맞춤기술찾기
이전대상기술
멀티 플러그를 이용한 멀티 비트 ＯＴＰ 메모리 소자와 그제조 및 동작방법
- 기술번호 : KST2015159965
- 담당센터 :
- 전화번호 :
| 요약 | 멀티 플러그를 이용한 멀티 비트 OTP 메모리 소자와 그 제조 및 동작 방법에 관해 개시되어 있다. 여기서, 캐소드, 애노드, 상기 애노드에 연결된 링크 및 상기 링크와 상기 캐소드를 연결하는 제1 연결수단을 포함하는, 한번의 동작으로 데이터를 저장하거나 읽을 수 있는 멀티 비트 메모리 소자를 제공한다. 상기 링크와 상기 애노드는 상기 캐소드보다 낮은 위치에 구비될 수 있다. 그리고 상기 링크와 상기 애노드는 상기 캐소드보다 높은 위치에 구비될 수도 있다. 또한, 상기 캐소드, 상기 애노드, 상기 링크 및 상기 제1 연결수단은 모두 동일면 상에 구비될 수도 있다. |
|---|---|
| Int. CL | H01L 27/108 (2006.01) H01L 21/8242 (2006.01) |
| CPC | |
| 출원번호/일자 | 1020080020200 (2008.03.04) |
| 출원인 | 삼성전자주식회사, 재단법인서울대학교산학협력재단 |
| 등록번호/일자 | 10-1446332-0000 (2014.09.24) |
| 공개번호/일자 | 10-2009-0095096 (2009.09.09) 문서열기 |
| 공고번호/일자 | (20141008) 문서열기 |
| 국제출원번호/일자 | |
| 국제공개번호/일자 | |
| 우선권정보 | |
| 법적상태 | 등록 |
| 심사진행상태 | 수리 |
| 심판사항 | |
| 구분 | 신규 |
| 원출원번호/일자 | |
| 관련 출원번호 | |
| 심사청구여부/일자 | Y (2013.02.21) |
| 심사청구항수 | 10 |
출원인
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 삼성전자주식회사 | 대한민국 | 경기도 수원시 영통구 |
| 2 | 재단법인서울대학교산학협력재단 | 대한민국 | 서울특별시 관악구 |
발명자
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 김덕기 | 대한민국 | 서울특별시 동작구 |
| 2 | 유하영 | 대한민국 | 서울특별시 강남구 |
| 3 | 주영창 | 대한민국 | 서울특별시 강남구 |
| 4 | 성정헌 | 대한민국 | 경기 용인시 기흥구 |
| 5 | 황수정 | 대한민국 | 서울특별시 관악구 |
| 6 | 정성엽 | 대한민국 | 서울특별시 관악구 |
대리인
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 리앤목특허법인 | 대한민국 | 서울 강남구 언주로 **길 **, *층, **층, **층, **층(도곡동, 대림아크로텔) |
최종권리자
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 재단법인서울대학교산학협력재단 | 서울특별시 관악구 | |
| 2 | 삼성전자주식회사 | 경기도 수원시 영통구 |
| 번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | [특허출원]특허출원서 [Patent Application] Patent Application |
2008.03.04 | 수리 (Accepted) | 1-1-2008-0160125-96 |
| 2 | 보정요구서 Request for Amendment |
2008.03.12 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 1-5-2008-0036718-12 |
| 3 | [출원서등 보정]보정서 [Amendment to Patent Application, etc.] Amendment |
2008.04.07 | 수리 (Accepted) | 1-1-2008-0248943-57 |
| 4 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2012.06.21 | 수리 (Accepted) | 4-1-2012-5132663-40 |
| 5 | [심사청구]심사청구(우선심사신청)서 [Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination) |
2013.02.21 | 수리 (Accepted) | 1-1-2013-0159164-04 |
| 6 | [명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment |
2013.02.21 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2013-0159166-95 |
| 7 | 의견제출통지서 Notification of reason for refusal |
2014.01.13 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2014-0026679-01 |
| 8 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation) |
