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박막 트랜지스터 및 그 제조 방법(Thin film transistor, and the method of fabricating the same)

  • 기술번호 : KST2017006262
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 박막 트랜지스터가 제공된다. 상기 박막 트랜지스터는 소스 전극, 드레인 전극 및 비결정질 영역과 결정질 영역으로 이루어진 산화물 반도체 채널층;을 포함하되, 상기 결정질 영역은 상기 채널층과 상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극이 직접 접촉하는 영역에 선택적으로 형성될 수 있다.
Int. CL H01L 29/786 (2015.11.04)
CPC H01L 29/7869(2013.01) H01L 29/7869(2013.01) H01L 29/7869(2013.01) H01L 29/7869(2013.01)
출원번호/일자 1020150131927 (2015.09.17)
출원인 한양대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2017-0033746 (2017.03.27) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2015.09.17)
심사청구항수 2

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박종완 대한민국 서울특별시 강동구
2 한동석 대한민국 서울특별시 양천구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 박상열 대한민국 서울 금천구 가산디지털*로 *** **층 ****호(나눔국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2015.09.17 수리 (Accepted) 1-1-2015-0908165-87
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2016.01.12 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2016.04.11 수리 (Accepted) 9-1-2016-0017315-73
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2016.12.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0923061-15
5 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2017.02.21 수리 (Accepted) 1-1-2017-0177161-27
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2017.03.21 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2017-0279602-20
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2017.03.21 수리 (Accepted) 1-1-2017-0279552-35
8 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2017.07.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0500727-05
9 [법정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
 2017.08.18 수리 (Accepted) 1-1-2017-0795799-64
10 법정기간연장승인서
 2017.08.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2017-0116050-98
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.05 수리 (Accepted) 4-1-2019-5155816-75
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.06 수리 (Accepted) 4-1-2019-5156285-09
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
소스 전극;드레인 전극; 및비결정질 영역과 결정질 영역으로 이루어진 산화물 반도체 채널층;을 포함하되,상기 결정질 영역은 상기 채널층과 상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극이 직접 접촉하는 영역에 선택적으로 형성된 박막 트랜지스터
2 2
제1 항에 있어서,상기 결정질 영역은 상기 비결정질 영역 상에 형성된 박막 트랜지스터
3 3
제1 항에 있어서,상기 결정질 영역은 전자빔 조사에 의하여 형성되는 박막 트랜지스터
4 4
제1 항에 있어서,상기 비결정질 영역은 상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극과 상기 채널층의 비(非) 중첩 영역에 형성되는 박막 트랜지스터
5 5
제1 항에 있어서,상기 산화물 반도체는, IGZO(Indium Gallium Zinc Oxide), ZnO(Zinc Oxide), In2O3(Indium Oxide), InZnO(Indium Zinc Oxide), ZnSnO(Zinc Tin Oxide), InGaZnO(Indium Gallium Zinc Oxide), ZnGaSnO(Zinc Gallium Tin Oxide) 중 적어도 하나의 물질로 이루어진 박막 트랜지스터
6 6
제1 항에 있어서,상기 산화물 반도체가 IGZO인 경우, 상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극은 구리를 포함하는 박막 트랜지스터
7 7
기판 상에 산화물 반도체 채널층을 형성하는 제1 단계;상기 채널층 상에 형성될 소스 및 드레인 전극 영역에 전자 빔을 투과시키는 전자 빔 마스크(mask)를 통하여 상기 채널층에 전자 빔을 조사하여 상기 채널층을 선택적으로 결정화하는 제2 단계; 및상기 선택적으로 결정화된 채널층에 소스 전극 및 드레인 전극을 직접 접촉시켜 형성하는 제3 단계;를 포함하는 박막 트랜지스터 제조 방법
8 8
제7 항에 있어서, 상기 제2 단계에서 상기 전자 빔은 10kGy 내지 50kGy로 조사되는 박막 트랜지스터 제조 방법
9 9
제7 항에 있어서, 상기 전자 빔 마스크는 상기 채널층 상에 형성되는 불투명 금속 물질로 이루어진 게이트 전극인 박막 트랜지스터 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 미래창조과학부 (재)한국연구재단 원자력연구개발사업 / 원자력연구기반확충사업 / 대형연구시설공동이용활성화 77” UHD급 차세대 대면적 디스플레이 적용 가능한 투명 산화물반도체 전극 개선을 위한 전자빔 조사 연구