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이온 주입법을 이용하여 금속에 탄소 원자를 이온 주입 하는 단계;상기 탄소 원자가 주입된 금속을 열처리 하는 단계;열처리 후 냉각시켜 그래핀을 금속 상에 성장시키는 단계를 포함하는그래핀의 성장 두께를 조절하는 방법
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제 1항에 있어서,상기 이온 주입법은 50 내지 100 keV의 세기로 탄소원자를 금속에 주입시키는 그래핀의 성장 두께를 조절하는 방법
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제 1항에 있어서,상기 탄소 원자는 그 농도를 2 x 1015 내지 10 x 1016 cm-2로 금속에 이온 주입시키는 그래핀의 성장 두께를 조절하는 방법
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제 1항에 있어서,상기 열처리는 급속 열처리(Rapid Thermal Annealing)인 그래핀의 성장 두께를 조절하는 방법
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제 1항에 있어서,상기 열처리는 진공 분위기에서 열처리하는 그래핀의 성장 두께를 조절하는 방법
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제 1항에 있어서,상기 열처리는 700 내지 1500℃의 범위 내에서 열처리하는 그래핀의 성장 두께를 조절하는 방법
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제 1항에 있어서,상기 열처리는 10 분 내지 30 분 동안 열처리하는 그래핀의 성장 두께를 조절하는 방법
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제 1항에 있어서, 상기 금속은 구리, 니켈, 코발트, 철, 아연, 루테늄 또는 플래티늄인 그래핀의 성장 두께를 조절하는 방법
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제 1항에 있어서,상기 성장하는 그래핀은 2층 또는 3층 그래핀인 그래핀의 성장 두께를 조절하는 방법
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제 1항에 있어서,상기 금속 상에서 성장한 그래핀에 지지막으로 코팅시키는 단계;상기 지지막이 코팅된 금속을 식각 용액으로 금속을 제거하는 단계; 및상기 지지막이 덮여 있는 그래핀을 기판에 전사시키는 단계를 추가적으로 포함하는 그래핀의 성장 두께를 조절하는 방법
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청구항 10에 있어서,상기 지지막은 폴리메틸메타크릴레이트(PMMA) 또는 폴리다이메틸실록산(PDMS)인 그래핀의 성장 두께를 조절하는 방법
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청구항 10에 있어서,상기 기판은 SiO2, SiON, ZrO2, ZrSiO, ZrLaO, ZrAlO, ZrSiON, ZrLaON, ZrAlON, LaLuO, LaLuON, HfO2, HfSiO, HfLaO, HfAlO, HfSiON, HfLaON, HfAlON, HfZrO 또는 HfZrON층을 포함하는 그래핀의 성장 두께를 조절하는 방법
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이온 주입법을 이용하여 금속에 탄소 원자를 이온 주입 하는 단계;상기 탄소 원자가 주입된 금속을 급속 열처리 하는 단계;상기 급속 열처리 후 냉각시켜 그래핀을 금속 상에 성장시키는 단계;상기 금속 상에서 성장한 그래핀에 지지막으로 코팅시키는 단계;상기 지지막이 코팅된 금속을 식각 용액으로 금속을 제거하는 단계; 및상기 지지막이 덮여 있는 그래핀을 기판에 전사시키는 단계를 포함하는 그래핀의 제조 방법
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제 13항에 있어서, 상기 탄소 원자는 그 농도를 2 x 1015 내지 10 x 1016 cm-2로 금속에 이온 주입시키는 그래핀의 제조 방법
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제 13항에 있어서,상기 열처리는 700 내지 1500℃의 범위 내에서 열처리하는 그래핀의 성장 두께를 조절하는 방법
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청구항 13의 단계를 포함하는 그래핀이 전사된 소자의 제조 방법
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청구항 16에 있어서,상기 소자는 반도체 소자 또는 발광 소자인 소자의 제조 방법
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