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비휘발성 디램 소자와 그 제조 방법 및 그 구동 방법
- 기술번호 : KST2014008670
- 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
- 전화번호 : 02-2155-3662
| 요약 | 본 발명은 비휘발성 디램 소자와 그 제조방법 및 그 구동방법에 관한 것이다. 이러한 본 발명에 따른 비휘발성 디램 소자는 기판 상에 형성된 이온주입층, 이온주입층 상에 형성된 부유바디셀, 부유바디셀 좌우에 형성된 소오스와 드레인 및 부유바디셀 표면 상에 형성된 비휘발성 게이트구조체를 포함한다. 이러한 본 발명에 따르면, 전원공급이 중단되더라도 비휘발성 메모리 소자와 같이 단위 셀 안에 저장된 데이터를 유지할 수 있고, 전원공급시에는 디램과 같이 고속으로 동작할 수 있는 비휘발성 디램 소자와 그 제조방법 및 그 구동방법을 제공하는 효과가 있다.비휘발성 메모리(Non-Volatile Memory), 디램(DRAM-Dynamic Random Access Memory), 부유 게이트(Floating Gate), SOI(Silicon On Insulator) |
|---|---|
| Int. CL | H01L 27/108 (2011.01) H01L 21/8242 (2011.01) B82Y 10/00 (2011.01) |
| CPC | H01L 27/10802(2013.01) H01L 27/10802(2013.01) H01L 27/10802(2013.01) H01L 27/10802(2013.01) |
| 출원번호/일자 | 1020070127307 (2007.12.10) |
| 출원인 | 한국과학기술원 |
| 등록번호/일자 | 10-0893834-0000 (2009.04.10) |
| 공개번호/일자 | 10-2008-0082431 (2008.09.11) 문서열기 |
| 공고번호/일자 | (20090417) 문서열기 |
| 국제출원번호/일자 | |
| 국제공개번호/일자 | |
| 우선권정보 |
대한민국 | 1020070022344 | 2007.03.07
|
| 법적상태 | 소멸 |
| 심사진행상태 | 수리 |
| 심판사항 | |
| 구분 | |
| 원출원번호/일자 | |
| 관련 출원번호 | |
| 심사청구여부/일자 | Y (2007.12.10) |
| 심사청구항수 | 17 |
출원인
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 한국과학기술원 | 대한민국 | 대전광역시 유성구 |
발명자
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 최양규 | 대한민국 | 대전 유성구 |
| 2 | 김청진 | 대한민국 | 대전 유성구 |
| 3 | 류승완 | 대한민국 | 대전 유성구 |
대리인
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 김성호 | 대한민국 | 서울특별시 강남구 도곡로 *** (역삼동,미진빌딩 *층)(KNP 특허법률사무소) |
최종권리자
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 한국과학기술원 | 대한민국 | 대전광역시 유성구 |
| 번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | [특허출원]특허출원서 [Patent Application] Patent Application |
2007.12.10 | 수리 (Accepted) | 1-1-2007-0884486-09 |
| 2 | 의견제출통지서 Notification of reason for refusal |
2008.10.31 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2008-0555905-92 |
| 3 | [명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment |
2008.12.31 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2008-0909797-58 |
| 4 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation) |
2008.12.31 | 수리 (Accepted) | 1-1-2008-0909782-74 |
| 5 | 등록결정서 Decision to grant |
2009.04.09 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2009-0151850-49 |
| 6 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2013.02.01 | 수리 (Accepted) | 4-1-2013-5019983-17 |
| 7 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2014.12.24 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5158129-58 |
| 8 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2014.12.24 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5157968-69 |
| 9 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2014.12.24 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5157993-01 |
| 10 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2019.04.24 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5081392-49 |
