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전극층, 이를 구비하는 발광소자 및 전극층 제조 방법

  • 기술번호 : KST2014009761
  • 담당센터 : 광주기술혁신센터
  • 전화번호 : 062-360-4654
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 전극층, 이를 구비하는 발광소자 및 그 제조방법이 개시되어 있다. 여기서, 본 발명은 p형 화합물 반도체 상에 제1 및 제2 전극층이 순차적으로 적층되어 형성된 전극층에 있어서, 상기 제1 전극층은 인듐산화물(In2O3)에 첨가원소가 첨가되어 형성된 것을 특징으로 하는 전극층을 제공하고, 이를 구비하는 발광소자, 예컨대 LED, LD를 제공하며, 상기 전극층의 제조방법을 제공한다. 상기 첨가원소는 Mg, Ag, Zn, Sc, Hf, Zr, Te, Se, Ta, W, Nb, Cu, Si, Ni, Co, Mo, Cr, Mn, Hg, Pr, La 계열의 원소 중 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 한다.
Int. CL H01L 33/40 (2014.01)
CPC H01L 33/40(2013.01) H01L 33/40(2013.01) H01L 33/40(2013.01) H01L 33/40(2013.01) H01L 33/40(2013.01)
출원번호/일자 1020040068295 (2004.08.28)
출원인 삼성전기주식회사, 광주과학기술원
등록번호/일자 10-0764458-0000 (2007.09.28)
공개번호/일자 10-2005-0079209 (2005.08.09) 문서열기
공고번호/일자 (20071005) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보 대한민국  |   1020040007233   |   2004.02.04
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2006.02.17)
심사청구항수 24

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 삼성전기주식회사 대한민국 경기도 수원시 영통구
2 광주과학기술원 대한민국 광주광역시 북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 곽준섭 대한민국 경기도 화성군
2 남옥현 대한민국 서울특별시 강남구
3 성태연 대한민국 광주광역시 북구
4 송준오 대한민국 광주광역시 북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인씨엔에스 대한민국 서울 강남구 언주로 **길 **, 대림아크로텔 *층(도곡동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 광주과학기술원 대한민국 광주광역시 북구
2 삼성전자주식회사 경기도 수원시 영통구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
2004.08.28 수리 (Accepted) 1-1-2004-0388827-60
2 서지사항 보정서
Amendment to Bibliographic items
2004.09.06 수리 (Accepted) 1-1-2004-0403550-16
3 출원인변경신고서
Applicant change Notification
2004.12.01 수리 (Accepted) 1-1-2004-5187602-29
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2005.02.07 수리 (Accepted) 4-1-2005-0004954-37
5 대리인변경신고서
Agent change Notification
2005.06.13 수리 (Accepted) 1-1-2005-0311456-87
6 출원심사청구서
Request for Examination
2006.02.17 수리 (Accepted) 1-1-2006-0117855-29
7 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2006.11.10 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
8 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2006.12.05 수리 (Accepted) 9-1-2006-0080817-02
9 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2007.03.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0166445-32
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2007.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2007-5062967-87
11 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period
2007.05.23 수리 (Accepted) 1-1-2007-0378748-86
12 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.
2007.06.28 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2007-0473582-55
13 의견서
Written Opinion
2007.06.28 수리 (Accepted) 1-1-2007-0473579-17
14 등록결정서
Decision to grant
2007.09.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0515899-33
