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기판;상기 기판의 양단에 위치한 소스/드레인 전극;잉크젯 프린팅(inkjet-printing) 공정에 의해 상기 소스/드레인 전극 위에 형성된 전자 주입층;상기 전자 주입층을 포함하는 기판 상에 위치하는 유기 반도체층;상기 유기 반도체층 상에 위치하는 게이트 절연층;및상기 게이트 절연층 상에 위치한 게이트 전극;을 포함하는, 유기 전계-효과 트랜지스터
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제 1 항에 있어서, 상기 전하 주입층은 ZnO 계열 산화물을 포함하는, 유기 전계-효과 트랜지스터
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제 2 항에 있어서, 상기 ZnO 계열 산화물은 Hf, Y, Ta, Zr, Ti, Cu, Ni, Cr, In, Ga, Al, Sn, 및 Mg 중 적어도 하나를 더 포함하는, 유기 전계-효과 트랜지스터
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제 1 항에 있어서, 상기 전자 주입층은 용액-공정(solution-processed)을 기반으로 제조된 금속염을 포함하고, 상기 유기 반도체층은 n형 반도체를 포함하는, 유기 전계-효과 트랜지스터
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제 1 항에 있어서, 상기 전하 주입층은 상기 소스/드레인 전극 각각의 전면에 걸쳐 형성되고,상기 유기 반도체층은 상기 기판의 양단에 각각 형성된 상기 전하 주입층의 일부영역 및 상기 전하 주입층 사이의 기판에 접촉되도록 형성되는, 유기 전계-효과 트랜지스터
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기판을 제공하는 단계;상기 기판의 양단에 서로 이격되도록 소스/드레인 전극을 형성하는 단계;상기 소스/드레인 전극 상에 잉크젯 프린팅 공정을 통해 전자 주입층을 형성하는 단계;상기 전자 주입층이 형성된 기판 상에 유기 반도체층을 형성하는 단계;상기 유기 반도체층 상에 게이트 절연층을 형성하는 단계;및상기 게이트 절연층 상에 게이트 전극을 형성하는 단계;를 포함하는, 유기 전계-효과 트랜지스터의 제조방법
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제 6 항에 있어서, 상기 전자 주입층은 용액-공정(solution-processed)으로 제조된 금속염이고,상기 유기 반도체층은 n형 반도체인, 유기 전계-효과 트랜지스터의 제조방법
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제 6 항에 있어서, 상기 전하 주입층은 ZnO 계열 산화물을 포함하는, 유기 전계-효과 트랜지스터의 제조방법
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제 8 항에 있어서, 상기 ZnO 계열 산화물은 Hf, Y, Ta, Zr, Ti, Cu, Ni, Cr, In, Ga, Al, Sn, 및 Mg 중 적어도 하나를 더 포함하는, 유기 전계-효과 트랜지스터의 제조방법
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제 6 항에 있어서, 유기 전계-효과 트랜지스터를 제조하는 방법은, 롤-투-롤(roll-to-roll) 공정을 기반으로 제조되는, 유기 전계-효과 트랜지스터의 제조방법
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제 6항에 있어서, 상기 전하 주입층을 형성하는 단계는, 상기 소스/드레인 전극 각각의 전면에 걸쳐 상기 전하 주입층을 형성하고, 상기 유기 반도체층을 형성하는 단계는,상기 기판의 양단에 각각 형성된 상기 전하 주입층의 일부영역 및 상기 전하 주입층 사이의 기판에 접촉되도록 상기 유기 반도체층을 형성하는, 유기 전계-효과 트랜지스터의 제조방법
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청구항 1에 기재된 유기 전계-효과 트랜지스터를 포함하는 플렉시블 표시장치
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기판;상기 기판 상에 위치하는 게이트 전극;상기 게이트 전극을 포함하는 기판 전면에 걸쳐 위치하는 게이트 절연층;상기 게이트 절연층의 양단에 위치한 소스/드레인 전극;잉크젯 프린팅(inkjet-printing) 공정에 의해 상기 소스/드레인 전극 위에 형성된 전자 주입층;및상기 전자 주입층을 포함하는 기판 상에 위치하는 유기 반도체층;을 포함하는, 유기 전계-효과 트랜지스터
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제 13 항에 있어서, 상기 전하 주입층은 ZnO 계열 산화물을 포함하는, 유기 전계-효과 트랜지스터
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청구항 13에 기재된 유기 전계-효과 트랜지스터를 포함하는, 플렉시블 표시장치
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