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그래핀 박막을 플라즈마에 노출시켜 상기 그래핀 박막에 탄소 공공을 형성하는 단계; 및상기 탄소 공공에 붕소 및 질소를 도핑시키는 단계를 포함하는,밴드갭을 갖는 그래핀 박막 제조방법
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제1항에 있어서,상기 탄소 공공을 형성하는 단계는,상기 그래핀 박막을 불활성 가스 플라즈마에 노출시키는 단계를 포함하는,밴드갭을 갖는 그래핀 박막 제조방법
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제1항에 있어서,상기 탄소 공공의 비율은 상기 그래핀 박막의 전체 탄소수의 36% 이하인 것을 특징으로 하는,밴드갭을 갖는 그래핀 박막 제조방법
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제1항에 있어서,상기 탄소 공공을 형성하는 단계에서, 상기 플라즈마는 CCP(Capacitively Coupled Plasma) 방식으로 발생되고, 상기 플라즈마에 인가되는 전원의 크기는 10 내지 30W인,밴드갭을 갖는 그래핀 박막 제조방법
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제1항에 있어서,상기 붕소 및 질소를 도핑시키는 단계는,상기 그래핀이 배치된 챔버에 보라진을 주입하고 상기 챔버 내부를 고온으로 가열하는 단계를 포함하는,밴드갭을 갖는 그래핀 박막 제조방법
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제5항에 있어서,상기 그래핀이 배치된 챔버 내부는 800 내지 1200℃의 온도로 5 내지 25분 동안 가열되는,밴드갭을 갖는 그래핀 박막 제조방법
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제1항에 있어서,상기 탄소 공공에 도핑된 질소는 탄소 및 붕소와 화학적으로 결합하는, 밴드갭을 갖는 그래핀 박막 제조방법
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제1항에 있어서,상기 탄소 공공을 형성하는 단계는 제1 기판 상에 성장된 그래핀을 상기 플라즈마에 노출시키는 단계를 포함하고, 상기 붕소 및 질소를 도핑시키는 단계는 상기 탄소 공공이 형성된 그래핀을 제2 기판으로 전사한 후 수행되는,밴드갭을 갖는 그래핀 박막 제조방법
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제8항에 있어서,상기 제1 기판으로는 금속 기판이 사용되고, 상기 제2 기판으로는 반도체 기판이 사용되는,밴드갭을 갖는 그래핀 박막 제조방법
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소스 전극 및 드레인 전극을 연결하는 채널층을 포함하는 박막 트랜지스터에 있어서, 상기 채널층은 붕소 및 질소가 도핑된 그래핀 박막을 포함하고, 상기 질소는 붕소 및 탄소와 화학적으로 결합하는, 박막트랜지스터
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제10항에 있어서,상기 그래핀 박막에 있어서, 질소와 탄소 사이의 결합 농도는 탄소와 탄소 사이 결합 농도의 1% 이상 4% 이하인, 박막트랜지스터
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제10항에 있어서,상기 그래핀 박막에 있어서, 붕소와 질소 사이의 결합 농도는 탄소와 탄소 사이 결합 농도의 9% 이상 22% 이하인, 박막트랜지스터
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제10항에 있어서,상기 채널층은 6 meV 내지 14
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