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산화 아연계 전극을 이용한 발광 다이오드 및 그의 제조 방법

  • 기술번호 : KST2014013922
  • 담당센터 : 광주기술혁신센터
  • 전화번호 : 062-360-4654
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 전기적 특성이 향상된 산화 아연계 전극을 이용한 발광 다이오드 및 그의 제조방법이 개시되어 있다. 발광 다이오드는 베이스 기판 상에 차례로 위치하는 제1형 반도체층, 활성층 및 제2형 반도체층을 구비하는 발광구조체 및 발광구조체 상부면에 위치하며, 산화아연계 박막 및 상기 산화아연계 박막 상에 돌출된 산화아연계 나노 막대들을 구비하는 전류 스프레딩층을 포함한다. 또한, 발광 다이오드의 제조방법은 베이스 기판 상에 차례로 위치하는 제1형 반도체층, 활성층 및 제2형 반도체층을 구비하는 발광구조체를 형성하는 단계 및 발광구조체의 상부면에 MOCVD 성장법을 이용하여 산화아연계 박막 및 상기 산화아연계 박막 상에 돌출된 산화아연계 나노 막대들을 구비하는 전류 스프레딩층을 형성하는 단계를 포함한다. 발광 다이오드, 투명 도전막, 광결정층, 나노 막대
Int. CL H01L 33/40 (2014.01)
CPC
출원번호/일자 1020080093404 (2008.09.23)
출원인 광주과학기술원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2010-0034334 (2010.04.01) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2009.09.22)
심사청구항수 7

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 광주과학기술원 대한민국 광주광역시 북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박성주 대한민국 광주광역시 북구
2 박태영 대한민국 광주광역시 북구
3 오민석 대한민국 광주광역시 북구
4 최용석 대한민국 광주광역시 북구
5 강장원 대한민국 광주광역시 북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인이상 대한민국 서울특별시 서초구 바우뫼로 ***(양재동, 우도빌딩 *층)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2008.09.23 수리 (Accepted) 1-1-2008-0668977-38
2 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)		 2009.09.22 수리 (Accepted) 1-1-2009-0580014-01
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2010.05.24 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2010.06.17 수리 (Accepted) 9-1-2010-0037981-01
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2011.04.07 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0187969-19
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2011.06.07 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0424938-06
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2011.06.07 수리 (Accepted) 1-1-2011-0424927-04
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.09.15 수리 (Accepted) 4-1-2011-5187089-85
9 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2011.12.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0760846-32
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
베이스 기판 상에 차례로 위치하는 제1형 반도체층, 활성층 및 제2형 반도체층을 구비하는 발광구조체; 및 상기 발광구조체 상부면에 위치하며, 산화아연계 박막 및 상기 산화아연계 박막 상에 돌출된 산화아연계 나노 막대들을 구비하는 전류 스프레딩층을 포함하는 발광 다이오드
2 2
제 1 항에 있어서, 상기 제2형 반도체층은 질화갈륨계 반도체층인 발광 다이오드
3 3
베이스 기판 상에 차례로 위치하는 제1형 반도체층, 활성층 및 제2형 반도체층을 구비하는 발광구조체를 형성하는 단계; 및 상기 발광구조체의 상부면에 MOCVD 성장법을 이용하여 산화아연계 박막 및 상기 산화아연계 박막 상에 돌출된 산화아연계 나노 막대들을 구비하는 전류 스프레딩층을 형성하는 단계를 포함하는 발광 다이오드의 제조방법
4 4
제 3 항에 있어서, 상기 전류 스프레딩층은 0
5 5
제 3 항에 있어서, 상기 전류 스프레딩층은 100 내지 1000℃의 온도에서 형성되는 발광 다이오드의 제조방법
6 6
제 3 항에 있어서, 상기 전류 스프레딩층은 1 내지 250㎛ol/min 디에틸아연, 10 내지 80000sccm 산소 및 0
7 7
제 3 항에 있어서, 열처리 하는 단계를 더 포함하는 발광 다이오드의 제조방법
8 8
제 7 항에 있어서, 상기 열처리는 50℃ 내지 1000℃의 온도로 수행하는 발광 다이오드의 제조방법
지정국 정보가 없습니다
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1 WO2010036030 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY
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1 WO2010036030 WO 세계지적재산권기구(WIPO) DOCDBFAMILY
2 WO2010036030 WO 세계지적재산권기구(WIPO) DOCDBFAMILY
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