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산화아연 발광소자 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2015174207
  • 담당센터 : 광주기술혁신센터
  • 전화번호 : 062-360-4654
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 산화아연 발광소자 및 그 제조방법이 개시된다. 다중양자우물 구조내의 양자우물층과 양자장벽층의 두께를 적절하게 조절하여 양자구속효과를 극대화시킨 산화아연 발광소자를 구현할 수 있다. 또한, 양자장벽층의 두께를 조절하여 전하운반자의 터널링 현상을 감소시킨 산화아연 발광소자의 제조방법을 제공한다. 산화아연(ZnO), 다중양자우물, 양자우물층, 양자장벽층, 터널링
Int. CL H01L 33/06 (2014.01) H01L 33/28 (2014.01)
CPC H01L 33/28(2013.01) H01L 33/28(2013.01) H01L 33/28(2013.01)
출원번호/일자 1020090067150 (2009.07.23)
출원인 광주과학기술원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2011-0009778 (2011.01.31) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2009.07.23)
심사청구항수 4

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 광주과학기술원 대한민국 광주광역시 북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박성주 대한민국 광주광역시 북구
2 최용석 대한민국 광주광역시 북구
3 강장원 대한민국 광주광역시 북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인이상 대한민국 서울특별시 서초구 바우뫼로 ***(양재동, 우도빌딩 *층)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2009.07.23 수리 (Accepted) 1-1-2009-0449067-14
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2011.02.14 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0083603-19
3 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2011.04.14 수리 (Accepted) 1-1-2011-0273599-12
4 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2011.05.16 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0361604-51
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2011.05.16 수리 (Accepted) 1-1-2011-0361575-14
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2011.09.15 수리 (Accepted) 4-1-2011-5187089-85
7 최후의견제출통지서
Notification of reason for final refusal
2011.09.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0530673-57
8 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2011.11.21 수리 (Accepted) 1-1-2011-0919970-23
9 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2011.12.19 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2011-1007000-15
10 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2011.12.19 수리 (Accepted) 1-1-2011-1006994-83
11 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2012.05.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0308419-15
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
양자우물층과 양자장벽층이 순차적으로 적층되어 발광동작을 수행하는 활성층을 가지는 산화아연 발광소자에 있어서, 상기 양자우물층의 두께는 1nm 내지 5nm이고, 상기 양자장벽층의 두께는 5nm 내지 15nm인 것을 특징으로 하는 산화아연 발광소자
2 2
제 1 항에 있어서, 상기 양자우물층은 CdxZn1-xO(0≤x≤1)으로 이루어지며, 상기 양자장벽층은 MgyZn1-yO(0≤y≤1) 또는 ZnO로 이루어진 것을 특징으로 하는 산화아연 발광소자
3 3
기판을 제공하는 단계; 상기 기판 상에 n형 산화아연 박막층인 제1 클래드층을 형성하는 단계; 상기 제1 클래드층 상에 두께가 1nm 내지 5nm인 양자우물층과 두께가 5nm 내지 15nm인 양자장벽층이 순차적으로 적층된 다중양자우물 구조를 갖는 산화아연 기반의 활성층을 형성하는 단계; 상기 활성층 상에 p형 산화아연 박막층인 제2 클래드층을 형성하는 단계; 및 상기 제1 클래드층에 제1 전극을 형성하고 제2 클래드층에 제2 전극을 형성하는 단계를 포함하는 산화아연 발광소자의 제조방법
4 4
제 3 항에 있어서, 상기 제2 클래드층을 형성하는 단계와 상기 제1 및 제2 전극을 형성하는 단계 사이에 전류 확산층을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 산화아연 발광소자의 제조방법
5 5
제 3 항에 있어서, 상기 제1 클래드층을 형성하는 단계는, Al, Ga 및 In 중 적어도 하나가 도핑된 ZnO층 또는 Al, Ga 및 In 중 적어도 하나가 도핑된 MgxZn1-xO(0≤x≤1)층을 적어도 하나 포함하는 것을 특징으로 하는 산화아연 발광소자의 제조방법
6 6
제 3 항에 있어서, 상기 양자우물층은 CdxZn1-xO(0≤x≤1)으로 이루어지며, 상기 양자장벽층은 MgyZn1-yO(0≤y≤1) 또는 ZnO로 이루어진 것을 특징으로 하는 산화아연 발광소자의 제조방법
7 7
제 3 항에 있어서, 상기 제2 클래드층을 형성하는 단계는, N, P, Sb 및 As 중 적어도 하나가 도핑된 ZnO층 또는 N, P, Sb 및 As 중 적어도 하나가 도핑된 MgxZn1-xO(0≤x≤1)층을 적어도 하나 포함하는 것을 특징으로 하는 산화아연 발광소자의 제조방법
8 8
제 4항에 있어서, 상기 전류 확산층은, ITO(Indium Tin Oxide), ZnO, FTO(Florine-doped Tin Oxide)와 같은 n형 TCO(Transparent Conducting Oxide) 물질 또는 NiO와 같은 p형 TCO 물질로 이루어진 것을 특징으로 하는 산화아연 발광소자의 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.