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산화아연계 발광소자 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2015173985
  • 담당센터 : 광주기술혁신센터
  • 전화번호 : 062-360-4654
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 n형 클래드층과 p형 클래드층 사이에 주입된 전류에 의해 발광하는 산화아연계 발광소자에 관한 것으로서, 백금과 금을 포함하는 제1군 물질 중 선택된 어느 하나의 물질 또는 이들 간의 합금으로 p형 클래드층 위에 형성된 제1오믹 컨택트층과, 제1오믹컨택트층 위에 인듐산화물, 주석 산화물, 구리 산화물을 포함하는 제2군 물질 중 선택된 어느 하나의 물질 또는 제2군 물질에 첨가원소가 첨가된 화합물로 형성된 제2오믹컨택트층을 구비한다. 이러한 산화아연계 발광소자 및 그 제조방법에 의하면, p형 클래드층과의 오믹접촉 특성이 개선되어 낮은 비접촉 저항과 우수한 전류-전압 특성에 의해 소자의 발광효율 및 소자 수명을 향샹시킬 수 있는 장점을 제공한다.
Int. CL H01L 33/40 (2014.01)
CPC H01L 33/40(2013.01) H01L 33/40(2013.01) H01L 33/40(2013.01) H01L 33/40(2013.01) H01L 33/40(2013.01)
출원번호/일자 1020050118328 (2005.12.06)
출원인 광주과학기술원
등록번호/일자 10-0716784-0000 (2007.05.03)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20070514) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2005.12.06)
심사청구항수 9

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 광주과학기술원 대한민국 광주광역시 북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김상호 대한민국 광주광역시 북구
2 성태연 대한민국 서울 서초구
3 정성욱 대한민국 광주광역시 북구
4 김병천 대한민국 경기 안성시

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이재량 대한민국 광주광역시 광산구 하남산단*번로 ***, *층(도천동, 광주경제고용진흥원)(가온특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 광주과학기술원 대한민국 광주광역시 북구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2005.12.06 수리 (Accepted) 1-1-2005-0712624-01
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2006.10.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0640387-33
3 의견서
Written Opinion		 2006.12.28 수리 (Accepted) 1-1-2006-0978252-14
4 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 2006.12.28 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2006-0978305-46
5 등록결정서
Decision to grant		 2007.04.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0213933-04
6 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)		 2007.08.02 수리 (Accepted) 1-1-2007-0564529-57
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.09.15 수리 (Accepted) 4-1-2011-5187089-85
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번호 청구항
1 1
n형 클래드층과 p형 클래드층 사이에 주입된 전류에 의해 발광하는 산화아연계 발광소자에 있어서,백금과 금 중 선택된 어느 하나의 물질 또는 이들 간의 합금으로 상기 p형 클래드층 위에 형성된 제1오믹 컨택트층과;상기 제1오믹컨택트층 위에 인듐산화물, 주석 산화물, 구리 산화물 중 선택된 어느 하나의 물질 또는 상기 인듐산화물, 주석 산화물, 구리 산화물 중 선택된 어느 하나의 물질에 첨가원소가 첨가된 화합물로 형성된 제2오믹컨택트층;을 구비하는 것을 특징으로 하는 산화아연계 발광소자
2 2
제1항에 있어서, 상기 제2오믹컨택트층은Sn, Fe, Cr, Co, Rh, La, Ag, Ni, Zn, Pd, Mg, Li, Nd, Eu, V 원소 또는 이 원소의 산화물 중 적어도 하나와 상기 인듐 산화물을 포함하는 것을 특징으로 하는 산화아연계 발광소자
3 3
제1항에 있어서, 상기 제2오믹컨택트층은Fe, Cr, Co, Rh, La, Al, Ga, In, Sc, Ni, Zn, Pd, Mg, Li, V 원소 또는 이 원소의 산화물 중 적어도 하나와 상기 주석 산화물을 포함하는 것을 특징으로 하는 산화아연계 발광소자
4 4
제1항에 있어서, 상기 제2오믹컨택트층은In, Sn, Mg, Ag, Zn, Sc, Hf, Zr, Ta, Co, Rh, La, Al, Ga, Ni, Pd, Li, V 원소 또는 이 원소의 산화물 중 적어도 하나와 상기 구리 산화물을 포함하는 것을 특징으로 하는 산화아연계 발광소자
5 5
n형 클래드층과 p형 클래드층 사이에 주입된 전류에 의해 발광하는 산화아연계 발광소자의 제조방법에 있어서,상기 n형 클래드층과 상기 p형 클래드층이 상호 대향되게 적층된 발광칩의 상기 p형 클래드층 위에 백금과 금 중 선택된 어느 하나의 물질 또는 이들 간의 합금으로 제1오믹컨택트층을 형성하는 단계와;상기 제1오믹컨택트층 위에 인듐산화물, 주석 산화물, 구리 산화물 중 선택된 어느 하나의 물질 또는 상기 인듐산화물, 주석 산화물, 구리 산화물 중 선택된 어느 하나의 물질에 첨가원소가 첨가된 화합물로 제2오믹컨택트층을 형성하는 단계; 및상기 제2오믹컨택트층 형성단계 이후에 설정된 온도로 열처리하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 산화아연계 발광소자의 제조방법
6 6
제5항에 있어서, 상기 제2오믹컨택트층은Sn, Fe, Cr, Co, Rh, La, Ag, Ni, Zn, Pd, Mg, Li, Nd, Eu, V 원소 또는 이 원소의 산화물 중 적어도 하나가 상기 인듐 산화물에 함유되게 형성된 것을 특징으로 하는 산화아연계 발광소자의 제조방법
7 7
제5항에 있어서, 상기 제2오믹컨택트층은Fe, Cr, Co, Rh, La, Al, Ga, In, Sc, Ni, Zn, Pd, Mg, Li, V 원소 또는 이 원소의 산화물 중 적어도 하나가 상기 주석산화물에 함유되게 형성된 것을 특징으로 하는 산화아연계 발광소자의 제조방법
8 8
제5항에 있어서, 상기 제2믹컨택트층은In, Sn, Mg, Ag, Zn, Sc, Hf, Zr, Ta, Co, Rh, La, Al, Ga, Ni, Pd, Li, V 원소 또는 이 원소의 산화물 중 적어도 하나가 상기 구리산화물에 함유되게 형성된 것을 특징으로 하는 산화아연계 발광소자의 제조방법
9 9
제5항에 있어서, 상기 열처리단계는200℃ 내지 800℃에서 수행하는 것을 특징으로 하는 산화아연계 발광소자의 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.