2014.03.10 | 수리 (Accepted) | 1-1-2014-0231931-19 |
| 9 | [명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment |
2014.03.10 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2014-0231932-65 |
| 10 | 등록결정서 Decision to grant |
2014.07.16 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2014-0484381-10 |
| 11 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2014.08.22 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5100909-62 |
| 12 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2015.03.20 | 수리 (Accepted) | 4-1-2015-5036045-28 |
| 번호 | 청구항 |
|---|---|
| 1 |
1 캐소드;애노드;상기 애노드에 연결된 링크; 및상기 링크와 상기 캐소드를 연결하는 복수의 플러그를 포함하고,상기 복수의 플러그는 상기 링크와 상기 캐소드 사이의 전기적 저항이 낮은 제1 상태와, 상기 링크와 상기 캐소드 사이의 전기적 저항이 높은 제2 상태를 나타낼 수 있으며,상기 복수의 플러그 각각은 서로 이격되어 형성되는 것을 특징으로 하는 메모리 소자 |
| 2 |
2 제 1 항에 있어서, 상기 링크와 상기 애노드는 상기 캐소드보다 낮은 위치에 구비된 메모리 소자 |
| 3 |
3 제 1 항에 있어서, 상기 링크와 상기 애노드는 상기 캐소드보다 높은 위치에 구비된 메모리 소자 |
| 4 |
4 제 1 항에 있어서, 상기 캐소드, 상기 애노드, 상기 링크 및 상기 복수의 플러그는 모두 동일면 상에 구비된 메모리 소자 |
| 5 |
5 제 1 항에 있어서, 상기 캐소드, 상기 애노드 및 상기 링크는 모두 동일면 상에 구비되고, 상기 복수의 플러그는 상기 동일면과 이격되게 구비된 메모리 소자 |
| 6 |
6 제 1 항에 있어서, 상기 캐소드와 상기 애노드는 상기 링크보다 높은 곳에 위치하는 메모리 소자 |
| 7 |
7 제 6 항에 있어서, 상기 애노드와 상기 링크는 제2 연결수단으로 연결된 메모리 소자 |
| 8 |
8 제 6 항에 있어서, 상기 애노드와 상기 캐소드는 동일한 높이로 구비된 메모리 소자 |
| 9 |
9 제 1 항, 제 2 항, 제 3 항 및 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 캐소드, 상기 애노드 및 상기 링크는 단층 또는 복층인 메모리 소자 |
| 10 |
10 제 1 항에 있어서,상기 복수의 플러그는 제1 내지 제4 플러그를 포함하며, 상기 제1 내지 제4 플러그는 상기 제1 플러그만이 상기 제2 상태에 있는 제1 데이터 상태, 상기 제1 및 제2 플러그만이 상기 제2 상태에 있는 제2 데이터 상태, 상기 제1 내지 제3 플러그만이 상기 제2 상태에 있는 제3 데이터 상태 및 상기 제1 내지 제4 플러그 모두 상기 제2 상태에 있는 제4 데이터 상태 중 어느 하나의 데이터 상태를 나타낼 수 있는 것을 특징으로 하는 메모리 소자 |
| 11 |
11 삭제 |
| 12 |
12 삭제 |
| 13 |
13 삭제 |
| 14 |
14 삭제 |
| 15 |
15 삭제 |
| 16 |
16 삭제 |
| 17 |
17 삭제 |
| 18 |
18 삭제 |
| 19 |
19 삭제 |
| 20 |
20 삭제 |
| 21 |
21 삭제 |
| 22 |
22 삭제 |
| 23 |
23 삭제 |
| 24 |
24 삭제 |
| 25 |
25 삭제 |
| 26 |
26 삭제 |
| 지정국 정보가 없습니다 |
|---|
| 순번 | 패밀리번호 | 국가코드 | 국가명 | 종류 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | US07929330 | US | 미국 | FAMILY |
| 2 | US20090225581 | US | 미국 | FAMILY |
DOCDB 패밀리 정보
| 순번 | 패밀리번호 | 국가코드 | 국가명 | 종류 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | US2009225581 | US | 미국 | DOCDBFAMILY |
| 2 | US7929330 | US | 미국 | DOCDBFAMILY |
| 국가 R&D 정보가 없습니다. |
|---|
- 본 등록정보는 참고용으로 법적증빙자료로 사용할 수 없습니다.
- 데이터 이관에 따른 소요기간(1일)으로 인하여 등록원부와 일부 차이가 발생할 수 있으며, 일부 정보(부기, 상세 주소 등)를 제공하지 않고 있습니다.
- 법적증빙자료로 활용하시거나 더 자세한 정보를 보시려면 등록원부를 발급받아 사용하시기 바랍니다.
