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신개념 패시베이션 구조를 이용하는 칼코지나이드 기반 태양 전지 및 그 제작 방법(SOLAR CELL BASED ON CHALCOGENIDE USING NEW CONCEPTIONAL STRUCTURE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF)

  • 기술번호 : KST2018007031
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 신개념 패시베이션 구조를 이용하여 칼코지나이드(chalcogenide) 기반 태양 전지를 제작하는 방법은 기판 상에 콘택트 홀을 포함하는 절연막을 형성하는 단계; 상기 절연막에 칼코지나이드 광흡수층을 증착하는 단계; 상기 칼코지나이드 광흡수층 상에 버퍼층을 생성하는 단계; 및 상기 버퍼층에 투명 전도성 산화물층(transparent conductive oxide; TCO)을 증착하는 단계를 포함한다.
Int. CL H01L 31/032 (2006.01.01) H01L 31/0392 (2006.01.01) H01L 31/0216 (2014.01.01) H01L 31/0236 (2006.01.01) H01L 31/18 (2006.01.01)
CPC H01L 31/0324(2013.01) H01L 31/0324(2013.01) H01L 31/0324(2013.01) H01L 31/0324(2013.01) H01L 31/0324(2013.01) H01L 31/0324(2013.01) H01L 31/0324(2013.01) H01L 31/0324(2013.01)
출원번호/일자 1020160004199 (2016.01.13)
출원인 한국과학기술원
등록번호/일자 10-1667180-0000 (2016.10.11)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20161017) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2016.01.13)
심사청구항수 14

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 신병하 대한민국 대전광역시 유성구
2 김제경 대한민국 대전광역시 유성구
3 오지훈 대한민국 대전광역시 유성구
4 박상현 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 양성보 대한민국 서울특별시 강남구 선릉로***길 ** (논현동) 삼성빌딩 *층(피앤티특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2016.01.13 수리 (Accepted) 1-1-2016-0037629-19
2 등록결정서
Decision to grant		 2016.09.05 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0641915-65
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2019-5081392-49
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.05.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5108396-12
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.06.12 수리 (Accepted) 4-1-2020-5131486-63
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
신개념 패시베이션 구조를 이용하여 칼코지나이드(chalcogenide) 기반 태양 전지를 제작하는 방법에 있어서,기판 상의 적어도 일부분에 콘택트 홀을 포함하는 절연막을 형성하는 단계; 상기 절연막에 칼코지나이드 광흡수층을 증착하는 단계; 상기 칼코지나이드 광흡수층 상에 버퍼층을 생성하는 단계; 및 상기 버퍼층에 투명 전도성 산화물층(transparent conductive oxide; TCO)을 증착하는 단계를 포함하는 칼코지나이드 기반 태양 전지를 제작하는 방법
2 2
제1항에 있어서,상기 기판 상의 적어도 일부분에 콘택트 홀을 포함하는 절연막을 형성하는 단계는 나노 패턴 공정(nanoscale lithography)을 이용하여 상기 기판 상의 적어도 일부분에 중합체 단층을 생성하는 단계; 화학적 기상 증착법(chemical vapor deposition), 스퍼터링(sputtering), 원자층 증착법(atomic layer deposition) 또는 전자빔 증착법(e-beam evaporation) 중 적어도 어느 하나의 방식으로 상기 중합체 단층에 절연 물질을 증착하여 상기 절연막을 형성하는 단계; 및 상기 콘택트 홀을 생성하기 위하여, 상기 절연막에서 상기 중합체 단층을 제거하는 단계를 포함하는 칼코지나이드 기반 태양 전지를 제작하는 방법
3 3
제2항에 있어서,상기 기판 상의 적어도 일부분에 중합체 단층을 생성하는 단계는 상기 콘택트 홀이 생성되는 크기, 간격 또는 깊이 중 적어도 어느 하나를 기초로, 자가 조립(self-assemble) 현상을 이용하여 육방정 형태의 중합체 입자로 구성되는 상기 중합체 단층을 생성하는 단계를 포함하는 칼코지나이드 기반 태양 전지를 제작하는 방법
