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메탈 메쉬 형성 방법 및 메탈 메쉬를 구비하는 반도체 소자(Method for forming metal mesh and semiconductor device having the metal mesh)

  • 기술번호 : KST2016018931
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 발광 소자 또는 수광 소자를 포함하는 기판 위에 나노 사이즈의 물질로 네트워크를 형성하고, 네트워크의 일부가 잠기도록 패턴층을 형성한 후, 패턴층에서 네트워크를 형성하는 나노 물질을 제거함으로써, 패턴층에 나노 사이즈의 패턴을 형성하고, 그 위에 금속을 증착한 후 패턴층을 제거함으로써, 기판위에 나노 사이즈의 선폭을 갖는 메탈 메쉬를 형성할 수 있다. 따라서, 본 발명은 종래의 사진 식각 공정을 이용하는 메탈 메쉬 형성 방법에 비하여 간단한 공정으로 나노 사이즈의 선폭을 갖는 메탈 메쉬를 형성할 수 있을 뿐만 아니라, 소망하는 메탈 메쉬의 선폭에 대응되는 폭을 갖는 나노 물질을 이용함으로써 용이하게 메탈 메쉬의 선폭을 조절할 수 있어, 간단하게 시인성 문제와 모아레(Moire) 현상을 해결 할 수 있다.
Int. CL B82B 1/00 (2006.01) H01L 21/02 (2006.01) H01L 29/41 (2006.01)
CPC H01L 29/413(2013.01) H01L 29/413(2013.01) H01L 29/413(2013.01)
출원번호/일자 1020150059717 (2015.04.28)
출원인 고려대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2016-0128018 (2016.11.07) 문서열기
공고번호/일자 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2015.04.28)
심사청구항수 7

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 고려대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김태근 대한민국 경기도 성남시 분당구
2 이병룡 대한민국 서울특별시 동대문구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인주원 대한민국 서울특별시 강남구 언주로 ***, *층(논현동, 건설회관)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 고려대학교 산학협력단 서울특별시 성북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2015.04.28 수리 (Accepted) 1-1-2015-0414094-35
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2015.12.08 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2016.02.05 수리 (Accepted) 9-1-2016-0007900-94
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2016.07.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0519542-54
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2016.09.09 수리 (Accepted) 1-1-2016-0880817-36
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2016.09.09 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2016-0880818-82
7 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2017.01.16 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0034984-68
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2017.03.16 수리 (Accepted) 1-1-2017-0262595-01
9 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2017.03.16 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2017-0262596-46
10 등록결정서
Decision to grant		 2017.07.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0529739-65
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.10.10 수리 (Accepted) 4-1-2019-5210941-09
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
(a) 기판 위에 폭보다 길이가 더 긴 나노 사이즈의 물질(나노 물질)이 상호 연결된 네트워크를 형성하는 단계;(b) 상기 네트워크의 일부가 잠기도록 상기 기판위에 패턴층을 형성하는 단계;(c) 상기 네트워크를 제거하여 상기 패턴층에 네트워크에 대응되는 패턴을 형성하는 단계;(d) 상기 기판위에 메탈을 증착하여 상기 패턴에 대응되는 메탈 메쉬를 형성하는 단계; 및(e) 상기 패턴층을 제거하여 상기 기판위에 상기 메탈 메쉬만을 잔존시키는 단계를 포함하고,상기 나노 물질은 CNT(Carbon Nano Tube)이며, 상기 (c) 단계는 O2 플라즈마 처리방식 또는 산소 열처리 방식을 적용하여, CNT를 제거하는 것을 특징으로 하는 메탈 메쉬 형성 방법
2 2
(a) 기판 위에 폭보다 길이가 더 긴 나노 사이즈의 물질(나노 물질)이 상호 연결된 네트워크를 형성하는 단계;(b) 상기 네트워크의 일부가 잠기도록 상기 기판위에 패턴층을 형성하는 단계;(c) 상기 네트워크를 제거하여 상기 패턴층에 네트워크에 대응되는 패턴을 형성하는 단계;(d) 상기 기판위에 메탈을 증착하여 상기 패턴에 대응되는 메탈 메쉬를 형성하는 단계; 및(e) 상기 패턴층을 제거하여 상기 기판위에 상기 메탈 메쉬만을 잔존시키는 단계를 포함하고,상기 나노 물질은 CNT(Carbon Nano Tube)이며, 상기 (c) 단계는 상기 패턴층 위에 상기 CNT 보다 환원 전위가 높은 금속을 상기 기판위에 추가로 증착하여 형성한 후, O2 플라즈마 처리방식 또는 산소 열처리 방식을 적용하여, CNT를 제거하는 것을 특징으로 하는 메탈 메쉬 형성 방법
3 3
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 (a) 단계는스프레이(spray) 방식 또는 디핑(dipping) 방식으로 네트워크를 형성하는 것을 특징으로 하는 메탈 메쉬 형성 방법
4 4
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 (b) 단계는네트워크가 형성된 상기 기판위에 SiO2 및 Ga2O3를 포함하는 산화물계 화합물들 중 어느 하나를 증착하여 패턴층을 형성하는 것을 특징으로 하는 메탈 메쉬 형성 방법
5 5
제 4 항에 있어서, 상기 (e) 단계는BOE(Buffered Oxide Etch) 방식을 적용하여 패턴층을 제거하는 것을 특징으로 하는 메탈 메쉬 형성 방법
6 6
삭제
7 7
삭제
8 8
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, (f) 상기 메탈 메쉬가 형성된 기판위에, CNT, 그래핀, ITO 중 어느 하나로 형성되는 투명 전극층을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 메탈 메쉬 형성 방법
9 9
제 1 항 또는 제 2 항의 메탈 메쉬 형성 방법에 의해서 형성된 메탈 메쉬를 구비하는 반도체 소자
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