| 1 |
1
기판을 준비하는 단계;상기 기판 상에 인듐(In), 주석(Sn), 및 갈륨(Ga)의 산화물로 형성된 박막을 형성하는 단계; 및UV 조사 및 오존(O3) 처리를 하는 동시에 열처리를 수행하는 것을 포함하는 후처리 공정을, 상기 박막에 수행하여, 상기 박막의 이동도를 증가시키는 단계를 포함하되, 상기 후처리 공정에 의해, 상기 인듐(In), 주석(Sn), 및 갈륨(Ga)의 산화물로 형성된 상기 박막 내의, 인듐(In)과 산소(O) 사이의 화학적 결합은 감소되고, 주석(Sn)과 산소(O) 사이의 화학적 결합은 증가되어, 상기 박막 내의 인듐(In)의 함량이 주석(Sn)의 함량보다 높되, 상기 박막에 대한 X선 흡수에 따른 발광 강도 측정 결과, 인듐(In)과 산소(O) 사이의 결합에 대응되는 피크의 발광강도(Intensity)가, 주석(Sn)과 산소(O) 사이의 결합에 대응되는 피크의 발광강도(Intensity) 보다 낮은 것을 포함하는 박막의 제조 방법
|
| 2 |
2
삭제
|
| 3 |
3
제1 항에 있어서,상기 인듐(In), 주석(Sn), 및 갈륨(Ga)의 산화물로 형성된 상기 박막 상에 산소(O2) 가스가 공급되고,상기 산소(O2) 가스는, 상기 UV에 의해 오존(O3) 가스로 변환되어, 상기 박막이 오존(O3) 처리되는 것을 포함하는 박막의 제조 방법
|
| 4 |
4
제1 항에 있어서,상기 후처리 공정은, 150℃ 이하의 온도에서 수행되는 것을 포함하는 박막의 제조 방법
|
| 5 |
5
삭제
|
| 6 |
6
제1 항에 있어서, 상기 인듐(In), 주석(Sn), 및 갈륨(Ga)의 산화물로 형성된 상기 박막의 X선 흡수에 따른 발광 강도(Intensity)를 측정한 경우, 상기 박막의 상기 후처리 공정 시간이 증가함에 따라, 인듐(In)과 산소(O) 사이의 결합에 대응되는 피크의 발광 강도(Intensity)가 감소하는 박막의 제조 방법
|
| 7 |
7
제1 항에 있어서, 상기 인듐(In), 주석(Sn), 및 갈륨(Ga)의 산화물로 형성된 상기 박막의 X선 흡수에 따른 발광 강도(Intensity)를 측정한 경우, 상기 박막의 상기 후처리 공정 시간이 증가함에 따라, 주석(Sn)과 산소(O) 사이의 결합에 대응되는 피크의 발광 강도(Intensity)가 증가하는 박막의 제조 방법
|
| 8 |
8
제1 항에 있어서, 상기 인듐(In), 주석(Sn), 및 갈륨(Ga)의 산화물로 형성된 상기 박막의 X선 흡수에 따른 발광 강도(Intensity)를 측정한 경우, 상기 박막의 상기 후처리 공정 시간이 증가함에 따라, 인듐(In)과 산소(O) 사이의 결합에 대응되는 피크의 발광 강도(Intensity)가 감소하는 폭이, 주석(Sn)과 산소(O) 사이의 결합에 대응되는 피크의 발광 강도(Intensity)가 증가하는 폭보다 큰 박막의 제조 방법
|
| 9 |
9
삭제
|
| 10 |
10
삭제
|
| 11 |
11
제1 항에 있어서,상기 인듐(In), 주석(Sn), 및 갈륨(Ga)의 산화물로 형성된 상기 박막의 상기 후처리 공정을, 10분 이상 수행하는 것을 포함하는 박막의 제조 방법
|
| 12 |
12
인듐(In), 주석(Sn), 및 갈륨(Ga)의 산화물로 형성되고,인듐(In)의 함량이 주석(Sn)의 함량보다 높되, X선 흡수에 따른 발광 강도 측정 결과, 인듐(In)과 산소(O) 사이의 결합에 대응되는 피크의 발광강도(Intensity)가, 주석(Sn)과 산소(O) 사이의 결합에 대응되는 피크의 발광강도(Intensity) 보다 낮은 것을 포함하는 박막
|
| 13 |
13
제12 항에 따른 박막;상기 박막 상의 게이트 전극; 및상기 게이트 전극 및 상기 박막 사이의 게이트 절연막을 포함하는 트랜지스터
|
