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산화물 기판 상에 산화 반응성 금속층을 형성한 제1구조체를 준비하는 제1단계;상기 제1구조체를 탄소가 포함된 기체에 노출시키면서 열처리하여 그래핀을 성장시키는 제2단계를 포함하되,상기 제1단계는 상기 산화 반응성 금속층을 패턴닝하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 산화 반응성 금속을 이용한 에칭 프리 그래핀 성장 방법
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산화물 기판 상에 산화 반응성 금속층을 형성한 제1구조체를 준비하는 제1단계;상기 제1구조체를 탄소가 포함된 기체에 노출시키면서 열처리하여 그래핀을 성장시키는 제2단계를 포함하되,상기 제2단계는,상기 산화물 기판 상에 산화물이 환원되어 환원물층이 생성되고, 상기 산화 반응성 금속층은 금속 산화물층으로 산화되는 단계;상기 금속 산화물층 상에 그래핀이 성장되는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 산화 반응성 금속을 이용한 에칭 프리 그래핀 성장 방법
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산화물 기판 상에 산화 반응성 금속층을 형성한 제1구조체를 준비하는 제1단계;상기 제1구조체를 탄소가 포함된 기체에 노출시키면서 열처리하여 그래핀을 성장시키는 제2단계; 그래핀을 성장시킨 상기 제1구조체를 불활성 기체 또는 진공 중에서 열처리하여 상기 산화 반응성 금속층을 산화시키는 제3단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 산화 반응성 금속을 이용한 에칭 프리 그래핀 성장 방법
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제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,상기 산화 반응성 금속층은 상기 산화물 기판 보다 산화 반응성이 높은 것을 특징으로 하는 산화 반응성 금속을 이용한 에칭 프리 그래핀 성장 방법
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제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,상기 산화물 기판은,실리콘 산화물, 알루미늄 산화물, 하프늄 산화물, 지르코늄 산화물, 이트륨 산화물, 란탄 산화물, 탄탈륨 산화물, 프라세오디뮴 산화물, 티타늄 산화물, 알루미늄 실리콘 산화물, 지르코늄 실리콘 산화물 및 하프늄 실리콘 산화물 로 이루어진 군으로부터 선택된 어느 하나 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 산화 반응성 금속을 이용한 에칭 프리 그래핀 성장 방법
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기판 상에 산화물층을 형성하고, 상기 산화물층 상에 산화 반응성 금속층을 형성한 제2구조체를 준비하는 제1단계;상기 제2구조체를 탄소가 포함된 기체에 노출시키면서 열처리하여 그래핀을 성장시키는 제2단계를 포함하되,상기 제1단계는 상기 산화 반응성 금속층을 패턴닝하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 산화 반응성 금속을 이용한 에칭 프리 그래핀 성장 방법
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기판 상에 산화물층을 형성하고, 상기 산화물층 상에 산화 반응성 금속층을 형성한 제2구조체를 준비하는 제1단계;상기 제2구조체를 탄소가 포함된 기체에 노출시키면서 열처리하여 그래핀을 성장시키는 제2단계를 포함하되,상기 제2단계는,상기 산화물층은 환원물층으로 환원되고, 상기 산화 반응성 금속층은 금속 산화물층으로 산화되는 단계;상기 금속 산화물층 상에 그래핀이 성장되는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 산화 반응성 금속을 이용한 에칭 프리 그래핀 성장 방법
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기판 상에 산화물층을 형성하고, 상기 산화물층 상에 산화 반응성 금속층을 형성한 제2구조체를 준비하는 제1단계;상기 제2구조체를 탄소가 포함된 기체에 노출시키면서 열처리하여 그래핀을 성장시키는 제2단계;그래핀을 성장시킨 상기 제2구조체를 불활성 기체 또는 진공 중에서 열처리하여 상기 산화 반응성 금속층을 산화시키는 제3단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 산화 반응성 금속을 이용한 에칭 프리 그래핀 성장 방법
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기판 상에 산화물층을 형성하고, 상기 산화물층 상에 산화 반응성 금속층을 형성한 제2구조체를 준비하는 제1단계;상기 제2구조체를 탄소가 포함된 기체에 노출시키면서 열처리하여 그래핀을 성장시키는 제2단계를 포함하되,상기 기판이 유리 기판일 경우, 상기 제2단계의 열처리 온도는 200℃ 내지 450℃이고,상기 기판이 폴리머 기판일 경우, 상기 제2단계의 열처리 온도는 200℃ 내지 300℃이며,상기 기판이 쿼츠 기판일 경우, 상기 제2단계의 열처리 온도는 1000℃ 내지 1200℃인 것을 특징으로 하는 산화 반응성 금속을 이용한 에칭 프리 그래핀 성장 방법
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제6항 내지 제9항 중 어느 한 항에 있어서,상기 산화 반응성 금속층은 상기 산화물층 보다 산화 반응성이 높은 것을 특징으로 하는 산화 반응성 금속을 이용한 에칭 프리 그래핀 성장 방법
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제1항 내지 제3항, 제6항 내지 제9항 중 어느 한 항에 있어서,상기 탄소가 포함된 기체는,상기 기체는 메탄(CH4), 아세틸렌(C2H2), 에틸렌(C2H4), 에탄(C2H6), 프로펜(C3H6), 프로판(C3H8) 및 이의 혼합으로 이루어진 군으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 산화 반응성 금속을 이용한 에칭 프리 그래핀 성장 방법
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