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양자점 형성방법

  • 기술번호 : KST2015160770
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 실리콘 양자점 형성방법에 관한 것으로, 특히, 화학기상증착법을 이용하여 박막절연층이 형성된 기판 상부에 SiH4 실리콘원 가스 및 B2H6 도펀트 가스를 동시에 주입함으로써 단결정급 결정특성을 갖는 미세하고 균일한 실리콘 양자점을 성장시키는 방법에 관한 것으로, 차세대 나노소자 제조에 적용될 수 있다. 양자점, 단전자, 화학기상증착, 핵생성, 나노소자
Int. CL H01L 21/205 (2011.01) B82Y 10/00 (2011.01)
CPC H01L 21/0262(2013.01)H01L 21/0262(2013.01)H01L 21/0262(2013.01)H01L 21/0262(2013.01)
출원번호/일자 1020020025898 (2002.05.10)
출원인 재단법인서울대학교산학협력재단
등록번호/일자 10-0471745-0000 (2005.02.03)
공개번호/일자 10-2003-0087821 (2003.11.15) 문서열기
공고번호/일자 (20050316) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2002.05.10)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 재단법인서울대학교산학협력재단 대한민국 서울특별시 관악구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 오혜정 대한민국 서울특별시강남구
2 임승현 대한민국 서울특별시동작구
3 윤의준 대한민국 서울특별시강남구

대리인

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번호 이름 국적 주소
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최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 재단법인서울대학교산학협력재단 대한민국 서울특별시 관악구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2002.05.10 수리 (Accepted) 1-1-2002-0143812-83
2 보정통지서
Request for Amendment		 2002.05.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2002-0036057-23
3 서지사항 보정서
Amendment to Bibliographic items		 2002.06.11 수리 (Accepted) 1-1-2002-0181916-13
4 서지사항 보정서
Amendment to Bibliographic items		 2002.06.11 수리 (Accepted) 1-1-2002-0181919-49
5 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2003.12.12 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
6 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2004.01.13 수리 (Accepted) 9-1-2004-0002195-14
7 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2004.06.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2004-0259818-14
8 의견서
Written Opinion		 2004.06.30 수리 (Accepted) 1-1-2004-0289084-09
9 명세서 등 보정서
Amendment to Description, etc.		 2004.06.30 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2004-0289091-18
10 등록결정서
Decision to grant		 2005.01.04 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2005-0002322-55
11 출원인변경신고서
Applicant change Notification		 2005.02.03 수리 (Accepted) 1-1-2005-5015625-70
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2008.01.29 수리 (Accepted) 4-1-2008-5015497-73
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.08.22 수리 (Accepted) 4-1-2014-5100909-62
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.03.20 수리 (Accepted) 4-1-2015-5036045-28
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번호 청구항
1 1
화학기상증착법으로 기판 위에 실리콘 양자점을 형성하는 방법에 있어서, 기판 위에 박막절연층을 형성하는 단계; 상기 박막절연층이 형성된 기판에 양자점 성장을 위한 실리콘원 가스 및 B2H6 도펀트 가스를 동시에 주입하여 상기 박막절연층 상부에 실리콘 양자점을 성장시키는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 양자점 형성방법
2 2
제 1항에 있어서, 상기 박막절연층은 SiO2, Si3N4 또는 SiOXNY 중 어느 하나로 형성된 것을 특징으로 하는 양자점 형성방법
3 3
제 1항에 있어서, 상기 실리콘원 가스는 SiH4 또는 SiH6 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 양자점 형성방법
4 4
제 3항에 있어서, 상기 양자점 성장을 위해서 상기 박막절연층이 형성된 기판의 가열온도를 550℃로 하는 것을 특징으로 하는 양자점 형성방법
5 5
화학기상증착법으로 기판 위에 양자점을 형성하는 방법에 있어서, 기판 위에 박막절연층을 형성하는 단계; 상기 박막절연층이 형성된 기판에 양자점 성장을 위한 SiH4 , GeH4 가스 및 B2H6 도펀트 가스를 동시에 주입하여 상기 박막절연층 상부에 실리콘게르마늄 양자점을 성장시키는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 양자점 형성방법
6 6
화학기상증착법으로 기판 위에 실리콘 양자점을 형성하는 방법에 있어서, 기판 위에 박막절연층을 형성하는 단계; 상기 박막절연층이 형성된 기판에 B2H6 도펀트 가스를 주입하여 상기 박막절연층 표면을 선처리 하는 단계; 및 SiH4 가스를 주입하여 실리콘 양자점을 성장시키는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 양자점 형성방법
7 6
화학기상증착법으로 기판 위에 실리콘 양자점을 형성하는 방법에 있어서, 기판 위에 박막절연층을 형성하는 단계; 상기 박막절연층이 형성된 기판에 B2H6 도펀트 가스를 주입하여 상기 박막절연층 표면을 선처리 하는 단계; 및 SiH4 가스를 주입하여 실리콘 양자점을 성장시키는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 양자점 형성방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.