.03.26)
출원인 재단법인서울대학교산학협력재단
등록번호/일자 10-0727857-0000 (2007.06.07)
공개번호/일자 10-2006-0103356 (2006.09.29) 문서열기
공고번호/일자 (20070614) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2005.03.26)
심사청구항수 3

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 재단법인서울대학교산학협력재단 대한민국 서울특별시 관악구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김기범 대한민국 서울특별시 관악구
2 위정섭 대한민국 서울 관악구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 권혁록 대한민국 서울특별시 종로구 경희궁길 **, *층 리앤권법률특허사무소 (신문로*가, 서광빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 재단법인서울대학교산학협력재단 대한민국 서울특별시 관악구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2005.03.26 수리 (Accepted) 1-1-2005-0160578-40
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2006.05.08 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2006.06.13 수리 (Accepted) 9-1-2006-0038580-46
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2006.07.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0436002-07
5 의견서
Written Opinion		 2006.09.26 수리 (Accepted) 1-1-2006-0697067-16
6 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 2006.09.26 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2006-0697072-34
7 최후의견제출통지서
Notification of reason for final refusal		 2007.01.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0027684-66
8 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 2007.02.01 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2007-0099848-21
9 의견서
Written Opinion		 2007.02.01 수리 (Accepted) 1-1-2007-0099838-75
10 등록결정서
Decision to grant		 2007.05.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0302266-13
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2008.01.29 수리 (Accepted) 4-1-2008-5015497-73
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.08.22 수리 (Accepted) 4-1-2014-5100909-62
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.03.20 수리 (Accepted) 4-1-2015-5036045-28
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
양자점-무기감광막 혼합 박막 형성 방법에 있어서,무기 감광막 물질에 콜로이드 방법으로 형성한 양자점을 혼합하여 양자점-무기감광막 혼합물질을 형성하는 단계;상기 양자점-무기감광막 혼합물질을 기판상에 도포하여 양자점-무기감광막 혼합박막을 형성하는 단계; 및상기 양자점-무기감광막 혼합박막을 리소그래피 방법을 사용하여 일정한 패턴으로 패터닝하는 단계를 포함하는 양자점-무기감광막 혼합 박막 형성 방법
2 2
제1항에 있어서,상기 무기감광막은 그 주성분이 Hydrogen Silsesquioxane(HSQ)으로 이루어진 실리카 계열의 무기 감광막임을 특징으로 하는 양자점-무기감광막 혼합 박막 형성 방법
3 3
제1항에 있어서,상기 양자점-무기감광막 혼합물질을 기판상에 도포하여 양자점-무기감광막 혼합박막을 형성하는 단계는 스핀코팅 방법을 사용함을 특징으로 하는 양자점-무기감광막 혼합 박막 형성 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.