| 11 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2020.05.15 | 수리 (Accepted) | 4-1-2020-5108396-12 |
| 12 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2020.06.12 | 수리 (Accepted) | 4-1-2020-5131486-63 |
| 번호 | 청구항 |
|---|---|
| 1 |
1 삭제 |
| 2 |
2 삭제 |
| 3 |
3 기판 상에 형성된 이온주입층;상기 이온주입층 상에 형성된 부유바디셀;상기 부유바디셀 좌우에 형성된 소오스와 드레인; 및상기 부유바디셀 표면 상에 형성된 비휘발성 게이트구조체를 포함하는, 비휘발성 디램 소자 |
| 4 |
4 제 3항에 있어서,상기 이온주입층은,게르마늄(Ge) 또는 P형 불순물 이온주입층인, 비휘발성 디램 소자 |
| 5 |
5 제 3항에 있어서,상기 부유바디셀은 핀(Fin) 구조로 형성된, 비휘발성 디램 소자 |
| 6 |
6 제 5항에 있어서,상기 부유바디셀의 일측면에 상기 비휘발성 게이트구조체가 형성되고, 상기 핀 구조의 타측면에는 백게이트가 형성된, 비휘발성 디램 소자 |
| 7 |
7 제 5항에 있어서,상기 부유바디셀의 일측면에 상기 비휘발성 게이트구조체가 형성되고, 상기 핀 구조의 타측면에도 상기 비휘발성 게이트구조체가 형성된, 비휘발성 디램 소자 |
| 8 |
8 제 3항에 있어서,상기 비휘발성 게이트구조체는터널링 절연막, 부유게이트, 제어 절연막 및 게이트를 포함하는, 비휘발성 디램 소자 |
| 9 |
9 제 8항에 있어서,상기 부유게이트는 폴리실리콘층, SONOS(Silicon-Oxide-Nitride-Oxide-Silicon) 또는 MNOS(Metal-Nitride-Oxide-Silicon)구조를 형성하는 질화막층, 비정질 실리콘층, 금속 산화물층, 실리콘 질화막층, 실리콘 나노결정층, 금속 나노결정층 또는 금속산화물 나노결정층인, 비휘발성 디램 소자 |
| 10 |
10 (a) 기판에 홀을 축적할 수 있는 부유바디셀을 형성하는 단계;(b) 상기 부유바디셀의 표면에 전자를 주입할 수 있는 비휘발성 게이트구조체를 형성하는 단계; 및(c) 상기 부유바디셀 내에 소오스와 드레인을 형성하는 단계를 포함하고,상기 (a)단계는,상기 기판 내에 게르마늄(Ge) 또는 P형 불순물 이온주입층을 형성하여 상기 부유바디셀을 형성하는, 비휘발성 디램 소자의 제조방법 |
| 11 |
11 삭제 |
| 12 |
12 삭제 |
| 13 |
13 제 10항에 있어서, 상기 (b)단계는,상기 부유바디셀의 표면에 터널링 절연막을 형성하는 단계;상기 터널링 절연막의 상에 부유게이트를 형성하는 단계;상기 부유게이트 및 상기 터널링 절연막 상에 제어 절연막을 형성하는 단계; 및상기 제어 절연막의 상에 게이트를 형성하는 단계를 포함하는, 비휘발성 디램 소자의 제조방법 |
| 14 |
14 제 13항에 있어서,상기 부유게이트는 폴리실리콘층, SONOS(Silicon-Oxide-Nitride-Oxide-Silicon) 또는 MNOS(Metal-Nitride-Oxide-Silicon)구조를 형성하는 질화막층, 비정질 실리콘층, 금속 산화물층, 실리콘 질화막층, 실리콘 나노결정층, 금속 나노결정층 또는 금속산화물 나노결정층인, 비휘발성 디램 소자의 제조방법 |
| 15 |
15 삭제 |
| 16 |
16 제 10항에 있어서,상기 (a)단계는상기 기판 내에 게르마늄 또는 P형 불순물 이온주입층을 형성하는 단계; 및상기 이온주입층에 의하여 구분된 상기 기판 상부를 패터닝하여 핀(Fin)구조의 상기 부유바디셀을 형성하는 단계를 포함하는, 비휘발성 디램 소자의 제조방법 |
| 17 |
17 제 10항에 있어서,상기 (b)단계는,상기 부유바디셀 일측면에 상기 비휘발성 게이트구조체를 형성하는 단계; 및상기 부유바디셀 타측면에 백게이트를 형성하는 단계를 포함하는, 비휘발성 디램 소자의 제조방법 |
| 18 |
18 제 10항에 있어서,상기 (b)단계는상기 부유바디셀 일측면에 상기 비휘발성 게이트구조체를 형성하는 단계; 및상기 부유바디셀 타측면에 상기 비휘발성 게이트구조체를 형성하는 단계를 포함하는, 비휘발성 디램 소자의 제조방법 |
| 19 |
19 제3항에 의한 비휘발성 디램 소자의 구동방법에 있어서,상기 부유바디셀에 홀을 축적하거나 축출하는 디램 모드; 및상기 비휘발성 게이트구조체 내부에 형성된 부유게이트에 전자를 주입하거나 소거하는 비휘발성 메모리 모드를 포함하는, 비휘발성 디램 소자의 구동방법 |
| 20 |
20 제 19항에 있어서,상기 디램 모드는게이트 유기 드레인 누수(Gate Induced Drain Leakage)효과에 의하여 상기 부유바디셀에 홀을 축적하거나 축출하는, 비휘발성 디램 소자의 구동방법 |
| 21 |
21 제 3항에 있어서,상기 비휘발성 게이트구조체는,상기 부유바디셀 상에 형성된 터널링 절연막;상기 터널링 절연막 상에 수직으로 형성된 탄소나노튜브(Carbon NanoTube);상기 탄소나노튜브를 매립하여 상기 터널링 절연막 상에 형성된 절연막;상기 절연막 상에 형성된 블로킹 절연막; 및상기 블로킹 절연막 상에 형성된 게이트를 포함하는, 비휘발성 디램 소자 |
| 22 |
22 제 21항에 있어서,상기 탄소나노튜브는,단 가닥의 단일벽탄소나노튜브(single-walled Carbon NanoTube) 또는 단 가닥의 다중벽탄소나노튜브(multi-walled Carbon NanoTube)인, 비휘발성 디램 소자 |
| 지정국 정보가 없습니다 |
|---|
| 패밀리정보가 없습니다 |
|---|
| 국가 R&D 정보가 없습니다. |
|---|
- 본 등록정보는 참고용으로 법적증빙자료로 사용할 수 없습니다.
