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아연 산화물을 이용한 실리콘 발광소자 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2015173922
  • 담당센터 : 광주기술혁신센터
  • 전화번호 : 062-360-4654
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 발광 효율을 향상시킬 수 있는 아연 산화물을 이용한 실리콘 발광소자 및 그 제조방법에 관한 것이다.본 발명의 실시 예에 따른 아연 산화물을 이용한 실리콘 발광소자는 실리콘 기판과; 상기 실리콘 기판 상에 형성되어 광을 발생시키는 실리콘 발광층과; 상기 실리콘 발광층 상에 형성되는 제 1 금속층과; 상기 실리콘 발광층과 제 1 금속층 사이에 형성되는 아연 산화물층 및; 상기 실리콘 기판 배면에 형성되는 제 2 금속층을 구비하며; 상기 실리콘 발광층은 상기 아연 산화물과 동일한 일함수를 가지는 것을 특징으로 한다.이러한, 본 발명은 실리콘 발광층과 금속층 사이의 아연 산화물층을 형성함으로써 실리콘 발광층으로의 전류 주입을 증가시킬 수 있으며, 실리콘 발광층과 금속층 사이의 접촉저항을 줄일 수 있다. 이에 따라, 본 발명은 발광 효율을 증가시킬 수 있다.
Int. CL H01L 33/02 (2014.01)
CPC H01L 33/02(2013.01) H01L 33/02(2013.01) H01L 33/02(2013.01)
출원번호/일자 1020040028172 (2004.04.23)
출원인 광주과학기술원
등록번호/일자 10-0644728-0000 (2006.11.03)
공개번호/일자 10-2004-0052653 (2004.06.23) 문서열기
공고번호/일자 (20061114) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2004.04.23)
심사청구항수 2

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 광주과학기술원 대한민국 광주광역시 북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김백현 대한민국 광주광역시북구
2 박성주 대한민국 광주광역시북구
3 황대규 대한민국 광주광역시북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 황이남 대한민국 서울시 송파구 법원로 ***, ****호 (문정동, 대명벨리온지식산업센터)(아시아나국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 광주과학기술원 대한민국 광주광역시 북구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2004.04.23 수리 (Accepted) 1-1-2004-0168566-44
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2004.07.27 수리 (Accepted) 4-1-2004-0031183-30
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2005.12.14 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2006.01.13 수리 (Accepted) 9-1-2006-0001817-16
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2006.01.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0042268-48
6 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period		 2006.03.24 수리 (Accepted) 1-1-2006-0208375-27
7 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 2006.04.24 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2006-0285102-19
8 의견서
Written Opinion		 2006.04.24 수리 (Accepted) 1-1-2006-0285144-26
9 대리인변경신고서
Agent change Notification		 2006.06.28 수리 (Accepted) 1-1-2006-0464600-44
10 등록결정서
Decision to grant		 2006.08.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0508099-25
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.09.15 수리 (Accepted) 4-1-2011-5187089-85
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
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실리콘 기판과;상기 실리콘 기판 상에 형성되어 광을 발생시키는 실리콘 발광층과;상기 실리콘 발광층 상에 형성되는 제 1 금속층과;상기 실리콘 발광층과 제 1 금속층 사이에 형성되는 아연 산화물층 및;상기 실리콘 기판 배면에 형성되는 제 2 금속층을 구비하며; 상기 실리콘 발광층은 상기 아연 산화물과 동일한 일함수를 가지는 것을 특징으로 하는 아연 산화물을 이용한 실리콘 발광소자
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삭제
3 3
실리콘 기판을 마련하는 단계와;상기 실리콘 기판 상에 실리콘 발광층을 형성하는 단계와;상기 실리콘 발광층 상에 아연 산화물층을 형성하는 단계와;상기 아연 산화물층 상에 제 1 금속층을 형성하는 단계 및;상기 실리콘 기판 배면에 제 2 금속층을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 아연 산화물을 이용한 실리콘 발광소자의 제조방법
4 3
실리콘 기판을 마련하는 단계와;상기 실리콘 기판 상에 실리콘 발광층을 형성하는 단계와;상기 실리콘 발광층 상에 아연 산화물층을 형성하는 단계와;상기 아연 산화물층 상에 제 1 금속층을 형성하는 단계 및;상기 실리콘 기판 배면에 제 2 금속층을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 아연 산화물을 이용한 실리콘 발광소자의 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.