| 특허 등록번호 | 10-1446332-0000 |
|---|
권리란
| 표시번호 | 사항 |
|---|---|
| 1 |
출원 연월일 : 20080304 출원 번호 : 1020080020200 공고 연월일 : 20141008 공고 번호 : 특허결정(심결)연월일 : 20140716 청구범위의 항수 : 10 유별 : H01L 21/8242 발명의 명칭 : 멀티 플러그를 이용한 멀티 비트 ＯＴＰ 메모리 소자와 그제조 및 동작방법 존속기간(예정)만료일 : |
특허권자란
| 순위번호 | 사항 |
|---|---|
| 1 |
(권리자) 재단법인서울대학교산학협력재단 서울특별시 관악구... |
| 1 |
(권리자) 삼성전자주식회사 경기도 수원시 영통구... |
등록료란
| 제 1 - 3 년분 | 금 액 | 435,000 원 | 2014년 09월 25일 | 납입 |
| 제 4 년분 | 금 액 | 260,000 원 | 2017년 09월 01일 | 납입 |
| 제 5 년분 | 금 액 | 260,000 원 | 2018년 08월 31일 | 납입 |
| 제 6 년분 | 금 액 | 260,000 원 | 2019년 08월 30일 | 납입 |
| 제 7 년분 | 금 액 | 480,000 원 | 2020년 08월 31일 | 납입 |
- 본 '원본보기 서비스'는 참고용이므로, 일부 오류 및 누락이 발생할 수 있습니다.
- 정확한 서류를 확인하시려면 해당 웹사이트에서 조회하시기 바랍니다. (특허로 바로가기: http://www.patent.go.kr)
- 해당 서비스는 점검으로 인해 매주 일요일 00:00 ~ 02:00까지 이용이 중단됩니다.
| 번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | [특허출원]특허출원서 | 2008.03.04 | 수리 (Accepted) | 1-1-2008-0160125-96 |
| 2 | 보정요구서 | 2008.03.12 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 1-5-2008-0036718-12 |
| 3 | [출원서등 보정]보정서 | 2008.04.07 | 수리 (Accepted) | 1-1-2008-0248943-57 |
| 4 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2012.06.21 | 수리 (Accepted) | 4-1-2012-5132663-40 |
| 5 | [심사청구]심사청구(우선심사신청)서 | 2013.02.21 | 수리 (Accepted) | 1-1-2013-0159164-04 |
| 6 | [명세서등 보정]보정서 | 2013.02.21 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2013-0159166-95 |
| 7 | 의견제출통지서 | 2014.01.13 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2014-0026679-01 |
| 8 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 | 2014.03.10 | 수리 (Accepted) | 1-1-2014-0231931-19 |
| 9 | [명세서등 보정]보정서 | 2014.03.10 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2014-0231932-65 |
| 10 | 등록결정서 | 2014.07.16 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2014-0484381-10 |
| 11 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2014.08.22 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5100909-62 |
| 12 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2015.03.20 | 수리 (Accepted) | 4-1-2015-5036045-28 |
| 기술정보가 없습니다 |
|---|
| 과제고유번호 | 1415079533 |
|---|---|
| 세부과제번호 | 06-최-41 |
| 연구과제명 | 차세대반도체용고신뢰성확보및평가기술개발 |
| 성과구분 | 출원 |
| 부처명 | 지식경제부 |
| 연구관리전문기관명 | 한국산업기술평가원 |
| 연구주관기관명 | 서울대학교 |
| 성과제출연도 | 2007 |
| 연구기간 | 200509~200807 |
| 기여율 | 1 |
| 연구개발단계명 | 응용연구 |
| 6T분류명 | IT(정보기술) |
특허성과
| [1020080069301] | 퓨즈소자 및 그의 동작방법 | 새창보기 |
|---|---|---|
| [1020080065702] | 수소센서 및 그 제조방법 | 새창보기 |
| [1020080056563] | 일렉트로마이그레이션 측정을 위한 장치 및 방법 | 새창보기 |
| [1020080038256] | 전기적 퓨즈 소자 | 새창보기 |
| [1020080028068] | 전기적 퓨즈 소자 및 그 동작방법 | 새창보기 |
| [1020080020200] | 멀티 플러그를 이용한 멀티 비트 ＯＴＰ 메모리 소자와 그제조 및 동작방법 | 새창보기 |
| [1020070116852] | 일렉트로마이그레이션 평가 장치 | 새창보기 |
| [1020070108540] | 나노선 제조방법 | 새창보기 |
