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고품위 발광다이오드 및 레이저 다이오드의 구현을 위한질화 갈륨을 포함하는 Ｐ형 반도체의 오믹접촉형성을 위한투명박막전극

  • 기술번호 : KST2015173874
  • 담당센터 : 광주기술혁신센터
  • 전화번호 : 062-360-4654
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 고품위 발광다이오드 및 레이저 다이오드의 구현을 위한 질소, 갈륨을 포함하는 p형 반도체의 오믹접촉형성을 위한 투명박막전극에 관한 것으로, 제 1측면에 의한 본 발명의 투명박막전극은 구리계 합금 또는 고용체층과 상기 합금 또는 고용체층의 상부에 형성되는 금속캡핑층을 포함한다. 또한, 본 발명의 제 2측면에 의한 투명박막전극은 구리계 합금 또는 고용체층과 상기 합금 또는 고용체층의 상부에 형성되는 중간삽입층 및 상기 중간삽입층의 상부에 형성되는 금속캡핑층을 포함한다.
Int. CL H01L 33/42 (2014.01) H01L 33/40 (2014.01)
CPC
출원번호/일자 1020030058529 (2003.08.23)
출원인 삼성전자주식회사, 광주과학기술원
등록번호/일자 10-0561841-0000 (2006.03.10)
공개번호/일자 10-2005-0020513 (2005.03.04) 문서열기
공고번호/일자 (20060316) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2003.08.23)
심사청구항수 8

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 삼성전자주식회사 대한민국 경기도 수원시 영통구
2 광주과학기술원 대한민국 광주광역시 북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 송준오 대한민국 광주광역시북구
2 임동석 대한민국 광주광역시북구
3 성태연 대한민국 광주광역시북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 리앤목특허법인 대한민국 서울 강남구 언주로 **길 **, *층, **층, **층, **층(도곡동, 대림아크로텔)
2 황이남 대한민국 서울시 송파구 법원로 ***, ****호 (문정동, 대명벨리온지식산업센터)(아시아나국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 광주과학기술원 대한민국 광주광역시 북구
2 삼성전자주식회사 경기도 수원시 영통구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2003.08.23 수리 (Accepted) 1-1-2003-0311992-68
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2003.11.19 수리 (Accepted) 4-1-2003-5076055-97
3 출원인변경신고서
Applicant change Notification		 2004.01.27 수리 (Accepted) 1-1-2004-5012431-60
4 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 2004.01.27 수리 (Accepted) 1-1-2004-5012479-40
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2004.07.27 수리 (Accepted) 4-1-2004-0031183-30
6 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2005.05.13 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
7 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2005.06.16 수리 (Accepted) 9-1-2005-0036171-05
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2005.07.15 수리 (Accepted) 4-1-2005-5072608-11
9 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2005.07.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2005-0351949-57
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2005.08.02 수리 (Accepted) 4-1-2005-5079334-14
11 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 2005.09.23 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2005-0532284-03
12 의견서
Written Opinion		 2005.09.23 수리 (Accepted) 1-1-2005-0532283-57
13 등록결정서
Decision to grant		 2006.01.05 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0007311-59
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.09.15 수리 (Accepted) 4-1-2011-5187089-85
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.06.21 수리 (Accepted) 4-1-2012-5132663-40
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
적어도 질소, 갈륨을 포함하는 p형 반도체 발광다이오드(레이저다이오드 포함)용 투명박막전극에 있어서, 상기 투명박막전극은 구리계 합금(고용체 포함)층과 상기 합금층의 상부에 형성되는 금속캡핑층을 포함하고,상기 금속캡핑층에 포함되는 금속은 Ru, Ta, Cr, Mn, Mo, Tc, W, Re, Fe, Sc, Ti, Sn, Ge, Sb, Zn, La 계열 원소의 군에서 선택되는 적어도 1종이상의 것임을 특징으로 하는 투명박막전극
2 2
제 1항에 있어서, 구리계 합금에 포함되는 금속은 Ni, Co, Pd, Pt, Ru, Rh, Ir, Ta, Cr, Mn, Mo, Tc, W, Re, Fe, Sc, Ti, Sn, Ge, Sb, Ag, Al, Zn, La 계열 원소의 군에서 선택되는 적어도 1종이상의 것임을 특징으로 하는 투명박막전극
3 3
삭제
4 4
적어도 질소, 갈륨을 포함하는 p형 반도체 발광다이오드(레이저다이오드 포함)용 투명박막전극에 있어서, 상기 투명박막전극은 구리계 합금(고용체 포함)층과 상기 합금층의 상부에 형성되는 중간삽입층 및 상기 중간금속층의 상부에 형성되는 금속캡핑층을 포함하고,상기 금속캡핑층에 포함되는 금속은 Ru, Ta, Cr, Mn, Mo, Tc, W, Re, Fe, Sc, Ti, Sn, Ge, Sb, Zn, La 계열 원소의 군에서 선택되는 적어도 1종이상의 것임을 특징으로 하는 투명박막전극
5 5
제 4항에 있어서, 중간삽입층에 포함되는 금속은 Ni, Co, Cu, Pd, Pt, Ru, Rh, Ir, Ta, Cr, Mn, Mo, Tc, W, Re, Fe, Sc, Ti, Sn, Ge, Sb, Ag, Al, Zn, La 계열 원소의 군에서 선택되는 적어도 1종이상의 것임을 특징으로 하는 투명박막전극
6 6
제 4항에 있어서, 구리계 합금에 포함되는 금속은 Ni, Co, Pd, Pt, Ru, Rh, Ir, Ta, Cr, Mn, Mo, Tc, W, Re, Fe, Sc, Ti, Sn, Ge, Sb, Ag, Al, Zn, La 계열 원소의 군에서 선택되는 적어도 1종이상의 것임을 특징으로 하는 투명박막전극
7 7
삭제
8 8
제 1항 또는 제 4항에 있어서,구리계 합금층을 구성하는 구리이외의 용질금속은 0
9 9
제 1항 또는 제 4항에 있어서, 구리계 합금층, 캡핑층 및 중간삽입층의 두께는 각각 0
10 10
제 1항 또는 제 4항에 있어서, p형 반도체는 p형 GaN 또는 p형 AlxInyGazN(0<x+y+z≤1)임을 특징으로 하는 투명박막전극
11 10
제 1항 또는 제 4항에 있어서, p형 반도체는 p형 GaN 또는 p형 AlxInyGazN(0<x+y+z≤1)임을 특징으로 하는 투명박막전극
지정국 정보가 없습니다
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 JP17072594 JP 일본 FAMILY
2 US20050040755 US 미국 FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 JP2005072594 JP 일본 DOCDBFAMILY
2 US2005040755 US 미국 DOCDBFAMILY
국가 R&D 정보가 없습니다.