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산화아연계 발광소자 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2015174763
  • 담당센터 : 광주기술혁신센터
  • 전화번호 : 062-360-4654
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 산화아연계 발광소자 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 산화 아연계 발광소자는 n형 클래드층의 노출된 부분에 아연으로 형성된 n형 제1오믹컨택트층과, n형 제1오믹컨택트층 위에 금, 백금, 은, 구리, 팔라듐 중 적어도 하나로 형성된 n형 제2 오믹컨택트층을 구비한다. 이러한 산화아연계 발광소자 및 그 제조방법에 의하면, n형 클래드층과의 오믹접촉 특성이 개선됨으로써 낮은 비접촉 저항과 우수한 전류-전압 특성 및 열적안정성을 제공하여 소자의 발광효율 및 소자 수명을 향상시킨다.
Int. CL H01L 33/40 (2014.01)
CPC H01L 33/40(2013.01) H01L 33/40(2013.01) H01L 33/40(2013.01) H01L 33/40(2013.01) H01L 33/40(2013.01)
출원번호/일자 1020050050520 (2005.06.13)
출원인 광주과학기술원
등록번호/일자 10-0589645-0000 (2006.06.07)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20060614) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2005.06.13)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 광주과학기술원 대한민국 광주광역시 북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김상호 대한민국 광주 북구
2 성태연 대한민국 광주 북구
3 황대규 대한민국 광주 북구
4 박성주 대한민국 광주 북구
5 김병천 대한민국 광주 북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이재량 대한민국 광주광역시 광산구 하남산단*번로 ***, *층(도천동, 광주경제고용진흥원)(가온특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 광주과학기술원 대한민국 광주광역시 북구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2005.06.13 수리 (Accepted) 1-1-2005-0311463-07
2 공지예외적용주장대상(신규성,출원시의특례)증명서류제출서
Submission of Document Verifying Exclusion from Being Publically Known (Novelty, Special Provisions for Application)		 2005.06.17 수리 (Accepted) 1-1-2005-5076159-68
3 등록결정서
Decision to grant		 2006.05.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0304484-72
4 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)		 2007.08.03 수리 (Accepted) 1-1-2007-0565941-23
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.09.15 수리 (Accepted) 4-1-2011-5187089-85
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
n형 클래드층과 p형 클래드층 사이에 주입된 전류에 의해 발광하는 산화아연계 발광소자에 있어서,상기 n형 클래드층의 노출된 부분에 아연(Zn)으로 형성된 n형 제1오믹컨택트층과;상기 n형 제1오믹컨택트층 위에 금(Au), 백금(Pt), 은(Ag), 구리(Cu), 팔라듐(Pd) 중 적어도 하나로 형성된 n형 제2 오믹컨택트층;을 구비하는 것을 특징으로 하는 산화아연계 발광소자
2 2
제1항에 있어서, 상기 n형 제1 오믹컨택트층은 0
3 3
제1항에 있어서, 상기 n형 제2 오믹컨택트층은 10nm 내지 1000nm의 두께로 형성된 것을 특징으로 하는 산화아연계 발광소자
4 4
n형 클래드층과 p형 클래드층 사이에 주입된 전류에 의해 발광하는 산화아연계 발광소자의 제조방법에 있어서,가
5 5
제4항에 있어서,다
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.