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고성능의 질화갈륨계 광소자 구현을 위한 니켈계 고용체를 이용한 오믹 접촉 형성을 위한 금속박막 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2015174825
  • 담당센터 : 광주기술혁신센터
  • 전화번호 : 062-360-4654
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 질화갈륨(GaN) 반도체를 이용한 청·녹색 및 자외선을 내는 단파장 발광 다이오드(light emitting diode: LED)와 레이저 다이오드(laser diode: LD) 제작의 핵심기술 중 하나인 양질의 오믹 접촉(Ohmic Contact) 형성에 관한 것이다. 본 발명은 p형 질화갈륨 반도체 상부에 니켈계 고용체(Ni-based Solid Solution)를 박막 증착시킴으로써 질화갈륨 표면 부위에 실효 캐리어 농도를 증가시켜 우수한 전류-전압특성과 낮은 비접촉 저항 값을 갖으면서 동시에 단파장 영역에서 높은 투과도 (transmittance)를 지닌 고품위 오믹 접촉 시스템을 구현하였다. 발광다이오드, 레이저 다이오드, 오믹접촉, 질화갈륨
Int. CL H01L 33/42 (2014.01) H01L 33/40 (2014.01)
CPC
출원번호/일자 1020030029073 (2003.05.07)
출원인 삼성전자주식회사, 광주과학기술원
등록번호/일자 10-0612832-0000 (2006.08.08)
공개번호/일자 10-2004-0096207 (2004.11.16) 문서열기
공고번호/일자 (20060818) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2003.05.07)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 삼성전자주식회사 대한민국 경기도 수원시 영통구
2 광주과학기술원 대한민국 광주광역시 북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 송준오 대한민국 광주광역시북구
2 임동석 대한민국 광주광역시북구
3 성태연 대한민국 광주광역시북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 리앤목특허법인 대한민국 서울 강남구 언주로 **길 **, *층, **층, **층, **층(도곡동, 대림아크로텔)
2 황이남 대한민국 서울시 송파구 법원로 ***, ****호 (문정동, 대명벨리온지식산업센터)(아시아나국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 광주과학기술원 대한민국 광주광역시 북구
2 삼성전자주식회사 경기도 수원시 영통구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2003.05.07 수리 (Accepted) 1-1-2003-0163704-53
2 출원인변경신고서
Applicant change Notification		 2003.11.04 수리 (Accepted) 1-1-2003-5211209-63
3 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 2003.11.04 수리 (Accepted) 1-1-2003-5211191-29
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2003.11.19 수리 (Accepted) 4-1-2003-5076055-97
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2003.12.02 수리 (Accepted) 4-1-2003-5079986-93
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2004.07.27 수리 (Accepted) 4-1-2004-0031183-30
7 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2005.01.12 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
8 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2005.02.15 수리 (Accepted) 9-1-2005-0008141-34
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2005.07.15 수리 (Accepted) 4-1-2005-5072608-11
10 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2005.07.15 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2005-0336295-09
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2005.08.02 수리 (Accepted) 4-1-2005-5079334-14
12 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 2005.09.15 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2005-0516540-11
13 의견서
Written Opinion		 2005.09.15 수리 (Accepted) 1-1-2005-0516539-75
14 최후의견제출통지서
Notification of reason for final refusal		 2006.01.05 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0007301-03
15 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 2006.03.06 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2006-0158537-10
16 의견서
Written Opinion		 2006.03.06 수리 (Accepted) 1-1-2006-0158536-75
17 등록결정서
Decision to grant		 2006.06.14 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0337451-38