| [1020070016963] | 반도체의 전기적 특성과 신뢰성 검사장치 | 새창보기 |
| [1020070016923] | 반도체 및 패키지의 전기적 특성과 신뢰성 검사장치 | 새창보기 |
중요키워드
| [KST2014012202][조선대학교] | ＣＭＰ후 폐슬러리를 이용한 슬러리 연마재의 제조방법 및 | 새창보기 |
|---|---|---|
| [KST2014048307][국민대학교] | 커패시터가 없는 에스비이 디램 셀 트랜지스터 | 새창보기 |
| [KST2014037014][서울대학교] | 함몰된 바디에 두개의 게이트를 갖는 1Ｔ 디램 소자와 그 동작 방법 및 제조 방법 | 새창보기 |
| [KST2014046767][한국과학기술원] | 커패시터리스 디램 셀 및 그 제조방법 | 새창보기 |
| [KST2014036700][한국전자기술연구원] | 커패시터 유전체용 조성물 | 새창보기 |
| [KST2017006523][서울대학교] | 반도체 메모리 소자 및 이의 제조 방법(semiconductor memory device and method of fabricating the same) | 새창보기 |
| [KST2014067199][한국과학기술원] | [비휘발성 메모리 기반 저장장치]3차원 전면 게이트 구조를 갖는 비휘발성 디램 소자 기술 | 새창보기 |
| [KST2014034406][서강대학교] | 터널링 전계효과 트랜지스터를 이용한 1Ｔ 디램 셀 소자 (CAPACITORLESS 1T DRAM CELL DEVICE USING TUNNELING FIELD EFFECT TRANSISTOR) | 새창보기 |
| [KST2014036331][한국과학기술연구원] | 복합 유전체 박막과, 이를 이용한 캐패시터 및 전계 효과 트랜지스터와, 이들 각각의 제조 방법 | 새창보기 |
| [KST2017008293][서강대학교] | 터널링 전계효과 트랜지스터를 이용한 1T 디램 셀 소자와 그 제조방법 및 이를 이용한 메모리 어레이(CAPACITORLESS 1T DRAM CELL DEVICE USING TUNNELING FIELD EFFECT TRANSISTOR, FABRICATION METHOD THEREOF AND MEMORY ARRAY USING THE SAME) | 새창보기 |
| [KST2014012612][한국전기연구원] | 전기화학 커패시터용 철계 금속산화물 전극재료의 제조방법 | 새창보기 |
| [KST2014000629][고려대학교] | ＢａＴｉ４Ｏ９를 이용한 ＭＩＭ 캐패시터 및 그의제조방법 | 새창보기 |
| [KST2014008670][이디리서치] | 비휘발성 디램 소자와 그 제조 방법 및 그 구동 방법 | 새창보기 |
| [KST2019009573][한양대학교] | 2단자 수직형 1T-디램 및 그 제조 방법 | 새창보기 |
| [KST2014029172][동국대학교] | 나노구조를 갖는 ＭＩＭ 캐패시터 제조방법 | 새창보기 |
| [KST2015126480][연세대학교] | 유전율을 변화시킬 수 있는 그라핀 옥사이드 캐패시터 및 그 제조방법 | 새창보기 |
| [KST2016008959][한국화학연구원] | 단원자 증착법을 이용한 복합 및 비대칭적인 복합박막 및 이의 제조방법(Multi and asymmetric complex thin film using atomic layer deposition and method for manufacturing thereof) | 새창보기 |
| [KST2017010669][한국과학기술원] | 밴드 오프셋을 이용한 다중 비트 커패시터리스 디램 및 그 제조 방법(MULTI BIT CAPACITORLESS DRAM USING BAND OFFSET TECHNOLOGY AND MANUFACTURING METHOD THEREOF) | 새창보기 |
| [KST2014004896][대덕특구지원본부] | 반도체 장치 제조 방법 | 새창보기 |
| [KST2014012624][한국전기연구원] | 박막 커패시터 유전체의 제조방법 | 새창보기 |
| [KST2014032291][한국전자통신연구원] | 비휘발성 메모리 셀 및 그 제조 방법 | 새창보기 |
| [KST2015048931][LG그룹] | ＭＩＭ 커패시터 | 새창보기 |
| [KST2014012263][한국전기연구원] | 집적화 전자기소자용 박막 커패시터 제조 방법 | 새창보기 |
| [KST2017008680][서울시립대학교] | 반도체 장치(SEMICONDUCTOR DEVICE) | 새창보기 |
| [KST2014048305][국민대학교] | 커패시터가 없는 에스비이 디램 셀 트랜지스터의 제조 방법 | 새창보기 |
| [KST2017006552][경북대학교] | PMOS 게인 셀을 이용한 메모리 장치(MEMORY DEVICE USING PMOS GAIN CELL) | 새창보기 |
| [KST2015112988][한국과학기술원] | 반도체 메모리 소자의 커패시터 및 그 제조방법 | 새창보기 |
| [KST2019009574][한양대학교] | 2단자 수직형 1T-디램 및 그 제조 방법 | 새창보기 |
| [KST2014037006][서울대학교] | 반도체 소자용 웨이퍼 | 새창보기 |
| [KST2017009906][한국과학기술원] | 다중 비트 커패시터리스 디램 및 그 제조 방법(MULTI BIT CAPACITORLESS DRAM AND MANUFACTURING METHOD THEREOF) | 새창보기 |
| 심판사항 정보가 없습니다 |
|---|