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패턴형성하는 방법에 있어서,기판상에 전자빔용 감광막층을 도포하는 단계;상기 전자빔용 감광막 상부에 포토레지스트층를 도포하는 단계;상기 포토레지스트층에서 일정한 영역을 포토리소그라피방법으로 패턴형성하는 단계;상기 포토리소그라피 방법으로 패턴형성하는 단계에서 드러난 전자빔용 감광막을 물질을 통과한 투과전자빔과 회절전자빔의 간섭현상에 의하여 상기 물질의 원자 이미지패턴을 이용한 전자빔 리소그라피 방법으로 패턴 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 패턴형성방법
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제1항에 있어서, 상기 원자이미지를 이용한 전자빔 리소그라피 방법으로 패턴형성하는 단계는, 물질에 전자빔을 조사하는 단계; 상기 물질을 통과한 투과전자빔과 회절전자빔의 간섭현상에 의하여 상기 물질의 원자 이미지패턴을 상기 전자빔용 감광막에 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 패턴 형성방법
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제2항에 있어서, 상기 원자이미지는 위상 콘트라스트 영상법을 이용하여 형성함을 특징으로 하는 패턴 형성방법
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제1항에 있어서, 상기 원자이미지를 이용한 전자빔 리소그라피 방법으로 패턴형성하는 단계는, 물질에 전자빔을 조사하는 단계; 상기 물질을 통과한 투과전자빔과 회절전자빔의 간섭현상에 의하여 상기 물질의 원자 이미지패턴을 상기 전자빔용 감광막에 형성하는 단계; 상기 전자빔용 감광막을 패터닝하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 패턴 형성방법
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제1항에 있어서, 상기 기판은 금속, 화합물반도체, Silicon oxide 또는 Silicon nitride 가 표면에 증착된 실리콘, Silicon oxide 또는 Silicon nitride 가 표면에 증착된 화합물반도체임을 특징으로 하는 패턴형성방법
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제1항에 있어서, 상기 전자빔용 감광막은 PMMA(polymethylmethacrylate)계열, HSQ(hydrogen silsesquioxane), ZEP, SAL601 임을 특징으로 하는 패턴형성방법
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제1항에 있어서, 상기 전자빔용 감광막의 두께는 10 ~ 300nm임을 특징으로 하는 패턴형성방법
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제1항에 있어서, 상기 포토레지스트는 AZ 계열, SU-8 계열, TLOR 계열, TDMR 계열, GXR 계열임을 특징으로 하는 패턴형성방법
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제1항에 있어서, 상기 포토레즈시트의 두께는 100nm ~ 5000nm임을 특징으로 하는 패턴형성방법
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패턴형성하는 방법에 있어서, 기판상에 제1 감광막층을 도포하는 단계; 상기 제1 감광막층 상부에 제2 감광막층을 도포하는 단계; 상기 제2 감광막층의 일정한 영역을 패턴형성하는 단계; 상기 제2 감광막층의 패턴형성단계에서 드러난 상기 제1 감광막층을 원자이미지를 이용한 전자빔 리소그라피 방법으로 패턴형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 패턴형성방법
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패턴형성하는 방법에 있어서, 기판상에 제1 감광막층을 도포하는 단계; 상기 제1 감광막층 상부에 제2 감광막층을 도포하는 단계; 상기 제2 감광막층의 일정한 영역을 패턴형성하는 단계; 상기 제2 감광막층의 패턴형성단계에서 드러난 상기 제1 감광막층을 원자이미지를 이용한 전자빔 리소그라피 방법으로 패턴형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 패턴형성방법
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