4 4
제3항에 있어서,상기 중합체 단층을 생성하는 단계는 상기 콘택트 홀이 생성되는 크기, 간격 또는 깊이 중 적어도 어느 하나에 기초하여, 상기 기판 상의 적어도 일부분에 생성된 상기 중합체 단층의 적어도 일부를 식각하는 단계를 더 포함하는 칼코지나이드 기반 태양 전지를 제작하는 방법
5 5
제2항에 있어서,상기 절연막에서 상기 중합체 단층을 제거하는 단계는 톨루엔 용액을 이용하여 상기 절연막에 대해 초음파 처리를 수행하는 단계를 포함하는 칼코지나이드 기반 태양 전지를 제작하는 방법
6 6
제2항에 있어서,상기 절연 물질은 절연성의 밴드 에너지를 갖는 금속 산화물 또는 질화물 중 적어도 어느 하나를 포함하는, 칼코지나이드 기반 태양 전지를 제작하는 방법
7 7
제1항에 있어서,상기 절연막에 칼코지나이드 광흡수층을 증착하는 단계는 화학적 기상 증착법, 스퍼터링, 원자층 증착법, 스핀코팅(spin-coating) 또는 진공 열 동시 증발법(thermal co-evaporation) 중 적어도 어느 하나의 방식을 이용하여 상기 절연막에 셀레늄(Se), 황(S), 구리(Cu), 아연(Zn) 또는 주석(Sn) 중 적어도 어느 하나로 구성되는 상기 칼코지나이드 광흡수층을 증착하는 단계를 포함하는 칼코지나이드 기반 태양 전지를 제작하는 방법
8 8
제1항에 있어서,상기 절연막에 칼코지나이드 광흡수층을 증착하는 단계는 상기 칼코지나이드 광흡수층이 증착되는 두께에 기초하여, 상기 절연막이 형성된 상기 기판의 온도를 조절하는 단계를 더 포함하는 칼코지나이드 기반 태양 전지를 제작하는 방법
9 9
제1항에 있어서,상기 절연막에 칼코지나이드 광흡수층을 증착하는 단계는 상기 칼코지나이드 광흡수층의 도핑 농도 또는 결정립 크기 중 적어도 어느 하나를 조절하기 위하여, 상기 절연막에 증착된 상기 칼코지나이드 광흡수층에 대해 열처리를 수행하는 단계를 더 포함하는 칼코지나이드 기반 태양 전지를 제작하는 방법
10 10
제1항에 있어서,상기 칼코지나이드 광흡수층 상에 버퍼층을 생성하는 단계는 화학적 기상 증착법, 원자층 증착법 또는 화학적 용액 성장법(chemical bath deposition) 중 적어도 어느 하나의 방식을 이용하여 상기 칼코지나이드 광흡수층에 황화카드뮴(cadmium sulfate; CdS), 황화아연(zinc sulfide; ZnS) 또는 황화인듐(indium sulfide; InS) 중 적어도 어느 하나로 구성되는 상기 버퍼층을 증착하는 단계를 포함하는 칼코지나이드 기반 태양 전지를 제작하는 방법
11 11
제1항에 있어서,상기 버퍼층에 투명 전도성 산화물층을 증착하는 단계는 스퍼터링을 이용하여 상기 버퍼층에 산화주석, 산화인듐-주석, 산화아연 또는 알루미늄이 도핑된 산화아연 중 적어도 어느 하나로 구성되는 상기 투명 전도성 산화물층을 증착하는 단계를 포함하는 칼코지나이드 기반 태양 전지를 제작하는 방법
12 12
신개념 패시베이션 구조를 이용하는 칼코지나이드(chalcogenide) 기반 태양 전지에 있어서,기판; 상기 기판 상의 적어도 일부분에 형성된 절연막-상기 절연막은 콘택트 홀을 포함함-; 상기 절연막에 증착된 칼코지나이드 광흡수층; 상기 칼코지나이드 광흡수층 상에 생성된 버퍼층; 및 상기 버퍼층에 증착된 투명 전도성 산화물층(transparent conductive oxide; TCO)을 포함하는 칼코지나이드 기반 태양 전지
13 13
제12항에 있어서,상기 절연막은 다음의 공정들을 통하여 형성되고, 상기 공정들은 나노 패턴 공정을 이용하여 상기 기판 상의 적어도 일부분에 중합체 단층을 생성하는 단계; 화학적 기상 증착법(chemical vapor deposition), 스퍼터링(sputtering), 원자층 증착법(atomic layer deposition) 또는 전자빔 증착법(e-beam evaporation) 중 적어도 어느 하나의 방식으로 상기 중합체 단층에 절연 물질을 증착하여 상기 절연막을 형성하는 단계; 및 상기 콘택트 홀을 생성하기 위하여, 상기 절연막에서 상기 중합체 단층을 제거하는 단계를 포함하는 칼코지나이드 기반 태양 전지
14 14
제12항에 있어서,상기 칼코지나이드 광흡수층은 다음의 공정을 통하여 형성되고, 상기 공정은 화학적 기상 증착법, 스퍼터링, 원자층 증착법, 스핀코팅(spin-coating) 또는 진공 열 동시 증발법(thermal co-evaporation) 중 적어도 어느 하나의 방식을 이용하여 상기 절연막에 셀레늄(Se), 황(S), 구리(Cu), 아연(Zn) 또는 주석(Sn) 중 적어도 어느 하나로 구성되는 상기 칼코지나이드 광흡수층을 증착하는 단계를 포함하는 칼코지나이드 기반 태양 전지
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 미래창조과학부 한국과학기술원 KAIST자체연구사업 고 안정성을 가지는 초저가, 무독성 무기 박막 태양전지의 개발
2 미래창조과학부 한국과학기술원 이공분야기초연구사업 무독성, 저가의 범용원소로 구성된 Cu2MnSnS4, Cu2FeSnS4 자성 황화물을 이용한 고효율 태양전지의 구현