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기판 상에 고분자 박막을 형성시키는 단계; 상기 고분자 박막에 몰드를 접촉시키는 단계;상기 고분자 박막이 유동하여 상기 몰드의 음각부 바탕면과 접촉하는 고분자 패턴을 형성시키는 단계; 및 상기 고분자 패턴이 형성된 고분자 박막에서 상기 몰드를 제거하여 상기 고분자 패턴이 상기 몰드의 제거에 의하여 신장된 나노 구조물을 형성시키는 단계를 포함하고,상기 고분자 박막과 상기 몰드의 표면에너지 차이를 조절하여 상기 고분자 패턴의 신장정도를 조절하는 것을 특징으로 하는 고종횡비 나노 구조물 형성방법
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제1 항에 있어서, 상기 고분자 박막이 열가소성 수지를 포함하는 것을 특징으로 하는 고종횡비 나노 구조물 형성방법
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제1 항에 있어서, 상기 몰드가 폴리우레탄(polyurethane), 폴리디메틸실록산(Poly-Dimethylsiloxane: PDMS), 및 산화실리콘(SiO2)으로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 고종횡비 나노 구조물 형성방법
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제1 항에 있어서, 상기 고분자 박막의 유동은 상기 고분자 박막을 가열하여 수행되는 것을 특징으로 하는 고종횡비 나노 구조물 형성방법
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제1 항에 있어서, 상기 음각부 바탕면과 접촉하는 고분자 패턴의 형성은 상기 몰드에 0
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제1 항에 있어서, 상기 음각부 바탕면과 접촉하는 고분자 패턴의 형성은 상기 고분자 박막이 형성된 기판을 상부에, 상기 몰드를 하부에 위치시켜 상기 음각부 바탕면에 접촉하는 고분자 패턴의 형성을 중력에 의하여 촉진하는 것을 특징으로 하는 고종횡비 나노 구조물 형성방법
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제1 항에 있어서, 상기 기판과 상기 고분자박막의 표면에너지 차이가 상기 고분자 박막과 상기 몰드의 표면에너지 차이 이하인 것을 특징으로 하는 고종횡비 나노 구조물 형성방법
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제1 항에 있어서, 상기 기판 상에 고분자 박막을 형성시키는 단계 전에, 상기 기판을 표면처리하여 상기 기판의 표면에너지를 조절하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 고종횡비 나노 구조물 형성방법
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제1 항에 있어서, 상기 고분자 박막에 몰드를 접촉시키기 전에, 상기 몰드를 표면처리하여 상기 몰드의 표면에너지를 조절하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 고종횡비 나노 구조물 형성방법
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제1 항에 있어서, 상기 고분자 박막에 몰드의 패턴을 접촉시킨 후에,상기 몰드에 압력을 가하여 상기 고분자 박막과 상기 몰드의 패턴과의 접촉균일성을 향상시키는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 고종횡비 나노 구조물 형성방법
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기판 상에 고분자 박막을 형성시키는 단계; 상기 고분자 박막에 몰드의 패턴을 접촉시키는 단계;상기 고분자 박막이 유동하여 상기 몰드의 음각부 바탕면과 접촉하는 고분자 패턴을 형성시키는 단계;상기 고분자 패턴이 형성된 고분자 박막에서 상기 몰드를 제거하여 상기 고분자 패턴이 상기 몰드의 제거에 의하여 신장된 나노 구조물을 형성시키는 단계;상기 나노 구조물이 형성되지 않은 고분자 박막 부분을 식각하여 상기 기판을 노출시키는 단계;상기 신장된 나노 구조물을 마스크로 하여 상기 기판을 식각하여 상기 기판 상에 미세패턴을 형성시키는 단계; 및상기 미세패턴이 형성된 기판 상에서 상기 나노 구조물을 제거하는 단계를 포함하는 미세패턴 형성방법
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