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CNTnt 자기 조립(self assembly)에 의해 반도체 기판상에 CNTnt(carbon nanotube network template)를 형성하는 단계 및상기 반도체 기판상에 CNTnt를 형성하는 단계 이후에 CNTnt 상에 이중보 형태의 패턴을 형성하는 단계를 추가로 포함하여 구성됨을 특징으로 하는, CNTnt 상에 형성된 금속 박막을 가지는 독립한 금속성 마이크로메카니컬 구조의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 CNTnt 상에 이중보 형태의 패턴을 형성하는 단계 이후에 금속 박막을 증착하는 단계를 추가로 포함하여 구성됨을 특징으로 하는, CNTnt 상에 형성된 금속 박막을 가지는 독립한 금속성 마이크로메카니컬 구조의 제조방법
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제4항에 있어서,상기 금속 박막을 증착하는 단계 이후에 금속 박막을 박리하는 단계를 추가로 포함하여 구성됨을 특징으로 하는, CNTnt 상에 형성된 금속 박막을 가지는 독립한 금속성 마이크로메카니컬 구조의 제조방법
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제5항에 있어서,상기 금속 박막을 박리하는 단계 이후에 현수된 이중 고정보(suspended doubly-clamped beams)의 형성단계를 추가로 포함하여 구성됨을 특징으로 하는, CNTnt 상에 형성된 금속 박막을 가지는 독립한 금속성 마이크로메카니컬 구조의 제조방법
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제6항에 있어서,상기 현수된 이중 고정보의 형성단계 이후에 금속 증착에 의해 카운터 전극(counter electrode)을 형성하는 단계를 추가로 포함하여 구성됨을 특징으로 하는, CNTnt 상에 형성된 금속 박막을 가지는 독립한 금속성 마이크로메카니컬 구조의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 반도체 기판은 GaAs 기판임을 특징으로 하는, CNTnt 상에 형성된 금속 박막을 가지는 독립한 금속성 마이크로메카니컬 구조의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 금속은 Al으로 구성됨을 특징으로 하는, CNTnt 상에 형성된 금속 박막을 가지는 독립한 금속성 마이크로메카니컬 구조의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 CNTnt 자기 조립은 반도체 기판 표면에 일정 두께로 금속이 증착되고, o-디클로로벤젠 용매와 일정한 길이를 갖는 단일벽 카본 나노튜브(single walled carbon nanotube,swCNT) 용액에서 기판이 제거된 후에, 액체 질소에서 건조됨으로써 형성됨을 특징으로 하는, CNTnt 상에 형성된 금속 박막을 가지는 독립한 금속성 마이크로메카니컬 구조의 제조방법
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제10항에 있어서,상기 과정은 일정한 두께를 갖는 단일층, 이중층 및 삼중층을 형성하기 위해 반복됨을 특징으로 하는, CNTnt 상에 형성된 금속 박막을 가지는 독립한 금속성 마이크로메카니컬 구조의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 이중보 형태의 패턴은 일정한 폭과 일정한 길이를 가지되, 전자선묘화법 및 사진평판술에 의해 CNTnt 상에 형성됨을 특징으로 하는, CNTnt 상에 형성된 금속 박막을 가지는 독립한 금속성 마이크로메카니컬 구조의 제조방법
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제4항에 있어서,상기 증착되는 금속은 Al으로 구성됨을 특징으로 하는, CNTnt 상에 형성된 금속 박막을 가지는 독립한 금속성 마이크로메카니컬 구조의 제조방법
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제7항에 있어서,상기 카운터 전극은 빔을 전기적으로 연결하기 위해 금속 증착에 의해 일정 두께로 형성되되, 웨지 본더(wedge-bonder)가 이용됨을 특징으로 하는, CNTnt 상에 형성된 금속 박막을 가지는 독립한 금속성 마이크로메카니컬 구조의 제조방법
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제4항에 있어서,상기 증착은 스퍼터링 증착에 의함을 특징으로 하는, CNTnt 상에 형성된 금속 박막을 가지는 독립한 금속성 마이크로메카니컬 구조의 제조방법
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제1항 및 제4항 내지 제15항 중 어느 한 항의 방법에 의해 제조된 CNTnt 상에 형성된 금속 박막을 가지는 독립한 금속성 마이크로메카니컬 구조
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