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표면탄성파를 발생시키도록 IDT(Interdigital Tansducer) 전극이 형성된 피에조 기판; 및상기 IDT 전극이 형성된 상기 피에조 기판 상에 교접하며, 상기 피에조 기판 에 발생된 표면탄성파를 흡수하여 발열되는 점탄성 물질로 이루어지는 가열체;를 포함하고, 상기 IDT 전극은,상기 피에조 기판 상의 상기 가열체 내에 적어도 하나 이상의 가열존을 갖도록 서로 다른 패턴 형상을 가지고 형성되는 음향열적 미소가열 장치
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제1항에서, 상기 피에조 기판은,리튬리니오베이트(LiNbO3), 석영(quartz), 리튬탄탈레이트 (LiTaO3), 리튬보레이트(Li2B4O7) 또는 랑가사이트(La3Ga5SiO14) 중에서 선택된 어느 하나로 이루어지는 음향열적 미소가열 장치
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제1항에서, 상기 가열체 상에 교접하며 내부에 유체 유동을 위한 유체 채널이 형성되는 유체칩;을 포함하는 음향열적 미소가열 장치
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제1항에서, 상기 가열체는,내부에 유체 유동을 위한 유체 채널이 형성되는 유체칩을 구성하는 음향열적 미소가열 장치
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제3항 또는 제4항에서,상기 유체 채널은 상기 유체칩 내에서 폐쇄 수로(Closed Channel) 형태로 이루어지는 음향열적 미소가열 장치
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제1항에서, 상기 가열체는, 실리콘 기반 폴리머(Silicone-based polymers), 고분자화합물(Plastics), 고무(Rubber), 종이(Paper), 음식물(Food) 또는 생체 조직(Biological tissue)중에 선택된 어느 하나 이상의 점탄성 물질로 이루어지는 음향열적 미소가열 장치
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제6항에서,상기 가열체는, 상기 실리콘 기반 폴리머(Silicone-Based Polymer)는 PDMS(Polydimethylsiloxane)인 것으로 포함하는 음향열적 미소가열 장치
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제6항에서, 상기 고분자화합물(plastic)은 PMMA(Polymethyl Methacrylate), PP(polypropylene) 또는 PETE(Polyethylene Terephthalate)을 포함하는 음향열적 미소가열 장치
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9
제1항에서, 상기 IDT 전극이 형성된 상기 피에조 기판 상면과 상기 가열체 하면 사이의 틈새를 통진 가능하게 채우도록 도포되는 액상 또는 겔 상태의 교접 충진재;를 포함하는 음향열적 미소가열 장치
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제1항에서,상기 가열체를 상기 피에조 기판 상에 가역적으로 고정하기 위한 가역 접합 수단;을 포함하는 음향열적 미소가열 장치
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제10항에서, 상기 가역 접합 수단은, 상기 가열체의 가장자리부를 상기 피에조 기판 상에 고정하는 고정 집게;로 이루어지는 음향열적 미소가열 장치
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제1항에서,상기 각 가열존은,서로 다른 상기 IDT 전극들의 패턴 주기를 가지고 형성되는 음향열적 미소가열 장치
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제1항에서,상기 각 가열존은,적어도 하나 이상이 서로 다른 상기 IDT 전극들의 교차 배열 형상을 가지고 형성되는 음향열적 미소가열 장치
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제14항에서, 상기 교차 배열 형상은, 평행 교차 배열 형상, 경사 교차 배열 형상 또는 곡률 교차 배열 형상 중에서 선택된 어느 하나로 이루어지는 음향열적 미소가열 장치
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제1항에서,상기 각 가열존 내에서 발생되는 상기 표면탄성파는 5MHz 내지 200MHz 주파수 범위 이내로 이루어지는 음향열적 미소가열 장치
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제1항에서, 상기 IDT 전극은 상기 피에조 기판 상에서 적어도 2개 이상의 가열존을 갖도록 패턴 형상을 이루며 형성되고,상기 각 가열존들을 가열 제어하도록 전류 신호를 발생시키는 신호 발생기;를 더 포함하는 음향열적 미소가열 장치
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제17항의 음향열적 미소가열 장치를 통한 상기 가열체의 가열 제어 방법에 있어서, 가열하고자 하는 하나 이상의 가열존을 선정하는 단계; 선정된 상기 가열존들의 가열 순서 및 기간을 선정하는 단계; 및상기 신호 발생기를 통해 선정된 순서 및 시간에 따라 상기 가열존들의 상기 IDT에 대응되는 주파수의 전류신호를 인가하는 가열 단계;를 포함하는 음향열적 미소가열 제어 방법
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제18항에서, 상기 가열 단계에서는, 선정된 상기 가열존들 중 적어도 하나 이상을 동시에 또는 순차적으로 가열하도록 전류신호를 인가하는 음향열적 미소가열 제어 방법
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