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.09.15 수리 (Accepted) 4-1-2011-5187089-85
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.06.21 수리 (Accepted) 4-1-2012-5132663-40
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
p형 질화갈륨 상부에 적층되는 니켈계 고용체(Ni-based Solid Solution)를 포함한 고용체 전극층; 및상기 고용체 전극층 상부에 적층되며, Pd, Pt, Ru, 투명전도성 산화물(TCOs) 중 적어도 1종 이상을 포함하는 캡핑층;을 포함하며,상기 니켈계 고용체(Ni-based Solid Solution; Ni-X)는 i) 니켈(Ni)을 모체로 하고, X원소로는 Mg, Be, Ca, Zn, S, Se, Te의 군에서 선택되는 1종을 포함하거나 또는 ii) 니켈을 모체로 하고, X원소로는 안티모니(Sb), 갈륨과 저온의 온도 범위내에서(≤~700℃) 화합물을 형성할 수 있는 원소중 1종 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 p형 질화갈륨 반도체의 오믹 접촉 형성을 위한 금속박막
2 2
삭제
3 3
삭제
4 4
제 1항에 있어서, 니켈계 고용체(Ni-based Solid Solution; Ni-X)를 구성하는 X원소의 첨가비는 1 ~ 49 at
5 5
제 1항에 있어서, 고용체 전극층의 두께는 1~10,000Å; 및 캡핑층의 두께는 1~50,000Å으로 형성됨을 특징으로 하는 p형 질화갈륨 반도체의 오믹 접촉 형성을 위한 금속박막
6 6
p형 질화갈륨 상부에 적층되며 니켈계 고용체(Ni-based Solid Solution)로 구성된 고용체 전극층과;상기 고용체 전극층 상부에 적층되며 Au, Pd, Pt, 및 Ru군에서 선택되는 1종을 포함하는 제 1금속 전극층 또는 투명 전도성 산화물(TCos)층과;상기 제 1금속 전극층 또는 투명 전도성 산화물(TCos)층 상부에 적층되며 Al, Ag, Rh군에서 선택되는 1종을 포함하는 제 2금속 전극층을 포함하며,상기 니켈계 고용체(Ni-based Solid Solution; Ni-X)는i) 니켈(Ni)을 모체로 하고, X원소로는 Mg, Be, Ca, Zn, S, Se, Te의 군에서 선택되는 1종을 포함하거나 또는 ii) 니켈을 모체로 하고, X원소로는 안티모니(Sb), 갈륨과 저온의 온도 범위내에서(≤~700℃) 화합물을 형성할 수 있는 원소중 1종 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 p형 질화갈륨 반도체의 오믹 접촉 형성을 위한 금속박막
7 7
삭제
8 8
제 6항에 있어서, 고용체 전극층은 1~10,000 Å; 제 1금속 전극층은 1~50,000Å;및 제 2금속 전극층의 두께는 1~50,000Å로 형성됨을 특징으로 하는 p형 질화갈륨 반도체의 오믹 접촉 형성을 위한 금속박막
9 9
p형 질화갈륨 상부에 제1항, 제4항, 제5항, 제6항 및 제8항중 어느 한 항의 금속 박막을 제조하는 방법에 있어서, 고용체를 증착하기 전에 질화갈륨 반도체위의 탄소와 산소층을 세척하여 불순물을 제거하는 단계;전자선 금속 증착기(e-beam evaporator), 스퍼터링(sputtering), 및 펄스 레이저 증착기(PLD) 중 어느 하나를 이용하여 2 x 10-6 ~ 5 x 10-8 Torr 진공 하에서 증착시키는 단계;상기 증착후 250 ~ 800℃의 온도로 공기, 산소 또는 질소 분위기 하에서 30초 ~ 1시간 열처리하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 오믹 접촉 형성을 이용한 발광 다이오드용 및 레이저 다이오드용 금속 박막의 제조방법
10 9
p형 질화갈륨 상부에 제1항, 제4항, 제5항, 제6항 및 제8항중 어느 한 항의 금속 박막을 제조하는 방법에 있어서, 고용체를 증착하기 전에 질화갈륨 반도체위의 탄소와 산소층을 세척하여 불순물을 제거하는 단계;전자선 금속 증착기(e-beam evaporator), 스퍼터링(sputtering), 및 펄스 레이저 증착기(PLD) 중 어느 하나를 이용하여 2 x 10-6 ~ 5 x 10-8 Torr 진공 하에서 증착시키는 단계;상기 증착후 250 ~ 800℃의 온도로 공기, 산소 또는 질소 분위기 하에서 30초 ~ 1시간 열처리하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 오믹 접촉 형성을 이용한 발광 다이오드용 및 레이저 다이오드용 금속 박막의 제조방법
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 EP01475845 EP 유럽특허청(EPO) FAMILY
2 EP01475845 EP 유럽특허청(EPO) FAMILY
3 JP04803968 JP 일본 FAMILY
4 JP05164291 JP 일본 FAMILY
5 JP16336021 JP 일본 FAMILY
6 JP23199319 JP 일본 FAMILY
7 US06989598 US 미국 FAMILY
8 US07550374 US 미국 FAMILY
9 US20040222524 US 미국 FAMILY
10 US20060102920 US 미국 FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 CN100517774 CN 중국 DOCDBFAMILY
2 CN1622348 CN 중국 DOCDBFAMILY
3 EP1475845 EP 유럽특허청(EPO) DOCDBFAMILY
4 EP1475845 EP 유럽특허청(EPO) DOCDBFAMILY
5 JP2004336021 JP 일본 DOCDBFAMILY
6 JP2011199319 JP 일본 DOCDBFAMILY
7 JP4803968 JP 일본 DOCDBFAMILY
8 JP5164291 JP 일본 DOCDBFAMILY
9 US2004222524 US 미국 DOCDBFAMILY
10 US2006102920 US 미국 DOCDBFAMILY
11 US6989598 US 미국 DOCDBFAMILY
12 US7550374 US 미국 DOCDBFAMILY
국가 R&D 정보가 없습니다.