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기판 상에 배치된 제1형 반도체층;
상기 제1형 반도체층 상에 배치된 활성층;
상기 활성층 상에 배치된 제2형 반도체층; 및
상기 제2형 반도체층 상에 배치되고, 하기 수학식 1의 두께를 가지는 반사방지막과 상기 반사방지막 내에 포토닉밴드갭을 형성하기 위해 주기적으로 배열된 다수개의 홀들을 구비하는 반사방지 광결정층을 포함하는 발광다이오드:
003c#수학식 1003e#
d=(2n+1)λ/4nc
상기 수학식 1에서, 상기 d는 반사방지 광결정층의 두께를 나타내고, 상기 λ은 상기 활성층에서 발생되는 빛의 파장을 나타내고, 상기 n은 정수를 나타내고, 상기 nc는 반사방지 광결정층의 굴절률을 나타낸다
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2
제1항에 있어서,
상기 반사방지막은 상기 제2형 반도체층의 굴절률보다 작은 굴절률을 가지는 물질을 사용하는 발광다이오드
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3
제1항에 있어서,
상기 반사방지막은 SixOy, ITO, MgO, SixNy 또는 ZnO으로 이루어진 군으로부터 선택되는 어느 하나인 발광다이오드
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4
제1항에 있어서,
상기 반사방지 광결정층에 포토닉밴드갭을 형성하기 위해 상기 홀들은 발광되는 빛의 주기와 동일한 주기를 가지고, 상기 발광되는 빛의 반파장 정도의 간격을 가지는 발광다이오드
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5
제1항에 있어서,
상기 홀들은 사각형 배열 또는 육각형 배열을 가지는 발광다이오드
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6
제1항에 있어서,
상기 홀들 내의 제2형 반도체층 상에 배치되는 무기물층 또는 유기물층을 더 포함하는 발광다이오드
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7
기판 상에 제1형 반도체층을 형성하는 단계;
상기 제1형 반도체층 상에 활성층을 형성하는 단계;
상기 활성층 상에 제2형 반도체층을 형성하는 단계; 및
상기 제2형 반도체층 상에 하기 수학식 1의 두께를 가지는 반사방지막과 상기 반사방지막 내에 포토닉밴드갭을 형성하기 위해 주기적으로 배열된 다수개의 홀들을 구비하는 반사방지 광결정층을 형성하는 단계를 포함하는 발광다이오드 제조방법:
003c#수학식 1003e#
d=(2n+1)λ/4nc
상기 수학식 1에서, 상기 d는 반사방지 광결정층의 두께를 나타내고, 상기 λ은 상기 활성층에서 발생되는 빛의 파장을 나타내고, 상기 n은 정수를 나타내고, 상기 nc는 반사방지 광결정층의 굴절률을 나타낸다
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8
제7항에 있어서,
상기 반사방지 광결정층은 상기 제2형 반도체층 상에 반사방지막을 형성하는 단계; 및
상기 반사방지막을 광결정 구조로 패터닝하여, 상기 반사방지막 내에 다수개의 홀들을 형성하는 단계를 포함하는 발광다이오드 제조방법
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