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메타 폴리 아마이드 페이퍼, 파라 폴리 아마이드 페이퍼 및 메타-파라 폴리 아마이드 페이퍼 중에서 선택된 1종 이상을 함유한 기재(substate)층; 및 평탄화층(planarization layer);을 포함하는 것을 특징으로 하는 플렉서블 OTFT(organic thin-film transistor) 소자
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제1항에 있어서, 상기 메타 폴리 아마이드 페이퍼는 겉보기 밀도는 0
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제2항에 있어서, 상기 메타 폴리 아마이드 페이퍼는 두께가 0
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제1항에 있어서, 상기 메타 폴리 아마이드 페이퍼는 평량이 35 g/㎡ ~ 50 g/㎡인 것을 특징으로 하는 플렉서블 OTFT 소자
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제1항에 있어서,상기 메타 폴리 아마이드 페이퍼는 메타아마이드 플록 및 메타폴리 아마이드 피브리드를 포함하며, 상기 플록 및 피브리드는 고유점도(I
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제1항에 있어서, 상기 평탄화층은 단층구조로서,PMF(Poly(melamine-co-formaldehyde), PVP(Poly(4-vinylphenol)), PGMEA(Propylene glycol monomethyl ether acetate), PEGDMA(Poly ethylene glycol dimethacrylate), PPGDMA(Poly propylene glycol dimethacrylate), PPGDA(poly propylene glycol diacrylate), PDEGDA(Poly diethylene glycol diacrylate), 하기 화학식 1로 표시되는 POSS계 화합물, 하기 화학식 2로 표시되는 실라잔계 화합물 및 폴리실라잔계 화합물 중에서 선택된 1종 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 플렉서블 OTFT 소자;[화학식 1]상기 화학식 1에 있어서, E는 , 또는 이고, R1, R3 및 R4는 각각은 독립적인 것으로서, 탄소수 2 ~ 5의 알킬렌기이며, R2는 수소원자 또는 탄소수 1 ~ 5의 알킬기이고, X는 -NHR5이고, 상기 R5는 수소원자 또는 탄소수 1 ~ 5의 알킬기이며,[화학식 2]상기 화학식 2에 있어서, R1 내지 R9 각각은 독립적으로, 수소원자 또는 탄소수 1 ~ 3의 알킬기이며, B는 -NHR10이고, 상기 R10은 수소원자 또는 탄소수 1 ~ 5의 알킬기이다
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제1항에 있어서, 상기 평탄화층은 다층구조로서, 상기 평탄화층은PMF, PVP, PGMEA, PEGDMA, PPGDMA, PPGDA, PDEGDA, 하기 화학식 1로 표시되는 POSS계 화합물, 하기 화학식 2로 표시되는 실라잔계 화합물 및 폴리실라잔계 화합물 중에서 선택된 1종 이상을 포함하는 제1 평탄화층; 및하기 화학식 3으로 표시되는 중합체를 포함하는 제2 평탄화층;을 포함하며,기재층, 제1 평탄화층 및 제2평탄화층이 차례대로 적층된 것을 특징으로 하는 플렉서블 OTFT 소자; [화학식 1]상기 화학식 1에 있어서, E는 , 또는 이고, R1, R3 및 R4는 각각은 독립적인 것으로서, 탄소수 2 ~ 5의 알킬렌기이며, R2는 수소원자 또는 탄소수 1 ~ 5의 알킬기이고, X는 -NHR5이고, 상기 R5는 수소원자 또는 탄소수 1 ~ 5의 알킬기이며,[화학식 2]상기 화학식 2에 있어서, R1 내지 R9 각각은 독립적으로, 수소원자 또는 탄소수 1 ~ 3의 알킬기이며, B는 -NHR10이고, 상기 R10은 수소원자 또는 탄소수 1 ~ 5의 알킬기이고,[화학식 3]상기 화학식 3에 있어서, R1 내지 R8 각각은 독립적인 것으로서, 수소원자, 할로겐원자, 카복실기(carboxyl group), 아마이드기(amide group), -CF3, -Si(OR)mH3-m, 포밀기(formyl group) 또는 아실기(acyl group)이고, 상기 n은 중량평균분자량 50,000 ~ 200,000을 만족하는 유리수이며, m은 0 ~ 3의 정수이다
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제7항에 있어서, 상기 폴리실라잔계 화합물은 하기 화학식 4-1로 표시되는 단량체의 중합체; 하기 화학식 4-1로 표시되는 화합물 및 하기 화학식 4-2로 표시되는 화합물을 포함하는 공중합체; 및하기 화학식 4-3으로 표시되는 중합체;를 포함하는 것을 특징으로 하는 플렉서블 OTFT 소자; [화학식 4-1]상기 화학식 4-1에 있어서, 상기 R1 및 R2는 각각 독립적으로, 수소원자 또는 탄소수 1 ~ 3의 알킬기이고,[화학식 4-2]상기 화학식 4-2에 있어서, R1은 탄소수 1 ~ 3의 알킬기이며,[화학식 4-3]상기 화학식 4-3에 있어서, 상기 R1은 수소원자 또는 탄소수 1 ~ 3의 알킬기이며, R2는 탄소수 2 ~ 5의 알킬렌기이고, R3 및 R4는 독립적인 것으로서, 수소원자, 탄소수 1 ~ 3의 알킬기 또는 탄소수 1 ~ 3의 알콕시기이며, R5는 수소원자 또는 탄소수 1 ~ 3의 알킬기이다
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제8항에 있어서, 상기 공중합체는 화학식 4-1로 표시되는 단량체 및 화학식 4-2로 표시되는 단량체를 1 : 2 ~ 6 몰비로 공중합시킨 것을 특징으로 하는 플렉서블 OTFT 소자
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제7항에 있어서, 상기 제1평탄화층은 PEGDMA 및 PPGDMA 중에서 선택된 1종 이상을 포함하는 디메타크릴레이트계 화합물; 및상기 POSS계 화합물, 상기 실라잔 및 상기 폴리실라잔 중에서 선택된 1종 이상을 함유한 혼합물;을 1 : 0
