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1
기판, 상기 기판 상에 형성된 n형 GaN 계 화합물 반도체층, 상기 n형 GaN 계 화합물 반도체층의 제1 영역 상에 순차적으로 적층된 활성층, p형 GaN 계 화합물 반도체층 및 p형 전극, 상기 n형 GaN 계 화합물 반도체층 상에서 상기 제1 영역과 이격되게 형성된 n형 전극을 구비하는 반도체 발광소자에 있어서, 상기 p형 전극은, 상기 p형 GaN 계 화합물 반도체층 상의 은 또는 은 합금으로 이루어진 제1 전극층; 및 상기 제1 전극층 상의 {Ni, Ni-alloy, Zn, Zn-alloy, Cu, Cu-alloy, Ru, Ir, Rh} 중 적어도 어느 하나로 형성된 제2 전극층;을 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자
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| 2 |
2
제 1 항에 있어서, 상기 제1 전극층은 0
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| 3 |
3
제 1 항에 있어서, 상기 제1 금속층 및 제2 금속층은 산화분위기에서 열처리되어서 각각의 적어도 일부는 산화물 형태로 형성된 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자
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| 4 |
4
제 1 항에 있어서, 상기 기판은 투광재료인 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자
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5
제 4 항에 있어서, 상기 기판은 사파이어로 이루어진 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자
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| 6 |
6
기판, 상기 기판 상에 형성된 n형 GaN 계 화합물 반도체층, 상기 n형 GaN 계 화합물 반도체층의 제1 영역 상에 순차적으로 적층된 활성층, p형 GaN 계 화합물 반도체층 및 p형 전극을, 상기 n형 GaN 계 화합물 반도체층 상에서 상기 제1 영역과 이격되게 형성된 n형 전극을 구비하는 반도체 발광소자에 있어서, 상기 p형 전극은, 상기 p형 GaN 계 화합물 반도체층 상의 은 또는 은 합금으로 이루어진 제1 전극층; 상기 제1 전극층 상의 Ni 또는 Ni-alloy로 형성된 제2 전극층; 및 상기 제2 전극층 상에서 {Ni, Ni-alloy, Zn, Zn-alloy, Cu, Cu-alloy, Ru, Ir, Rh} 중 적어도 어느 하나로 형성된 제3 전극층;을 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자
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| 7 |
7
제 6 항에 있어서, 상기 제1 전극층은 0
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| 8 |
8
제 6 항에 있어서, 상기 제1 금속층, 제2 금속층 및 제3 금속층은 산화분위기에서 열처리되어서 각각의 적어도 일부는 산화물 형태로 형성된 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자
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9
제 6 항에 있어서, 상기 기판은 투광재료인 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자
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10
제 9 항에 있어서, 상기 기판은 사파이어로 이루어진 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자
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11
기판 상에 n형 GaN 계 화합물 반도체층, 활성층, p형 GaN 계 화합물 반도체층을 순차적으로 적층하는 제1 단계; 상기 p형 화합물 반도체층 및 상기 활성층을 순차적으로 패터닝하여 상기 n형 화합물 반도체의 일부를 노출시키는 제2 단계; 상기 n형 화합물 반도체층의 노출된 부분에 n형 전극을 형성하는 제3 단계; 패터닝된 상기 p형 화합물 반도체층 상에 은 또는 은합금으로 이루어진 제1 금속층을 형성하는 제4 단계; 상기 제1 금속층 상에 {Ni, Ni-alloy, Zn, Zn-alloy, Cu, Cu-alloy, Ru, Ir, Rh} 중 적어도 어느 하나로 이루어진 제2 전극층을 형성하는 제5 단계; 및 상기 제5 단계의 결과물을 열처리하는 제6 단계;를 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자의 제조방법
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12
제 11 항에 있어서, 상기 제1전극층은 0
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13
제 11 항에 있어서, 상기 제3 단계 및 제4 단계는 전자빔 증착 또는 열증착을 하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자의 제조방법
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14
제 11 항에 있어서, 상기 제6 단계는 200 ℃ ~ 700 ℃에서 10초 ~ 2 시간 열처리하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자의 제조방법
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15
제 13 항에 있어서, 상기 제6 단계는 산소분위기에서 열처리하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자의 제조방법
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16
기판 상에 n형 GaN 계 화합물 반도체층, 활성층, p형 GaN 계 화합물 반도체층을 순차적으로 적층하는 제1 단계; 상기 p형 화합물 반도체층 및 상기 활성층을 순차적으로 패터닝하여 상기 n형 화합물 반도체의 일부를 노출시키는 제2 단계; 상기 n형 화합물 반도체층의 노출된 부분에 n형 전극을 형성하는 제3 단계; 패터닝된 상기 p형 화합물 반도체층 상에 은 또는 은합금으로 이루어진 제1 금속층을 형성하는 제4 단계; 상기 제1 금속층 상에 니켈 또는 니켈 합금(Ni-alloy)으로 이루어진 제2 전극층을 형성하는 제5 단계; 상기 제2 전극층 상에 {Ni, Ni-alloy, Zn, Zn-alloy, Cu, Cu-alloy, Ru, Ir, Rh} 중 적어도 어느 하나로 이루어진 제3 전극층을 형성하는 제6 단계; 및 상기 제6 단계의 결과물을 열처리하는 제7 단계;를 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자의 제조방법
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17
제 16 항에 있어서, 상기 제1전극층은 0
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18
제 16 항에 있어서, 상기 제3 단계 내지 제5 단계는 전자빔 증착 또는 열증착을 하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자의 제조방법
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19
제 11 항에 있어서, 상기 제7 단계는 200 ℃ ~ 700 ℃에서 10초 ~ 2 시간 열처리하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자의 제조방법
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| 20 |
20
제 19 항에 있어서, 상기 제7 단계는 산소분위기에서 열처리하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자의 제조방법
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| 21 |
20
제 19 항에 있어서, 상기 제7 단계는 산소분위기에서 열처리하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자의 제조방법
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