맞춤기술찾기

홈으로 가기
맞춤기술찾기
이전대상기술
프린트하기

이전대상기술

무카드뮴 버퍼층을 이용한 ＣＩＧＳ 박막태양전지의 충실도 향상 방법

  • 기술번호 : KST2015116247
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
상담신청 PDF 받기
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 넓은 밴드갭에너지를 가지는 산화물 및 황화물과 같은 무(無)카드뮴 버퍼층을 사용한 Cu(In,Ga)Se2(이하 "CIGS"라고 약칭한다.) 박막태양전지의 충실도를 향상시키기 위한 방법에 관한 것이다. 보다 상세하게는 버퍼층으로 사용된 산화물 및 황화물 박막을 원자층증착법을 이용하여 제조할 때 박막내부의 조성을 조절하여 서로 다른 전기적 특성을 갖는 이중층의 구조를 가지는 버퍼층을 제조한다. 따라서 전기전도도가 낮은 산화물이나 황화물을 버퍼층으로 사용한 CIGS 박막태양전지에서 발생한 비교적 낮은 충실도 문제를 해결할 수 있다. 본 발명으로 제조된 이중층의 버퍼층을 사용한 CIGS 박막 태양전지의 구조 및 그 태양전지의 충실도와 광변환 효율 향상시킬 수 있다.
Int. CL H01L 31/042 (2014.01) H01L 31/18 (2006.01) H01L 31/0749 (2012.01)
CPC H01L 31/0749(2013.01) H01L 31/0749(2013.01) H01L 31/0749(2013.01)
출원번호/일자 1020120150409 (2012.12.21)
출원인 한국과학기술원
등록번호/일자 10-1439992-0000 (2014.09.03)
공개번호/일자 10-2014-0081970 (2014.07.02) 문서열기
공고번호/일자 (20140916) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2012.12.21)
심사청구항수 4

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 안병태 대한민국 대전 유성구
2 이창수 대한민국 대전 유성구
3 에쌈 에이 알아마르 사우디아라비아 사우디아라비아 리야드 ****

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 황이남 대한민국 서울시 송파구 법원로 ***, ****호 (문정동, 대명벨리온지식산업센터)(아시아나국제특허법률사무소)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대전광역시 유성구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2012.12.21 수리 (Accepted) 1-1-2012-1063105-36
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.02.01 수리 (Accepted) 4-1-2013-5019983-17
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2013.12.05 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2014.01.10 수리 (Accepted) 9-1-2014-0001892-07
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2014.02.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0124722-43
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2014.03.31 수리 (Accepted) 1-1-2014-0308773-85
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2014.03.31 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2014-0308786-78
8 등록결정서
Decision to grant		 2014.08.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0594947-54
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157968-69
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157993-01
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5158129-58
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2019-5081392-49
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.05.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5108396-12
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.06.12 수리 (Accepted) 4-1-2020-5131486-63
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판, 후면전극, Cu(In,Ga)Se2 광흡수층, 버퍼층 및 투명전도막을 포함하는CIGS 박막태양전지의 충실도 향상 방법에 있어서, 상기 Cu(In,Ga)Se2 광흡수층 상에 서로 다른 밴드갭 에너지를 갖는 이중층 구조의 아연-마그네슘 산화물 버퍼층을 성장시키는 것을 특징으로 하는 CIGS 박막태양전지의 충실도 향상 방법
2 2
제 1항에 있어서, 상기 아연-마그네슘 산화물 버퍼층은 원자층 증착법으로 제조하되, 제조 과정 중 조성을 조절하여 CIGS 광흡수층 접합부근에는 스파이크 형의 전도대 구조를 위해 3
3 3
제 1항에 있어서, 상기 아연-마그네슘 산화물 버퍼층은 밴드갭 에너지가 3
4 4
삭제
5 5
제 1항에 있어서, 상기 아연-마그네슘 산화물 버퍼층을 원자층 증착법으로 증착시의 증착온도는 태양전지의 열적 열화를 방지하기 위해 120℃ 이하로 하는 것을 특징으로 하는 CIGS 박막태양전지의 충실도 향상 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.