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버키 다이아몬드를 이용한 센싱 전극 및 이의 제조 방법(SENSING ELECTRODE USING BUCKY DIAMOND AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME)

  • 기술번호 : KST2016005280
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 센싱 전극의 제조 방법은, 나노다이아몬드 파우더를 열처리함으로써, 탄소 원자간에 sp3 결합을 이루는 제1 부분 및 상기 제1 부분의 바깥쪽에 배치되며 탄소 원자간에 sp2 결합을 이루는 제2 부분을 포함하는 버키(bucky) 다이아몬드를 형성하는 단계; 및 상기 버키 다이아몬드를 재료로 센싱 전극을 형성하는 단계를 포함할 수 있다. 상기 센싱 전극은 산 또는 암모니아에 의한 처리 등의 파괴 공법을 거치치 않는 단순한 열처리 공정을 통해 제조되어 결함(defect)이 적고, 저분자(small molecule)의 고 선택도(high selectivity) 및 고 감도(sensitivity) 동시 센싱(simultaneous sensing)이 가능한 이점이 있다.
Int. CL G01N 33/50 (2006.01) G01N 27/30 (2006.01) B82B 3/00 (2006.01)
CPC G01N 27/30(2013.01) G01N 27/30(2013.01) G01N 27/30(2013.01)
출원번호/일자 1020140082635 (2014.07.02)
출원인 한국과학기술연구원
등록번호/일자 10-1648122-0000 (2016.08.08)
공개번호/일자 10-2016-0004131 (2016.01.12) 문서열기
공고번호/일자 (20160816) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2014.07.02)
심사청구항수 9

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이욱성 대한민국 서울특별시 노원구
2 고영진 대한민국 경기도 고양시 일산서구
3 이경석 대한민국 서울특별시 성북구
4 이택성 대한민국 서울특별시 성북구
5 김인호 대한민국 서울특별시 성북구
6 정두석 대한민국 강원도 원주

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김 순 영 대한민국 서울특별시 종로구 종로*길 **, **층 케이씨엘특허법률사무소 (수송동, 석탄회관빌딩)
2 김영철 대한민국 서울특별시 종로구 종로*길 **, **층 케이씨엘특허법률사무소 (수송동, 석탄회관빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2014.07.02 수리 (Accepted) 1-1-2014-0625604-80
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2015.09.10 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2015.11.10 수리 (Accepted) 9-1-2015-0068723-37
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2015.12.01 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0837051-84
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2016.02.01 수리 (Accepted) 1-1-2016-0104482-44
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2016.02.01 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2016-0104508-43
7 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2016.06.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0459339-06
8 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)		 2016.07.20 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2016-0704967-93
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2016.07.20 수리 (Accepted) 1-1-2016-0704966-47
10 등록결정서
Decision to Grant Registration		 2016.08.03 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0561218-06
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
나노다이아몬드 파우더를 열처리함으로써 상기 나노다이아몬드 파우더의 표면층을 그래핀 층으로 변화시켜 버키 다이아몬드를 형성하는 단계; 및 상기 버키 다이아몬드를 액체 매질 내에 분산시킨 후 건조시켜 센싱 전극을 형성하는 단계를 포함하되,상기 버키 다이아몬드는, 탄소 원자간에 sp3 결합을 이루는 제1 부분; 및 상기 제1 부분을 둘러싸도록 상기 제1 부분의 바깥쪽에 배치되며 상기 탄소 원자간에 sp2 결합을 이루는 제2 부분을 포함하고,상기 버키 다이아몬드를 형성하는 단계는, 상기 나노다이아몬드 파우더의 표면층만을 선택적으로 그래핀 층으로 변화시키도록 열처리 시간, 온도 또는 압력을 조절하는 단계를 포함하는 센싱 전극의 제조 방법
2 2
제 1항에 있어서,상기 센싱 전극을 형성하는 단계는, 도전 물질의 표면에 상기 버키 다이아몬드를 코팅하는 단계를 포함하는 센싱 전극의 제조 방법
3 3
제 1항에 있어서,상기 버키 다이아몬드를 형성하는 단계는, 상기 나노다이아몬드 파우더를 1100℃ 내지 1500℃의 온도에서 열처리하는 단계를 포함하는 센싱 전극의 제조 방법
4 4
제 3항에 있어서,상기 열처리하는 단계는 진공에서 이루어지는 것을 특징으로 하는 센싱 전극의 제조 방법
5 5
제 3항에 있어서,상기 열처리하는 단계는 30분 내지 4시간 동안 수행되는 것을 특징으로 하는 센싱 전극의 제조 방법
6 6
탄소 원자간에 sp3 결합을 이루는 나노다이아몬드 파우더의 제1 부분; 및 상기 제1 부분을 둘러싸도록 상기 제1 부분의 바깥쪽에 배치되며, 상기 나노다이아몬드 파우더의 표면층만이 선택적으로 그래핀 층으로 변화된 것으로서 탄소 원자간에 sp2 결합을 이루는 제2 부분을 포함하는 버키 다이아몬드,를 포함하여 이루어지는 센싱 전극
7 7
제 6항에 있어서,상기 센싱 전극은 도전 물질을 더 포함하며, 상기 제1 부분 및 상기 제2 부분은 상기 도전 물질상에 위치하는 센싱 전극
8 8
제 7항에 있어서,상기 도전 물질은 유리상 탄소인 센싱 전극
9 9
제 6항 내지 제8항 중 어느 한 항에 따른 센싱 전극을 포함하는 바이오 센서
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.