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누설전류 억압 및 제거에 효과 적인 Ⅲ - 질화물계 반도체발광소자 제조 방법

  • 기술번호 : KST2014013710
  • 담당센터 : 광주기술혁신센터
  • 전화번호 : 062-360-4654
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명에 따른 Ⅲ-질화물계 반도체 발광소자 제조방법은, n-AlGaInN으로 이루어지는 하부접촉층(32)과 p-AlGaInN으로 이루어지는 상부접촉층(34) 사이에 개재되는 AlGaInN으로 이루어지는 발광 활성층(40)을 포함하는 Ⅲ-질화물계 반도체 발광소자의 제조방법으로서, 상부접촉층(34)의 표면을 끓는점이 100℃ 내지 1000℃인 용액을 포함하여 이루어진 pH가 11~14인 염기성 용액이나 pH가 1~4인 산성용액으로 100℃ 내지 1000℃의 온도범위에서 습식식각하는 과정을 포함하는 것을 특징으로 한다. 상술한 바와 같이 본 발명에 의하면, 비록 AlGaInN 기반의 발광다이오드이지만 습식식각에 의하여 상부접촉층(34)에 존재하는 표면결함이나 자연산화막 및 오염층이 효과적으로 제거됨과 동시에 부동막도 형성되기 때문에 발광다이오드의 누설전류가 획기적으로 줄어 소자의 수명이 크게 향상되며, 소자의 효율성과 신뢰성 등 전반적인 특성이 크게 향상된다. AlGaInN, 부동막, 습식식각, 염기성, 산성, 누설전류
Int. CL H01L 33/02 (2014.01)
CPC H01L 33/0075(2013.01) H01L 33/0075(2013.01) H01L 33/0075(2013.01) H01L 33/0075(2013.01)
출원번호/일자 1020040070071 (2004.09.02)
출원인 광주과학기술원
등록번호/일자 10-0631037-0000 (2006.09.26)
공개번호/일자 10-2006-0021201 (2006.03.07) 문서열기
공고번호/일자 (20061004) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2004.09.02)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 광주과학기술원 대한민국 광주광역시 북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 나석인 대한민국 광주광역시 북구
2 김자연 대한민국 광주광역시 북구
3 김석순 대한민국 광주광역시 북구
4 한대섭 대한민국 광주광역시 북구
5 임재홍 대한민국 광주광역시 북구
6 박성주 대한민국 광주광역시 북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 허진석 대한민국 서울특별시 강남구 강남대로***, **,**층(역삼동, 동희빌딩)(특허법인아주김장리)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 일진엘이디(주) 경기도 안산시 단원구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2004.09.02 수리 (Accepted) 1-1-2004-0398913-78
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2006.04.11 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0206271-88
3 의견서
Written Opinion		 2006.06.07 수리 (Accepted) 1-1-2006-0398905-82
4 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 2006.06.07 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2006-0398910-11
5 등록결정서
Decision to grant		 2006.09.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0548218-00
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.09.15 수리 (Accepted) 4-1-2011-5187089-85
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
n-AlGaInN으로 이루어지는 하부접촉층과 p-AlGaInN으로 이루어지는 상부접촉층 사이에 개재되는 AlGaInN으로 이루어지는 발광 활성층을 포함하는 Ⅲ-질화물계 반도체 발광소자의 제조방법에 있어서, 상기 상부접촉층의 표면에 존재하는 결함이 제거되도록, 상기 상부접촉층의 표면을 끓는점이 100℃ 내지 1000℃인 용액을 포함하여 이루어진 pH가 11~14인 염기성 용액이나 pH가 1~4인 산성용액으로 100℃ 내지 1000℃의 온도범위에서 습식식각하는 과정을 포함하는 것을 특징으로 하는 Ⅲ-질화물계 반도체 발광소자 제조방법
2 2
제1항에 있어서, 상기 염기성 용액이 KOH, NaOH, 또는 NH4OH를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 Ⅲ-질화물계 반도체 발광소자 제조방법
3 3
제1항에 있어서, 상기 산성용액이 인산, 황산, 아세트산, 질산, 불산, 또는 염산을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 Ⅲ-질화물계 반도체 발광소자 제조방법
4 4
제1항에 있어서, 상기 끓는점이 100℃ 내지 1000℃인 용액이 에틸렌 글리콜, 2-에틸헥실 살리실레이트, 에틸헵타노에이트, 프로필렌 글리콜, 프로필렌 카보네이트, 프로필벤젠, 트리옥틸포스파인, 미리스토일 클로라이드, 이소포로네, 또는 이숙틸 탈라이트를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 Ⅲ-질화물계 반도체 발광소자 제조방법
5 5
제1항에 있어서, 상기 습식식각이 10 내지 1000분 동안 행해지는 것을 특징으로 하는 Ⅲ-질화물계 반도체 발광소자 제조방법
6 6
제1항에 있어서, 상기 습식식각 후에 상기 상부접촉층의 표면을 유기용매로 더 처리하는 것을 특징으로 하는 Ⅲ-질화물계 반도체 발광소자 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 습식식각 후에 상기 상부접촉층의 표면을 유기용매로 더 처리하는 것을 특징으로 하는 Ⅲ-질화물계 반도체 발광소자 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.