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질화물계 발광소자 및 그 제조 방법

  • 기술번호 : KST2014013706
  • 담당센터 : 광주기술혁신센터
  • 전화번호 : 062-360-4654
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 질화물계 발광소자 및 그 제조방법에 관한 것으로 n형 클래드층과 p형 클래드층 사이에 활성층을 갖는 질화물계 발광소자에서, n형 클래드층의 노출된 부분에 레늄(Re), 텅스텐(W), 몰리브덴(Mo)중 어느 하나로 형성된 n형 제1오믹컨택트층과, n형 제1오믹컨택트층 위에 타이타늄(Ti)으로 형성된 n형 제2 오믹컨택트층 및 n형 제2오믹컨택트층 위에 금(Au)으로 형성된 n형 제3 오믹컨택트층을 구비한다. 이러한 질화물계 발광소자에 의하면, n형 클래드층과의 오믹접촉 특성 및 열적 안정성이 개선되어 우수한 전류-전압 특성을 나타낼 뿐만 아니라, 와이어 본딩 효율을 높일 수 있는 장점을 제공한다.
Int. CL H01L 33/40 (2014.01)
CPC H01L 33/0075(2013.01) H01L 33/0075(2013.01) H01L 33/0075(2013.01) H01L 33/0075(2013.01) H01L 33/0075(2013.01) H01L 33/0075(2013.01)
출원번호/일자 1020040001697 (2004.01.09)
출원인 광주과학기술원
등록번호/일자 10-0574106-0000 (2006.04.19)
공개번호/일자 10-2005-0073336 (2005.07.13) 문서열기
공고번호/일자 (20060427) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호 1020060008823;
심사청구여부/일자 Y (2004.01.09)
심사청구항수 3

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 광주과학기술원 대한민국 광주광역시 북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 성태연 대한민국 광주광역시북구
2 김상호 대한민국 광주광역시북구
3 브이라자고팔레디 인도 광주광역시북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이재량 대한민국 광주광역시 광산구 하남산단*번로 ***, *층(도천동, 광주경제고용진흥원)(가온특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 에이치씨 세미테크 코퍼레이션 중국 ****** 우한 이스트 레이크 하이 테크놀러지 디벨롭먼트 존 빈후 로드 넘
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2004.01.09 수리 (Accepted) 1-1-2004-0009545-56
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2004.07.27 수리 (Accepted) 4-1-2004-0031183-30
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2005.09.13 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2005.10.19 수리 (Accepted) 9-1-2005-0069052-32
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2005.11.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2005-0601665-38
6 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 2006.01.27 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2006-0067332-56
7 의견서
Written Opinion		 2006.01.27 수리 (Accepted) 1-1-2006-0067289-80
8 특허분할출원서
Divisional Application of Patent		 2006.01.27 수리 (Accepted) 1-1-2006-0067374-63
9 등록결정서
Decision to grant		 2006.03.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0186884-96
10 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)		 2007.08.02 수리 (Accepted) 1-1-2007-0564536-77
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.09.15 수리 (Accepted) 4-1-2011-5187089-85
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
n형 클래드층과 p형 클래드층 사이에 활성층을 갖는 질화물계 발광소자에 있어서, 상기 n형 클래드층의 노출된 부분에 레늄(Re), 텅스텐(W), 몰리브덴(Mo)중 어느 하나로 형성된 n형 제1오믹컨택트층과; 상기 n형 제1오믹컨택트층 위에 타이타늄(Ti)으로 형성된 n형 제2 오믹컨택트층; 및 상기 n형 제2오믹컨택트층 위에 금(Au)으로 형성된 n형 제3 오믹컨택트층;을 구비하는 것을 특징으로 하는 질화물계 발광소자
2 2
삭제
3 3
n형 클래드층과 p형 클래드층 사이에 활성층을 갖는 질화물계 발광소자의 제조방법에 있어서, 가
4 4
삭제
5 5
제3항에 있어서, 상기 열처리단계는200℃ 내지 900℃에서 수행하는 것을 특징으로 하는 질화물계 발광소자의 제조방법
6 5
제3항에 있어서, 상기 열처리단계는200℃ 내지 900℃에서 수행하는 것을 특징으로 하는 질화물계 발광소자의 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.