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기판 상(on)에 형성되는 하부 산화물층;다수의 금속 나노구조체를 포함하고, 상기 하부 산화물층 상에 상기 금속 나노구조체가 분산 배치되어 형성되는 구조체층; 및상기 구조체층 상에 형성되는 상부 산화물층;을 포함하는 투명전극
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청구항 1에 있어서,상기 금속 나노구조체는금속 나노와이어, 금속 나노로드, 및 금속 나노튜브 중 적어도 어느 하나 이상인 투명전극
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청구항 1에 있어서,상기 금속 나노구조체는은(Ag), 알루미늄(Al) 및 구리(Cu) 중 적어도 어느 하나 이상으로 이루어지는 투명전극
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청구항 1에 있어서,상기 금속 나노구조체는메쉬(mesh) 형태로 서로 교차하는 투명전극
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청구항 1에 있어서,상기 구조체층은상기 금속 나노구조체의 외면에 코팅되는 다수의 산화물 나노입자;를 더 포함하는 투명전극
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청구항 5에 있어서,상기 산화물 나노입자는상기 하부 산화물층 또는 상기 상부 산화물층의 소재와 동일한 소재로 이루어지는 투명전극
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청구항 5에 있어서,상기 산화물 나노입자는TiOx 또는 ZnO로 이루어지는 투명전극
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청구항 1에 있어서,상기 상부 산화물층 및 상기 하부 산화물층 중 적어도 어느 하나는 Ti-O, Zn-O, Ni-O, Mo-O, V-O, W-O, Mg-O, Si-O, Sn-O, Ta-O, Hf-O, Nb-O, Zr-O, Cu-O, In-O, Al-O, Ni-In-O, Zn-In-O, Cu-In-O, Mo-In-O, Ge-In-O, Si-In-O, Sn-In-O, Mn-In-O, Mg-In-O, Ga-In-O, Al-In-O, B-In-O, V-In-O, In-O-Cl, In-O-F, W-In-O, Ta-In-O, Hf-In-O, Re-In-O, Mg-Sn-O, Ga-Zn-In-O, Sr-V-O, Ca-V-O, 및 Ga-Sn-Zn-In-O 중 적어도 어느 하나 이상으로 이루어지는 투명전극
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청구항 1에 있어서,상기 상부 산화물층 및 상기 하부 산화물층 중 적어도 어느 하나는 1 ~ 100 ㎚의 두께로 형성되는 투명전극
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청구항 1에 있어서,상기 상부 산화물층과 상기 하부 산화물층은 서로 다른 산화물로 형성된 투명전극
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청구항 1에 있어서,상기 기판은 플렉서블(flexible) 기판인 투명전극
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청구항 1에 있어서,상기 기판은 글라스(glass), 실리콘(Si), 폴리에테르술폰(PES), 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET), 폴리카보네이트(PC), 폴리이미드(PI), 및 폴리에틸렌나프탈레이트(PEN) 중 적어도 어느 하나 이상으로 이루어지는 투명전극
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청구항 1에 있어서,상기 하부 산화물층, 상기 구조체층, 및 상기 상부 산화물층은스퍼터링법, 무손상 스퍼터링법(damage-free sputtering), 전자빔 증착법, 롤투롤(Roll-to-roll) 또는 연속 증발 증착법으로 형성되는 투명전극
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