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실리콘 기판;상기 실리콘 기판에 결합되어 있는 실리콘 나노선; 및상기 실리콘 나노선 상부에 배치된 그래핀 층을 포함하는 실리콘/그래핀 분자 나노 센서
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제 1항에 있어서,상기 실리콘 나노선은 복수 개로 구비되는 실리콘/그래핀 분자 나노 센서
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제 1항에 있어서,상기 실리콘 나노선은 수직 정렬된 실리콘/그래핀 분자 나노 센서
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제 1항에 있어서,상기 실리콘 나노선은 p 형 또는 n 형 도핑된 실리콘/그래핀 분자 나노 센서
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제 1항에 있어서,상기 분자는 기체 분자인 실리콘/그래핀 분자 나노 센서
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제 1항에 있어서,상기 기체는 수소, 산소 또는 아르곤인 실리콘/그래핀 분자 나노 센서
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제 1항에 있어서,상기 실리콘 기판과 그래핀 층에 각각 접촉 전극을 더 포함하는 실리콘/그래핀 분자 센서
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제 7항에 있어서,상기 접촉 전극은 Ag, Au 또는 Al인 실리콘/그래핀 분자 센서
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제 1항에 있어서,상기 그래핀은 단층 또는 2층 그래핀인 실리콘/그래핀 분자 센서
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제 1항에 있어서,상기 실리콘/그래핀 분자 센서는 쇼트키(schottky) 다이오드 특성을 나타내는 실리콘/그래핀 분자 센서
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실리콘 기판으로부터 전기화학적 식각법을 이용하여 실리콘 나노선을 제작하는 제 1단계; 및상기 실리콘 기판에 형성된 실리콘 나노선 위에 그래핀을 접합시키는 제2 단계;를 포함하는 실리콘/그래핀 분자 나노 센서의 제조방법
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제 11항에 있어서,상기 제 1단계의 전기화학적 식각법은 실리콘 기판에 질산은과 불산 혼합액을 공기 분위기에서 처리하여 실리콘 표면에 은입자를 코팅시키는 단계 (a);상기 은입자가 코팅된 실리콘 기판에 탈이온수를 처리하여 실리콘 기판에 남은 상기 혼합액을 제거하는 단계 (b); 및은입자가 코팅된 실리콘 기판을 불산, 과산화수소 및 탈이온수를 혼합한 혼합액에 담구어 식각시키는 단계 (c)를 포함하는 실리콘/그래핀 분자 나노 센서의 제조방법
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제 12항에 있어서,상기 단계 (a)에서 질산은은 그 농도가 0
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제 11항에 있어서,상기 제 2 단계 후 제조된 그래핀이 전사된 실리콘 나노선에 접촉전극을 증착시키는 제 3 단계를 추가적으로 포함하는 실리콘/그래핀 분자 나노 센서의 제조방법
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제 14항에 있어서,상기 접촉 전극은 금, 은 또는 백금인 실리콘/그래핀 분자 나노 센서의 제조방법
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실리콘/그래핀 분자 나노 센서에 전압을 인가한 상태에서 대상 분자를 일정 주기로 반복적으로 공급 및 차단 하는 단계; 및 상기 대상 분자를 일정 주기로 반복적으로 공급 및 차단하였을 때 시간에 따른 저항의 변화 추세를 측정하는 단계를 포함하는 실리콘/그래핀 분자 나노 센서를 이용한 분자의 종류를 확인하는 방법
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제 16항에 있어서,상기 대상 분자는 대상 기체인 실리콘/그래핀 분자 나노 센서를 이용한 분자의 종류를 확인하는 방법
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제 17항에 있어서,상기 대상 분자는 수소, 산소 또는 아르곤인 실리콘/그래핀 분자 나노 센서를 이용한 분자의 종류를 확인하는 방법
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