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아연 산화물 반도체를 이용한 화합물 반도체용 오믹접촉의제조방법

  • 기술번호 : KST2015173888
  • 담당센터 : 광주기술혁신센터
  • 전화번호 : 062-360-4654
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 열적 안정성이 우수하여 고온에서도 소자성능의 저하없이 오믹접촉이 가능하며, 또한 우수한 투광성을 가지는 아연산화물 반도체를 투명오믹전극으로 함으로써 발광다이오드 및 레이저 다이오드 등의 발광소자의 광특성 효율을 월등하게 향상시키는 화합물 반도체용 오믹접촉의 제조방법에 관한 것으로, 화합물 반도체를 기판에 적층하는 단계; 화합물 반도체 층의 상부에 아연산화물층을 적층하는 단계; 상기 아연 산화물층에 정공 또는 전자공여체를 불순물로 도핑하는 단계; 및 아연 산화물 층에 도핑된 불순물의 활성화가 가능하도록 열처리하는 단계를 포함하는 화합물 반도체용 오믹접촉의 제조방법을 제공한다.
Int. CL H01L 33/42 (2014.01) H01L 33/40 (2014.01)
CPC H01L 33/0075(2013.01) H01L 33/0075(2013.01) H01L 33/0075(2013.01)
출원번호/일자 1020030081722 (2003.11.18)
출원인 광주과학기술원
등록번호/일자 10-0622998-0000 (2006.09.05)
공개번호/일자 10-2005-0047919 (2005.05.23) 문서열기
공고번호/일자 (20060918) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2003.11.18)
심사청구항수 11

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 광주과학기술원 대한민국 광주광역시 북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박성주 대한민국 광주광역시북구
2 임재홍 대한민국 광주광역시북구
3 황대규 대한민국 광주광역시북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 황이남 대한민국 서울시 송파구 법원로 ***, ****호 (문정동, 대명벨리온지식산업센터)(아시아나국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 광주과학기술원 대한민국 광주광역시 북구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2003.11.18 수리 (Accepted) 1-1-2003-0434810-74
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2004.07.27 수리 (Accepted) 4-1-2004-0031183-30
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2005.07.13 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2005.08.19 수리 (Accepted) 9-1-2005-0053338-76
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2005.10.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2005-0549857-98
6 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period		 2005.12.27 수리 (Accepted) 1-1-2005-0768044-75
7 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 2006.01.31 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2006-0074213-96
8 의견서
Written Opinion		 2006.01.31 수리 (Accepted) 1-1-2006-0074214-31
9 등록결정서
Decision to grant		 2006.06.09 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0332310-48
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.09.15 수리 (Accepted) 4-1-2011-5187089-85
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
화합물 반도체를 기판에 적층하는 단계; 화합물 반도체 층의 상부에 아연산화물층을 적층하는 단계; 상기 아연 산화물층을 정공 또는 전자공여체의 불순물로 p형으로 도핑하는 단계; 및 아연 산화물 층에 도핑된 불순물의 활성화가 가능하도록 열처리하는 단계를 포함하고, 상기 화합물 반도체층은 p형 AlxGayInzN(단, 0≤x,y,z≤1, x+y+z=1)인 것을 특징으로 하는 화합물 반도체용 오믹접촉의 제조방법
2 2
삭제
3 3
제 1항에 있어서, 화합물 반도체층은 불순물로 Be, Mg, Ca, Zn, Cd의 군에서 선택되는 적어도 1종 이상의 원소가 도핑되는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 제조방법
4 4
제 1항에 있어서, 아연 산화물층에 도핑되는 불순물은 N, P, As, Sb, Bi의 군에서 선택되는 1종 이상의 원소이거나 또는 Li, Na, K의 군에서 선택되는 1종 이상의 원소와 Al, Ga, In, Sn의 군에서 선택되는 1종 이상의 원소가 혼합된 것인 것을 특징으로 하는 제조방법
5 5
제 1항 내지 제 4항에서 선택되는 어느 한 항에 있어서, 아연산화물층의 두께는 1∼5,000nm로 함을 특징으로 하는 제조방법
6 6
제 1항 내지 제 4항에서 선택되는 어느 한 항에 있어서, 아연산화물층의 열처리과정은 100℃∼1200℃에서 수행되어짐을 특징으로 하는 제조방법
7 7
화합물 반도체를 기판에 적층하는 단계; 화합물 반도체 층의 상부에 중간삽입층을 적층하는 단계; 상기 중간 삽입층의 상부에 아연산화물층을 적층하는 단계; 상기 아연 산화물층을 정공 또는 전자공여체의 불순물로 p형으로 도핑하는 단계; 및 아연 산화물층에 도핑된 불순물의 활성화가 가능하도록 열처리하는 단계를 포함하고, 상기 화합물 반도체층은 p형 AlxGayInzN(단, 0≤x,y,z≤1, x+y+z=1)인 것을 특징으로 하는 화합물 반도체용 오믹접촉의 제조방법
8 8
삭제
9 9
제 7항에 있어서, 중간삽입층은 Ni, Co, Cu, Pd, Pt, Ru, Rh, Ir, Ta, Cr, Mn, Mo, Tc, W, Re, Fe, Sc, Ti, Sn, Ge, Sb, Al, Ag, Zn, La 계열 원소의 군에서 선택되는 적어도 1종 이상의 원소 또는 이들의 산화물을 포함함을 특징으로 하는 제조방법
10 10
제 7항에 있어서, 화합물 반도체층은 불순물로 Be, Mg, Ca, Zn, Cd의 군에서 선택되는 적어도 1종 이상의 원소가 도핑되는 단계를 더 포함함을 특징으로 하는 제조방법
11 11
제 7항에 있어서, 아연 산화물층에 도핑되는 불순물은 N, P, As, Sb, Bi의 군에서 선택되는 1종 이상의 원소이거나 또는 Li, Na, K의 군에서 선택되는 1종 이상의 원소와 Al, Ga, In, Sn의 군에서 선택되는 1종 이상의 원소가 혼합된 것인 것을 특징으로 하는 제조방법
12 12
제 7항 내지 제 11항에서 선택되는 어느 한 항에 있어서, 아연산화물층의 두께는 1∼5,000nm로 함을 특징으로 하는 제조방법
13 13
제 7항 내지 제 11항에서 선택되는 어느 한 항에 있어서, 아연산화물층의 열처리과정은 100℃∼1200℃에서 수행되어짐을 특징으로 하는 제조방법
14 13
제 7항 내지 제 11항에서 선택되는 어느 한 항에 있어서, 아연산화물층의 열처리과정은 100℃∼1200℃에서 수행되어짐을 특징으로 하는 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.