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제6항에 있어서, 상기 제1평탄화층 및 제2평탄화층은 두께비가 1 : 0
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제1항에 있어서, 상기 기재층은 평균두께 0
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제1항에 있어서, 상기 평탄화층은 RMS 표면 거칠기(root mean square surface roughness)가 0
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제1항에 있어서, 게이트(gate), 유전체(Dielectric), 소스(source), 드레인(drain) 및 활성층(active layer)를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 플렉서블 OTFT 소자
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제1항 내지 제14항 중에서 선택된 어느 한 항에 있어서, 반도체 파라미터 분석기(Semiconductor Parameter Analyzer)로 소자의 on일때와 off일때의 전류값의 비율 측정 시, 전달곡선(Transfer curve, Ion/Ioff )비가 1
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제1항 내지 제14항 중에서 선택된 어느 한 항에 있어서, 반도체 파라미터 분석기로 10V ~ -100V으로 측정시, 전자이동도(Mobility) 값이 1
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제1항 내지 제14항 중에서 선택된 어느 한 항에 있어서, 반도체 파라미터 분석기로 소자가 켜지는 시점(turn on)의 게이트 전압(gate voltage) 측정 시, 임계전압(Threshold Voltage, Vth)값이 -7
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메타 폴리 아마이드 페이퍼, 파라 폴리 아마이드 페이퍼 및 메타-파라 폴리 아마이드 페이퍼 중에서 선택된 1종 이상을 포함하는 폴리 아마이드 페이퍼 소재의 기재 일면에 PMF, PVP, PGMEA, PEGDMA, PPGDMA, PPGDA, PDEGDA, 하기 화학식 1로 표시되는 POSS계 화합물, 하기 화학식 2로 표시되는 실라잔 및 폴리실라잔 중에서 선택된 1종 이상을 포함하는 제1평탄화 수지를 코팅 및 건조시켜서 평탄화층을 형성시키는 단계;상기 평탄화층의 상단면에 게이트, 유전체, 활성체, 소스 및 드레인을 증착시키는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 플렉서블 OTFT 소자의 제조방법:[화학식 1]상기 화학식 1에 있어서, E는 , 또는 이고, R1, R3 및 R4는 각각은 독립적인 것으로서, 탄소수 2 ~ 5의 알킬렌기이며, R2는 수소원자 또는 탄소수 1 ~ 5의 알킬기이고, X는 -NHR5이고, 상기 R5는 수소원자 또는 탄소수 1 ~ 5의 알킬기이며,[화학식 2]상기 화학식 2에 있어서, R1 내지 R9 각각은 독립적으로, 수소원자 또는 탄소수 1 ~ 3의 알킬기이며, B는 -NHR10이고, 상기 R10은 수소원자 또는 탄소수 1 ~ 5의 알킬기이다
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제18항에 있어서, 상기 평탄화층을 형성시키는 단계는 상기 기재 일면에 PMF, PVP, PGMEA, PEGDMA, PPGDMA, PPGDA, PDEGDA, 상기 화학식 1로 표시되는 POSS계 화합물, 상기 화학식 2로 표시되는 실라잔 및 폴리실라잔 중에서 선택된 1종 이상을 포함하는 제1평탄화 수지를 코팅 및 건조시켜서 평탄화층을 형성시키는 단계; 및상기 제1평탄화층의 상단면에 하기 화학식 3으로 표시되는 중합체를 포함하는 제2평탄화수지를 코팅 및 건조시켜서 제2평탄화층을 형성시키는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 플렉서블 OTFT 소자의 제조방법:[화학식 3]상기 화학식 3에 있어서, R1 내지 R8 각각은 독립적인 것으로서, 수소원자, 할로겐원자, 카복실기, 아마이드기, -CF3, -Si(OR)mH3-m, 포밀기 또는 아실기이고, 상기 n은 중량평균분자량 50,000 ~ 200,000을 만족하는 유리수이며, m은 0 ~ 3의 정수이다
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제18항에 있어서, 상기 폴리 아마이드 페이퍼는 캘린더링 공정을 포함하지 않는 공정을 수행하여 제조하며, 상기 폴리 아마이드 페이퍼는메타아마이드 플록 및 메타폴리 아마이드 피브리드를 포함하는 지료를 투입하여 습지필(wet-web)을 제조하는 1단계;상기 습지필을 탈수하는2단계;탈수된 습지필을 1차 열풍 건조하는 3단계;건조된 습지필을 2차 건조하여 지필을 제조하는 4단계; 및건조된 지필을 250℃ ~ 320℃에서 3차 건조하는 5단계;를 포함하는 공정을 수행하여 제조하는 것을 특징으로 하는 플렉서블 OTFT 소자의 제조방법
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제20항에 있어서, 상기 1차 열풍건조는 195℃ ~ 250℃에서 열풍 건조하는 것을 특징으로 하는 플렉서블 OTFT 소자의 제조방법
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제20항에 있어서, 상기 2차 건조는 100℃ ~ 150℃에서 수행하며, 상기 3차 건조는 10 ~ 80초간 수행하는 것을 특징으로 하는 플렉서블 OTFT 소자의 제조방법
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제20항에 있어서,상기 2 단계와 3 단계 사이 또는 3 단계와 4 단계 사이에 습지필을 압축탈수하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 플렉서블 OTFT 소자의 제조방법
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