- 데이터 이관에 따른 소요기간(1일)으로 인하여 등록원부와 일부 차이가 발생할 수 있으며, 일부 정보(부기, 상세 주소 등)를 제공하지 않고 있습니다.
- 법적증빙자료로 활용하시거나 더 자세한 정보를 보시려면 등록원부를 발급받아 사용하시기 바랍니다.
| 특허 등록번호 | 10-0893834-0000 |
|---|
권리란
| 표시번호 | 사항 |
|---|---|
| 1 |
출원 연월일 : 20071210 출원 번호 : 1020070127307 공고 연월일 : 20090417 공고 번호 : 특허결정(심결)연월일 : 20090409 청구범위의 항수 : 17 유별 : H01L 27/108 발명의 명칭 : 비휘발성 디램 소자와 그 제조방법 및 그 구동방법. 존속기간(예정)만료일 : 20140411 |
특허권자란
| 순위번호 | 사항 |
|---|---|
| 1 |
(권리자) 한국과학기술원 대전광역시 유성구... |
등록료란
| 제 1 - 3 년분 | 금 액 | 354,000 원 | 2009년 04월 13일 | 납입 |
| 제 4 년분 | 금 액 | 414,000 원 | 2012년 03월 30일 | 납입 |
| 제 5 년분 | 금 액 | 414,000 원 | 2013년 03월 29일 | 납입 |
- 본 '원본보기 서비스'는 참고용이므로, 일부 오류 및 누락이 발생할 수 있습니다.
- 정확한 서류를 확인하시려면 해당 웹사이트에서 조회하시기 바랍니다. (특허로 바로가기: http://www.patent.go.kr)
- 해당 서비스는 점검으로 인해 매주 일요일 00:00 ~ 02:00까지 이용이 중단됩니다.
| 번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | [특허출원]특허출원서 | 2007.12.10 | 수리 (Accepted) | 1-1-2007-0884486-09 |
| 2 | 의견제출통지서 | 2008.10.31 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2008-0555905-92 |
| 3 | [명세서등 보정]보정서 | 2008.12.31 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2008-0909797-58 |
| 4 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 | 2008.12.31 | 수리 (Accepted) | 1-1-2008-0909782-74 |
| 5 | 등록결정서 | 2009.04.09 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2009-0151850-49 |
| 6 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2013.02.01 | 수리 (Accepted) | 4-1-2013-5019983-17 |
| 7 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2014.12.24 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5158129-58 |
| 8 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2014.12.24 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5157968-69 |
| 9 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2014.12.24 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5157993-01 |
| 10 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2019.04.24 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5081392-49 |
| 11 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2020.05.15 | 수리 (Accepted) | 4-1-2020-5108396-12 |
| 12 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2020.06.12 | 수리 (Accepted) | 4-1-2020-5131486-63 |
| 기술번호 | KST2014008670 |
|---|---|
| 자료제공기관 | NTB |
| 기술공급기관 | 이디리서치 |
| 기술명 | 비휘발성 디램 소자와 그 제조 방법 및 그 구동 방법 |
| 기술개요 |
본 발명은 비휘발성 디램 소자와 그 제조방법 및 그 구동방법에 관한 것이다. 이러한 본 발명에 따른 비휘발성 디램 소자는 기판 상에 형성된 이온주입층, 이온주입층 상에 형성된 부유바디셀, 부유바디셀 좌우에 형성된 소오스와 드레인 및 부유바디셀 표면 상에 형성된 비휘발성 게이트구조체를 포함한다. 이러한 본 발명에 따르면, 전원공급이 중단되더라도 비휘발성 메모리 소자와 같이 단위 셀 안에 저장된 데이터를 유지할 수 있고, 전원공급시에는 디램과 같이 고속으로 동작할 수 있는 비휘발성 디램 소자와 그 제조방법 및 그 구동방법을 제공하는 효과가 있다.비휘발성 메모리(Non-Volatile Memory), 디램(DRAM-Dynamic Random Access Memory), 부유 게이트(Floating Gate), SOI(Silicon On Insulator) |
| 개발상태 | 기술개발완료 |
| 기술의 우수성 | |
| 응용분야 | URAM(Unified-RAM) |
| 시장규모 및 동향 | |
| 희망거래유형 | 라이센스,기타, |
| 사업화적용실적 | |
| 도입시고려사항 |
| 과제고유번호 | 1345097648 |
|---|---|
| 세부과제번호 | 과C6A1611 |
| 연구과제명 | 전자통신기술사업단 |
| 성과구분 | 등록 |
| 부처명 | 교육과학기술부 |
| 연구관리전문기관명 | 한국연구재단 |
| 연구주관기관명 | 한국과학기술원 |
| 성과제출연도 | 2009 |
| 연구기간 | 200603~201302 |
| 기여율 | 1 |
| 연구개발단계명 | 기타 |
| 6T분류명 | IT(정보기술) |
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