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선택 소자 및 이를 포함하는 상변화 메모리 소자(SELECTIVE DEVICE AND PHASE CHANGE MEMORY DEVICE INCLUDING THE SAME)

  • 기술번호 : KST2017012069
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 메모리 소자에서 이용되는 선택 소자는 바나듐 산화물 및 티타늄으로 조성되는 복합 구조체를 포함한다.
Int. CL H01L 45/00 (2016.02.26) G11C 13/00 (2016.02.26) C01G 31/02 (2016.02.26) C01G 23/00 (2016.02.26)
CPC H01L 45/14(2013.01) H01L 45/14(2013.01) H01L 45/14(2013.01) H01L 45/14(2013.01) H01L 45/14(2013.01) H01L 45/14(2013.01)
출원번호/일자 1020160003868 (2016.01.12)
출원인 한양대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2017-0084617 (2017.07.20) 문서열기
공고번호/일자 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2016.01.12)
심사청구항수 7

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 송윤흡 대한민국 경기도 성남시 분당구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 양성보 대한민국 서울특별시 강남구 선릉로***길 ** (논현동) 삼성빌딩 *층(피앤티특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2016.01.12 수리 (Accepted) 1-1-2016-0034232-72
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2017.03.13 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2017.05.17 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2017-0075810-17
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2017.05.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0361116-46
5 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2017.07.24 수리 (Accepted) 1-1-2017-0708343-41
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2017.08.23 수리 (Accepted) 1-1-2017-0814138-07
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2017.08.23 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2017-0814139-42
8 심사처리보류(연기)보고서
Report of Deferment (Postponement) of Processing of Examination
2017.12.14 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2017-0181782-24
9 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2018.02.02 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0084974-52
10 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2018.03.07 수리 (Accepted) 1-1-2018-0228638-13
11 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)
2018.03.07 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2018-0228639-69
12 등록결정서
Decision to Grant Registration
2018.03.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0191083-74
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.05 수리 (Accepted) 4-1-2019-5155816-75
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.06 수리 (Accepted) 4-1-2019-5156285-09
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
메모리 소자에서 이용되는 선택 소자에 있어서, 바나듐 산화물 및 티타늄으로 조성되는 복합 구조체를 포함하고, 상기 복합 구조체에서 상기 바나듐 산화물에 대한 상기 티타늄의 조성 비율은 상기 복합 구조체의 온도에 따른 전기 전도도가 120도에서 상기 선택 소자가 온(on)되는 전기 전도도 값을 갖기 위하여 상기 복합 구조체의 트랜지션 온도가 120도 이상이 되도록 상기 바나듐 산화물을 기준으로 30% 이상의 중량 백분율을 갖도록 조절되고, 바나듐 및 티타늄 분말이 과산화수소 용액에 용해된 후 상기 티타늄을 함유하는 졸(sol)이 수득되는 정도가 변화됨에 따라 조절되는 것을 특징으로 하는 선택 소자
2 2
삭제
3 3
제1항에 있어서,상기 복합 구조체는 상기 복합 구조체의 온도에 따른 전기 전도도에 기초하여 상기 바나듐 산화물에 상기 티타늄이 도핑되어 조성되는, 선택 소자
4 4
삭제
5 5
삭제
6 6
삭제
7 7
제1항에 있어서,상기 선택 소자는 크로스바 아키텍처(crossbar architecture)로 설계되는 메모리 소자에서 이용되는, 선택 소자
8 8
적어도 하나의 히터; 상기 적어도 하나의 히터에 의해 공급되는 열에 따라 결정 상태가 변화되는 적어도 하나의 상변화층(Phase Change Material; PCM); 및 상기 적어도 하나의 상변화층과 접촉되도록 복합 구조체-상기 복합 구조체는 바나듐 산화물 및 티타늄으로 조성됨-로 형성되는 선택 소자를 포함하고, 상기 복합 구조체에서 상기 바나듐 산화물에 대한 상기 티타늄의 조성 비율은 상기 복합 구조체의 온도에 따른 전기 전도도가 120도에서 상기 선택 소자가 온(on)되는 전기 전도도 값을 갖기 위하여 상기 복합 구조체의 트랜지션 온도가 120도 이상이 되도록 상기 바나듐 산화물을 기준으로 30% 이상의 중량 백분율을 갖도록 조절되고, 바나듐 및 티타늄 분말이 과산화수소 용액에 용해된 후 상기 티타늄을 함유하는 졸(sol)이 수득되는 정도가 변화됨에 따라 조절되는 것을 특징으로 하는 상변화 메모리(Phase Change Memory) 소자
9 9
삭제
10 10
제8항에 있어서,상기 복합 구조체는 상기 복합 구조체의 온도에 따른 전기 전도도에 기초하여 상기 바나듐 산화물에 상기 티타늄이 도핑되어 조성되는, 상변화 메모리 소자
11 11
삭제
12 12
삭제
13 13
적어도 하나의 히터; 상기 적어도 하나의 히터에 대해 수직 방향으로 연결되어, 상기 적어도 하나의 히터에 의해 공급되는 열에 따라 결정 상태가 변화되는 복수의 상변화층들; 및 상기 복수의 상변화층들과 각각 접촉되도록 복합 구조체-상기 복합 구조체는 바나듐 산화물 및 티타늄으로 조성됨-로 각각 형성되는 복수의 선택 소자들을 포함하고, 상기 복합 구조체에서 상기 바나듐 산화물에 대한 상기 티타늄의 조성 비율은 상기 복합 구조체의 온도에 따른 전기 전도도가 120도에서 상기 선택 소자가 온(on)되는 전기 전도도 값을 갖기 위하여 상기 복합 구조체의 트랜지션 온도가 120도 이상이 되도록 상기 바나듐 산화물을 기준으로 30% 이상의 중량 백분율을 갖도록 조절되고, 바나듐 및 티타늄 분말이 과산화수소 용액에 용해된 후 상기 티타늄을 함유하는 졸(sol)이 수득되는 정도가 변화됨에 따라 조절되는 것을 특징으로 하는 3차원 상변화 메모리(Phase Change Memory)
14 14
삭제
15 15
제13항에 있어서,상기 복합 구조체는 상기 복합 구조체의 온도에 따른 전기 전도도에 기초하여 상기 바나듐 산화물에 상기 티타늄이 도핑되어 조성되는, 3차원 상변화 메모리
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 미래창조과학부 한양대학교 산학협력단 이공분야기초연구사업/ 중견연구자지원사업/핵심연구 칼코지나이드 물질을 기반으로 한 신경 모방형 3차원 세포체 소자 개발