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제1 전극; 제2 전극; 상기 제1 전극 및 상기 제2 전극 사이에 개재되는 상변화 물질층; 및 상기 제1 전극 또는 상기 제2 전극 중 어느 하나의 전극 및 상기 상변화 물질층의 사이에 배치된 채, 상기 어느 하나의 전극과의 접촉 계면의 쇼트키 다이오드 특성을 이용하여 상기 상변화 물질층에 대한 선택 소자로 동작하는 반도체 물질층을 포함하는 상변화 메모리 소자
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제1항에 있어서,상기 어느 하나의 전극 및 상기 반도체 물질층은, PN 다이오드의 구조를 형성함으로써, 상기 제1 전극 및 상기 제2 전극으로부터 공급되는 열을 상기 상변화 물질층에 선택적으로 스위칭하는 것을 특징으로 하는 상변화 메모리 소자
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제2항에 있어서,상기 어느 하나의 전극 및 상기 반도체 물질층은, 상기 어느 하나의 전극이 P 타입으로 형성되고 상기 반도체 물질층이 N 타입으로 형성됨에 따라, PN 다이오드의 구조를 갖는 것을 특징으로 하는 상변화 메모리 소자
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제2항에 있어서,상기 반도체 물질층은, Zn, In 또는 Ga 중 적어도 하나의 양이온을 포함하는 N 타입의 산화물 반도체 물질로 형성되는 것을 특징으로 하는 상변화 메모리 소자
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제4항에 있어서,상기 반도체 물질층은, ZnOx 계열의 물질로 형성되는 것을 특징으로 하는 상변화 메모리 소자
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제5항에 있어서,상기 ZnOx 계열의 물질은, AZO, ZTO, IZO, ITO, IGZO 또는 Ag-ZnO 중 적어도 하나를 포함하는 상변화 메모리 소자
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제1 전극, 제2 전극, 상기 제1 전극 및 상기 제2 전극 사이에 개재되는 상변화 물질층을 포함하는 상변화 메모리 소자에서 사용되는 선택 소자에 있어서, 상기 제1 전극 또는 상기 제2 전극 중 어느 하나의 전극 및 상기 상변화 물질층의 사이에 배치된 채, 상기 제1 전극 및 상기 제2 전극으로부터 공급되는 열을 상기 어느 하나의 전극과의 접촉 계면의 쇼트키 다이오드 특성을 이용하여 상기 상변화 물질층에 선택적으로 스위칭하는 반도체 물질층을 포함하는 선택 소자
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제7항에 있어서,상기 어느 하나의 전극 및 상기 반도체 물질층은, PN 다이오드의 구조를 형성하는 것을 특징으로 하는 선택 소자
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제8항에 있어서,상기 어느 하나의 전극 및 상기 반도체 물질층은, 상기 어느 하나의 전극이 P 타입으로 형성되고 상기 반도체 물질층이 N 타입으로 형성됨에 따라, PN 다이오드의 구조를 갖는 것을 특징으로 하는 선택 소자
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제8항에 있어서,상기 반도체 물질층은, Zn, In 또는 Ga 중 적어도 하나의 양이온을 포함하는 N 타입의 산화물 반도체 물질로 형성되는 것을 특징으로 하는 선택 소자
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제10항에 있어서,상기 반도체 물질층은, ZnOx 계열의 물질로 형성되는 것을 특징으로 하는 선택 소자
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제11항에 있어서,상기 ZnOx 계열의 물질은, AZO, ZTO, IZO, ITO, IGZO 또는 Ag-ZnO 중 적어도 하나를 포함하는 선택 소자
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고집적 3차원 아키텍처를 갖는 상변화 메모리에 있어서,수평 방향으로 연장 형성된 적어도 하나의 제1 전극 및 상기 적어도 하나의 제1 전극에 대해 수직 방향으로 연장 형성된 제2 전극; 상기 적어도 하나의 제1 전극 및 상기 제2 전극 사이에 개재되는 적어도 하나의 상변화 물질층; 및 상기 적어도 하나의 제1 전극 또는 상기 제2 전극 중 어느 하나의 전극 및 상기 적어도 하나의 상변화 물질층 사이에 배치된 채, 상기 어느 하나의 전극과의 접촉 계면의 쇼트키 다이오드 특성을 이용하여 상기 적어도 하나의 상변화 물질층에 대한 선택 소자로 동작하는 적어도 하나의 반도체 물질층을 포함하는 상변화 메모리
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