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플립칩 구조 Ⅲ-질화물계 반도체 발광소자

  • 기술번호 : KST2015173947
  • 담당센터 : 광주기술혁신센터
  • 전화번호 : 062-360-4654
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 기판 상에 n-AlxGayInzN으로 이루어지는 하부접촉층, AlxGayInzN으로 이루어지는 발광활성층, p-AlxGayInzN으로 이루어지는 상부접촉층, 및 반사전극층 순으로 적층되어 상기 발광활성층에서 나오는 빛이 상기 반사전극층에 의해 상기 기판 쪽으로 반사되어 빛이 상기 기판을 통해 외부로 방출되는 플립칩 구조 Ⅲ-질화물계 반도체 발광소자로서, 상기 반사전극이 은에 알루미늄, 금, 로듐, 구리, 티타늄, 크롬, 니켈, 및 팔라듐으로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 어느 하나가 첨가된 은합금으로 이루어지는 것을 특징으로 한다. 상기 상부접촉층과 반사전극층 사이에 투명전극층이 개재될 수도 있다. 본 발명에 의하면, 합금형태의 반사전극을 사용함으로써 열적 안정성과 전기적 특성의 향상을 도모할 수 있으며, 또한 반사전극과 p-GaN으로 이루어진 상부접촉층의 결합력이 좋기 때문에 투명전극층 없이 상부접촉층 상에 바로 반사전극층을 형성할 수 있게 되어 투명전극에 의한 광흡수가 줄어들어 외부발광효율이 증대된다. 투명전극층이 필요치 않으므로 제조공정의 단순화와 비용절감의 효과도 생긴다. GaN, 발광다이오드, 반사전극, 은, 알루미늄, 투명전극, 플립칩
Int. CL H01L 33/40 (2014.01)
CPC H01L 33/405(2013.01) H01L 33/405(2013.01) H01L 33/405(2013.01) H01L 33/405(2013.01)
출원번호/일자 1020050014199 (2005.02.21)
출원인 광주과학기술원
등록번호/일자 10-0621871-0000 (2006.09.01)
공개번호/일자 10-2006-0093442 (2006.08.25) 문서열기
공고번호/일자 (20060919) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2005.02.21)
심사청구항수 4

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 광주과학기술원 대한민국 광주광역시 북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김자연 대한민국 광주 북구
2 박성주 대한민국 광주 북구
3 나석인 대한민국 광주광역시 북구
4 하가영 대한민국 광주 북구
5 한대섭 대한민국 광주광역시 북구
6 권민기 대한민국 광주 북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 허진석 대한민국 서울특별시 강남구 강남대로***, **,**층(역삼동, 동희빌딩)(특허법인아주김장리)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 삼성전자주식회사 경기도 수원시 영통구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2005.02.21 수리 (Accepted) 1-1-2005-0090901-20
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2006.04.17 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2006.05.16 수리 (Accepted) 9-1-2006-0033482-19
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2006.05.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0289263-91
5 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 2006.07.13 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2006-0501258-34
6 의견서
Written Opinion		 2006.07.13 수리 (Accepted) 1-1-2006-0501249-23
7 등록결정서
Decision to grant		 2006.08.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0500982-40
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.09.15 수리 (Accepted) 4-1-2011-5187089-85
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판 상에 n-AlxGayInzN(O≤x,y,z≤1, x+y+z=1)으로 이루어지는 하부접촉층, AlxGayInzN(O≤x,y,z≤1, x+y+z=1)으로 이루어지는 발광활성층, p-AlxGayInzN(O≤x,y,z≤1, x+y+z=1)으로 이루어지는 상부접촉층, 및 반사전극층 순으로 적층되어 상기 발광활성층에서 나오는 빛이 상기 반사전극층에 의해 상기 기판 쪽으로 반사되어 빛이 상기 기판을 통해 외부로 방출되는 플립칩 구조 Ⅲ-질화물계 반도체 발광소자에 있어서, 상기 반사전극은 은에 알루미늄, 금, 구리, 티타늄, 크롬, 니켈로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 어느 하나가 첨가된 은합금으로 이루어지고,상기 상부접촉층 상에 상기 은합금을 증착한 후 열처리함으로써 상기 반사전극의 열적 안정성을 향상시켜 반사율이 증가하는 것을 특징으로 하는 플립칩 구조 Ⅲ-질화물계 반도체 발광소자
2 2
제1항에 있어서, 상기 반사전극층의 두께가 10~50000Å 인 것을 특징으로 하는 플립칩 구조 Ⅲ-질화물계 반도체 발광소자
3 3
제1항에 있어서, 상기 상부접촉층과 반사전극층 사이에 투명전극층이 개재되는 것을 특징으로 하는 플립칩 구조 Ⅲ-질화물계 반도체 발광소자
4 4
제3에 있어서, 상기 투명전극층이 백금, 니켈, 금, 팔라디움, 및 금속산화물로 이루어진 군으로부터 선택된 어느 하나로 이루어지는 것을 특징으로 하는 플립칩 구조 Ⅲ-질화물계 반도체 발광소자
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.