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n형 클래드층과 p형 클래드층 사이에 주입된 전류에 의해 발광하는 산화아연계 발광소자에 있어서, 상기 n형 클래드층의 노출된 부분에 레늄(Re), 텅스텐(W), 몰리브덴(Mo), 탄탈륨(Ta)중 어느 하나로 형성된 n형 제1오믹컨택트층과; 상기 n형 제1오믹컨택트층 위에 니오븀(Nb), 탄탈륨(Ta), 크롬(Cr), 바나듐(V), 마그네슘(Mg), 지르코늄(Zr), 알루미늄(Al), 하프늄(Hf), 타이타늄(Ti), 베릴륨(Be), 망간(Mn) 중 상기 n형 제1오믹컨택트층과 다른 어느 하나의 소재로 형성된 n형 제2 오믹컨택트층;을 구비하는 것을 특징으로 하는 산화아연계 발광소자
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제1항에 있어서, 상기 n형 제2 오믹컨택트층 위에 금으로 형성된 n형 제3오믹컨택트층;을 더 구비하는 것을 특징으로 하는 산화아연계 발광소자
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제1항에 있어서, 상기 p형 클래드층 위에 형성되며 구리계 산화물, 은계 산화물, 인듐계 산화물을 포함하는 제1군 물질 중 선택된 어느 하나의 물질에 첨가원소가 첨가된 화합물로 형성된 p형 제1오믹컨택트층;을 더 구비하는 것을 특징으로 하는 산화아연계 발광소자
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제3항에 있어서, 상기 p형 제1오믹컨택트층은 상기 구리계 산화물이 적용되는 경우 상기 첨가원소는 Fe, Cr, Co, Rh, La, Ag, Ni, Zn, Pd, Mg, Li, Nd, Eu, V 원소 또는 이 원소의 산화물을 포함하는 제2군 첨가원소 중 적어도 하나가 적용되고, 상기 은계 산화물이 적용되는 경우 상기 첨가원소는 Fe, Cr, Co, Rh, La, Al, Ga, In, Sc, Ni, Zn, Pd, Mg, Li, V 원소 또는 이 원소의 산화물을 포함하는 제3군 첨가원소 중 적어도 하나가 적용되고, 상기 인듐계 산화물이 적용되는 경우 상기 첨가원소는 Mg, Ag, Zn, Sc, Hf, Zr, Ta, Co, Rh, La, Al, Ga, Ni, Pd, Li, Sn, V 원소 또는 이 원소의 산화물을 포함하는 제4군 첨가원소 중 적어도 하나가 적용되는 것을 특징으로 하는 산화아연계 발광소자
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제3항에 있어서, 상기 p형 제1오믹컨택트층 위에 Ni, Au, Cu, Co, Zn, Pd, Pt, Ru, Ag, Rh, Al을 포함하는 제5군 원소중 적어도 하나를 포함하여 형성된 p형 제2오믹컨택트층;을 더 구비하는 것을 특징으로 하는 산화아연계 발광소자
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제3항에 있어서, 상기 p형 클래드층 위에 형성되며, 팔라듐코발트 산화물, 팔라듐크롬 산화물, 팔라듐로듐 산화물, 주석 산화물, 주석아연 산화물, 카드뮴주석 산화물, 나트륨코발트 산화물, 칼슘코발트 산화물, 아연안티몬 산화물, 란탄니켈 산화물, 나트륨니켈 산화물, 리튬니켈 산화물을 포함하는 제6군 물질 중 적어도 하나 이상으로 형성된 p형 제1오믹컨택트층;을 구비하는 것을 특징으로 하는 산화아연계 발광소자
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제6항에 있어서, 상기 p형 제1오믹컨택트층 위에 Ni, Au, Cu, Co, Zn, Pd, Pt, Ru, Ag, Rh, Al을 포함하는 제5군 원소중 적어도 하나를 포함하여 형성된 제2오믹컨택트층;을 더 구비하는 것을 특징으로 하는 산화아연계 발광소자
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n형 클래드층과 p형 클래드층 사이에 주입된 전류에 의해 발광하는 산화아연계 발광소자의 제조방법에 있어서, 가
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제8항에 있어서, 상기 n형 제2오믹컨택트층 형성단계 이후에 금으로 n형 제3오믹컨택트층을 형성하는 단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 산화아연계 발광소자의 제조방법
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제6항에 있어서, 상기 열처리단계는 200℃ 내지 900℃에서 수행하는 것을 특징으로 하는 산화아연계 발광소자의 제조방법
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제6항에 있어서, 상기 열처리단계는 200℃ 내지 900℃에서 수행하는 것을 특징으로 하는 산화아연계 발광소자의 제조방법
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