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나노선 제조방법

  • 기술번호 : KST2015160609
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 간편하면서도 단시간 내에 고순도의 나노선을 효과적으로 성장시킬 수 있는 나노선 제조방법이 개시된다. 본 발명에 따른 나노선 제조방법은 a) 기판 상에 제1 및 제2 전극을 형성하는 단계; 및 (b) 제1 및 제2 전극간에 소정의 전압을 인가하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다. 나노선, 전극, 전압, 물
Int. CL B82Y 40/00 (2011.01) B82B 3/00 (2011.01)
CPC H01L 21/02603(2013.01) H01L 21/02603(2013.01) H01L 21/02603(2013.01)
출원번호/일자 1020070108540 (2007.10.26)
출원인 재단법인서울대학교산학협력재단
등록번호/일자 10-0982055-0000 (2010.09.07)
공개번호/일자 10-2009-0042667 (2009.04.30) 문서열기
공고번호/일자 (20100914) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항 심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2007.10.26)
심사청구항수 4

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 재단법인서울대학교산학협력재단 대한민국 서울특별시 관악구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 주영창 대한민국 서울 강남구
2 이신복 대한민국 서울 관악구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김한 대한민국 서울특별시 서초구 남부순환로***길 *-*, *층 (양재동, 가람빌딩)(율민국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 재단법인서울대학교산학협력재단 대한민국 서울특별시 관악구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2007.10.26 수리 (Accepted) 1-1-2007-0770916-45
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2008.01.29 수리 (Accepted) 4-1-2008-5015497-73
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2009.02.09 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2009.03.13 수리 (Accepted) 9-1-2009-0014078-90
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2009.09.10 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0377051-19
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2009.11.10 수리 (Accepted) 1-1-2009-0690728-83
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2009.11.10 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2009-0690745-59
8 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2010.02.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0075329-25
9 명세서 등 보정서(심사전치)
Amendment to Description, etc(Reexamination)		 2010.03.25 보정승인 (Acceptance of amendment) 7-1-2010-0012652-07
10 최후의견제출통지서
Notification of reason for final refusal		 2010.05.07 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0193547-17
11 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2010.06.24 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2010-0406268-67
12 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2010.06.24 수리 (Accepted) 1-1-2010-0406250-46
13 등록결정서
Decision to grant		 2010.09.01 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0387717-11
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.08.22 수리 (Accepted) 4-1-2014-5100909-62
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.03.20 수리 (Accepted) 4-1-2015-5036045-28
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
(a) 기판 상에 제1 및 제2 전극을 형성하는 단계; (b) 상기 제1 및 제2 전극 중 적어도 하나의 전극 상에 소정량의 나노선 성장 제어 물질이 포함된 물을 적하(滴下)하는 단계; 및 (c) 상기 제1 및 제2 전극간에 소정의 전압을 인가하여 상기 제1 또는 제2 전극의 표면으로부터 상기 전극의 물질과 동일하거나 상기 전극 물질을 구성하는 적어도 하나의 원소를 포함하는 물질의 나노선을 성장시키는 단계 를 포함하되, 상기 (b) 단계에서 상기 물 적하 후에 상기 제1 및 제2 전극 상에 절연성 캡을 설치하는 것을 특징으로 하는 나노선 제조방법
2 2
제1항에 있어서, 상기 제1 및 제2 전극의 물질은 2개 이상의 원소로 구성되는 합금을 포함하는 것을 특징으로 하는 나노선 제조방법
3 3
삭제
4 4
삭제
5 5
삭제
6 6
삭제
7 7
삭제
8 8
삭제
9 9
제1항에 있어서, 상기 나노선 성장 제어 물질에 의해 나노선의 조성, 형상, 크기, 성장 속도 등을 제어할 수 있는 것을 특징으로 하는 나노선 제조방법
10 10
제1항에 있어서, 상기 나노선 성장 제어 물질은 NaCl, Na2SO4, NaBr, NaF 중 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 나노선 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.