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2011.09.15 수리 (Accepted) 4-1-2011-5187089-85
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5050935-32
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.09.25 수리 (Accepted) 4-1-2019-5200786-38
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
제 1 및 제 2 전극층이 순차적으로 적층되어 형성된 전극층에 있어서,상기 제 1 전극층은 인듐산화물에 첨가원소인 Mg 및 Cu 중 하나 또는 그 이상이 첨가되어 형성된 것을 특징으로 하는 전극층
2 2
삭제
3 3
제 1 항에 있어서,상기 첨가원소의 첨가비는 0
4 4
제 1 항에 있어서, 상기 제 1 전극층의 두께는 0
5 5
제 1 항에 있어서, 상기 제 2 전극층은 금속층인 것을 특징으로 하는 전극층
6 6
제 1 항에 있어서, 상기 제 2 전극층은 도전성을 갖는 투명한 산화물층인 것을 특징으로 하는 전극층
7 7
제 5 항에 있어서, 상기 금속층은 골드(Au), 팔라듐(Pd), 백금(Pt) 및 루테늄(Ru)으로 이루어지는 그룹에서 선택된 어느 하나로 형성된 것을 특징으로 하는 전극층
8 8
제 6 항에 있어서, 상기 산화물층은 ITO, ZITO, ZIO, GIO, ZTO, FTO, AZO, GZO, In4Sn3O12 및 Zn1-xMgxO(0≤x≤1)으로 이루어지는 그룹에서 선택된 어느 하나로 형성된 것을 특징으로 하는 전극층
9 9
n형 및 p형 전극층사이에 적어도 n형 화합물 반도체층, 활성층 및 p형 화합물 반도체층을 구비하는 발광소자에 있어서,상기 p형 전극층은 제 1 및 제 2 전극층이 순차적으로 적층되어 형성된 것이되,상기 제 1 전극층은 인듐산화물에 첨가원소인 Mg 및 Cu 중 하나 또는 그 이상이 첨가되어 형성된 것을 특징으로 하는 발광소자
10 10
삭제
11 11
제 9 항에 있어서,상기 첨가원소의 첨가비는 0
12 12
제 9 항에 있어서, 상기 제 1 전극층의 두께는 0
13 13
제 9 항에 있어서, 상기 제 2 전극층은 금속층인 것을 특징으로 하는 발광소자
14 14
제 9 항에 있어서, 상기 제 2 전극층은 도전성을 갖는 투명한 산화물층인 것을 특징으로 하는 발광소자
15 15
제 13 항에 있어서, 상기 금속층은 골드(Au), 팔라듐(Pd), 백금(Pt) 및 루테늄(Ru)으로 이루어지는 그룹에서 선택된 어느 하나로 형성된 것을 특징으로 하는 발광소자
16 16
제 14 항에 있어서, 상기 산화물층은 ITO, ZITO, ZIO, GIO, ZTO, FTO, AZO, GZO, In4Sn3O12 및 Zn1-xMgxO(0≤x≤1)으로 이루어지는 그룹에서 선택된 어느 하나로 형성된 것을 특징으로 하는 발광소자
17 17
기판 상에 제 1 전극층을 형성하는 단계;상기 제 1 전극층 상에 제 2 전극층을 형성하는 단계; 및 상기 제 2 전극층이 형성된 결과물을 어닐링(annealing)하는 단계를 포함하되,상기 제 1 전극층은 인듐산화물에 첨가원소인 Mg 및 Cu 중 하나 또는 그 이상을 첨가하여 형성하는 것을 특징으로 하는 전극층 형성방법
18 18
삭제
19 19
제 17 항에 있어서,상기 첨가원소의 첨가비는 0
20 20
제 17 항에 있어서, 상기 제 1 전극층은 0
21 21
제 17 항에 있어서, 상기 제 2 전극층은 금속으로 형성되는 것을 특징으로 하는 전극층 형성방법
22 22
제 17 항에 있어서, 상기 제 2 전극층은 도전성을 갖는 투명한 산화물로 형성되는 것을 특징으로 하는 전극층 형성방법
23 23
제 21 항에 있어서, 상기 금속층은 골드(Au), 팔라듐(Pd), 백금(Pt) 및 루테늄(Ru)으로 이루어지는 그룹에서 선택된 어느 하나로 형성되는 것을 특징으로 하는 전극층 형성방법
24 24
제 22 항에 있어서, 상기 산화물층은 ITO, ZITO, ZIO, GIO, ZTO, FTO, AZO, GZO, In4Sn3O12 및 Zn1-xMgxO(0≤x≤1)으로 이루어지는 그룹에서 선택된 어느 하나로 형성되는 것을 특징으로 하는 전극층 형성방법
25 25
제 17 항에 있어서, 상기 결과물은 반응기 내에 질소, 아르곤, 헬륨, 산소, 수소 및 공기로 이루어지는 그룹에서 선택된 적어도 어느 하나를 포함하는 기체 분위기에서 어닐링되는 것을 특징으로 하는 전극층 형성방법
26 26
제 17 항에 있어서, 상기 결과물은 200℃ 내지 700℃에서 10초 내지 2시간 동안 어닐링되는 것을 특징으로 하는 전극층 형성방법
27 27
제 17 항에 있어서,상기 제 1 전극층 및 제 2 전극층은 전자빔 증착기(e-beam evaporator) 및 열에 의한 증착기(thermal evaporator) 중 어느 하나를 이용하여 형성되는 것을 특징으로 하는 전극층 형성방법
28 27
제 17 항에 있어서,상기 제 1 전극층 및 제 2 전극층은 전자빔 증착기(e-beam evaporator) 및 열에 의한 증착기(thermal evaporator) 중 어느 하나를 이용하여 형성되는 것을 특징으로 하는 전극층 형성방법
지정국 정보가 없습니다
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 EP01562236 EP 유럽특허청(EPO) FAMILY
2 EP01562236 EP 유럽특허청(EPO) FAMILY
3 JP17223326 JP 일본 FAMILY
4 US20050167681 US 미국 FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 CN1652362 CN 중국 DOCDBFAMILY
2 JP2005223326 JP 일본 DOCDBFAMILY
3 US2005167681 US 미국 DOCDBFAMILY
국가 R&D 정보가 없습니다.