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불활성 전극;상기 불활성 전극 상에 위치하고, 금속 필라멘트의 형성과 소멸에 따른 상태 변화를 가지는 저항변화층;상기 저항변화층 상에 위치하는 양자점 배리어층; 및상기 양자점 배리어층 상에 위치하는 활성 전극을 포함하고,상기 양자점 배리어층의 양자점 사이의 경로를 통해 상기 활성 전극으로부터 금속물질이 상기 저항변화층으로 확산하는 것을 특징으로 하는 저항변화 메모리 소자
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제1항에 있어서,상기 불활성전극은 Pt 또는 W를 포함하는 저항변화 메모리 소자
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제1항에 있어서,상기 저항변화층은 GexSy, GexSey, Ge-Te, GST, As-S, ZnxCd1-xS, Cu2S, Ta2O5, SiO2, WO3, TiO2, ZrO2, MSQ 및 GdOx로 구성된 군에서 선택된 어느 하나를 포함하는 저항변화 메모리 소자
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제1항에 있어서,상기 양자점 배리어층은 CdTe, Si, ZnS, CdSe, CdS 또는 ZnTe를 포함하는 저항변화 메모리 소자
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제1항에 있어서,상기 활성 전극은 Cu, Cu 합금, Ag 또는 Ag 합금을 포함하는 저항변화 메모리 소자
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제1항에 있어서,상기 금속 필라멘트는 상기 활성 전극으로부터 침투된 금속이온의 산화환원 반응에 의해 형성 및 소멸되는 것을 특징으로 하는 저항변화 메모리 소자
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기판 상에 불활성 전극을 형성하는 단계;상기 불활성 전극 상에 금속 필라멘트의 형성과 소멸에 따른 상태 변화를 가지는 저항변화층을 형성하는 단계;상기 저항변화층 상에 양자점 배리어층을 형성하는 단계; 및상기 양자점 배리어층 상에 활성 전극을 형성하는 단계를 포함하고,상기 양자점 배리어층의 양자점 사이의 경로를 통해 상기 활성 전극으로부터 금속물질이 상기 저항변화층으로 확산하는 것을 특징으로 하는 저항변화 메모리 소자 제조방법
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제8항에 있어서,상기 양자점 배리어층은 CdTe, Si, ZnS, CdSe, CdS 또는 ZnTe를 포함하는 저항변화 메모리 소자 제조방법
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제1 불활성 전극;상기 제1 불활성 전극 상에 위치하고, 금속 필라멘트의 형성과 소멸에 따른 상태 변화를 가지는 저항변화층; 상기 저항변화층 상에 위치하는 제2 불활성 전극; 및양자점 베리어층의 양자점 사이의 경로를 통해 상기 저항변화층 내부로 확산된 금속이온을 포함하고,상기 저항변화층에 인가되는 전압에 따라 상기 금속이온이 산화환원되고,상기 금속이온의 산화환원 반응에 의해 상기 금속이온이 상기 금속 필라멘트가 되는 것을 특징으로 하는 저항변화 메모리 소자
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제10항에 있어서,상기 제1 불활성전극 및 제2 불활성전극은 각각 독립적으로 Pt 또는 W를 포함하는 저항변화 메모리 소자
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제10항에 있어서,상기 저항변화층은 GexSy, GexSey, Ge-Te, GST, As-S, ZnxCd1-xS, Cu2S, Ta2O5, SiO2, WO3, TiO2, ZrO2, MSQ 및 GdOx로 구성된 군에서 선택된 어느 하나를 포함하는 저항변화 메모리 소자
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제10항에 있어서,상기 금속이온은 Cu 이온 또는 Ag 이온을 포함하는 저항변화 메모리 소자
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기판 상에 제1 불활성 전극을 형성하는 단계;상기 제1 불활성 전극 상에 저항변화층을 형성하는 단계;상기 저항변화층 상에 양자점 배리어층을 형성하는 단계;상기 양자점 배리어층 상에 활성 전극을 형성하는 단계;상기 제1 불활성 전극 및 활성 전극에 전압을 인가하여 상기 활성 전극의 전극물질을 상기 양자점 배리어층의 양자점 사이의 경로를 통하여 상기 저항변화층으로 확산시키는 단계;상기 활성 전극 및 양자점 배리어층을 제거하는 단계; 및상기 저항변화층 상에 제2 불활성 전극을 형성하는 단계를 포함하고,상기 저항변화층은 금속 필라멘트의 형성과 소멸에 따른 상태 변화를 가지는 것을 특징으로 하는 저항변화 메모리 소자 제조방법
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제14항에 있어서,상기 제1 불활성전극 및 제2 불활성전극은 각각 독립적으로 Pt 또는 W를 포함하는 저항변화 메모리 소자 제조방법
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제14항에 있어서,상기 저항변화층은 GexSy, GexSey, Ge-Te, GST, As-S, ZnxCd1-xS, Cu2S, Ta2O5, SiO2, WO3, TiO2, ZrO2, MSQ 및 GdOx로 구성된 군에서 선택된 어느 하나를 포함하는 저항변화 메모리 소자 제조방법
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제14항에 있어서,상기 양자점 배리어층은 CdTe, Si, ZnS, CdSe, CdS 또는 ZnTe를 포함하는 저항변화 메모리 소자 제조방법
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제14항에 있어서,상기 활성 전극은 Cu, Cu 합금, Ag 또는 Ag 합금을 포함하는 저항변화 메모리 소자 제조방법
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제14항에 있어서,상기 제1 불활성 전극 및 활성 전극에 전압을 인가하여 상기 활성 전극의 전극물질을 상기 양자점 배리어층의 양자점 사이의 경로를 통하여 상기 저항변화층으로 확산시키는 단계에서,상기 인가되는 전압은 3 V 내지 5 V인 것을 특징으로 하는 저항변화 메모리 소자 제조방법
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