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유기발광 트랜지스터 및 이의 제조방법

  • 기술번호 : KST2018009418
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 유기발광 트랜지스터 및 이의 제조방법에 관한 것으로서, 본 발명의 실시예에 따른 유기발광 트랜지스터는 기판(10), 하프늄 옥사이드(HfOX)를 포함하고, 기판(10)의 상면에 형성된 절연층(30), n-도데실포스포닉 에시드(n-dodecylphosphonic acid, PA-C12)를 포함하고, 절연층(30) 상(on)에 형성된 자가조립층(40), 펜타센(pentancene) 화합물을 포함하고, 자가조립층(40) 상에 형성된 정공수송층(50), 및 4-(다이시안노메틸렌)-2-메틸린-6-(피-다이메틸라미노스트릴1)-4에이치-피란(4-(dicyanomethylene)-2-methyl-6-(p-dimethylaminostyryl)-4H-pyran, DCM)이 도핑된 트리스 (8-하이드로퀴놀린) 알리미늄(tris(8-hydroxyquinoline) aluminum, Alq3)을 포함하고, 정공수송층(50) 상에 형성된 발광층(60)을 포함한다.
Int. CL H01L 51/00 (2006.01.01) H01L 51/52 (2006.01.01) H01L 51/50 (2006.01.01) H01L 51/56 (2006.01.01)
CPC H01L 51/0055(2013.01) H01L 51/0055(2013.01) H01L 51/0055(2013.01) H01L 51/0055(2013.01) H01L 51/0055(2013.01) H01L 51/0055(2013.01) H01L 51/0055(2013.01) H01L 51/0055(2013.01) H01L 51/0055(2013.01)
출원번호/일자 1020160182247 (2016.12.29)
출원인 고려대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1971328-0000 (2019.04.16)
공개번호/일자 10-2018-0077661 (2018.07.09) 문서열기
공고번호/일자 (20190827) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2016.12.29)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 고려대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 최종호 대한민국 서울특별시 성북구
2 김대규 대한민국 서울특별시 마포구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 정은열 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 **, ***호(정앤김특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 고려대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2016.12.29 수리 (Accepted) 1-1-2016-1290334-92
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2018.03.13 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2018.05.04 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2018-0062869-29
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2018.05.09 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0317442-84
5 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2018.07.05 수리 (Accepted) 1-1-2018-0662979-35
6 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2018.08.09 수리 (Accepted) 1-1-2018-0788858-30
7 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2018.09.10 수리 (Accepted) 1-1-2018-0893990-90
8 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2018.10.05 수리 (Accepted) 1-1-2018-0984007-56
9 지정기간연장 관련 안내서
Notification for Extension of Designated Period		 2018.10.08 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2018-0155569-64
10 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2018.11.08 수리 (Accepted) 1-1-2018-1107222-19
11 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2018.11.08 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2018-1107220-17
12 등록결정서
Decision to grant		 2019.03.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2019-0210401-26
13 [명세서등 보정]보정서(심사관 직권보정)
 2019.08.15 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2019-5023660-95
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.10.10 수리 (Accepted) 4-1-2019-5210941-09
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번호 청구항
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A) 기판의 하면에 게이트전극을 형성하는 단계;B) 상기 기판의 상면에, 하프늄 옥사이드(HfOX)를 증착하여 절연층을 형성하는 단계;C) n-도데실포스포닉 에시드(n-dodecylphosphonic acid, PA-C12)를 에탄올에 녹인 용액에 상기 기판을 침지하여, 상기 절연층 상에 자가조립층을 형성하는 단계;D) 클러스터 빔 증착 챔버 내부에 상기 기판을 삽입하는 단계;E) 제1 도가니 내부에 펜타센(pentancene) 화합물을 넣고 가열함으로써 증기화하여, 상기 클러스터 빔 증착 챔버 내부에 공급함으로써 상기 자가조립층 상에 정공수송층을 증착하는 단계;F) 제2 도가니 내부에 트리스 (8-하이드로퀴놀린) 알리미늄(tris(8-hydroxyquinoline) aluminum, Alq3) 화합물을 넣고, 제3 도가니 내부에 4-(다이시안노메틸렌)-2-메틸린-6-(피-다이메틸라미노스트릴1)-4에이치-피란(4-(dicyanomethylene)-2-methyl-6-(p-dimethylaminostyryl)-4H-pyran, DCM) 화합물을 넣은 후에, 각각을 가열함으로써 증기화하여, 상기 클러스터 빔 증착 챔버 내부에 각각을 공급함으로써 상기 정공수송층 상에 발광층을 증착하는 단계;G) 제4 도가니 내부에 N,N'-디트리데실페릴렌-3,4,9,10-테트라카르복실릭 디이미드(N,N'-ditridecylperylene-3,4,9,10-tetracarboxylic diimide) 화합물을 넣고 가열함으로써 증기화하여, 상기 클러스터 빔 증착 챔버 내부에 공급함으로써 상기 발광층 상에 전자수송층을 증착하는 단계; 및H) 상기 전자수송층의 상에 드레인전극 및 소스전극을 형성하는 단계;를 포함하고,상기 B) 단계는,하프늄 클로라이드(HfCl4)를 에탄올에 녹인 후, 질산(HNO3)을 첨가하고, 열처리하여 하프늄 선구물질을 생성하는 단계;상기 하프늄 선구물질을 상기 기판의 상면에 스핀 코팅하는 단계; 및스핀 코팅된 상기 기판을 전열기(Hot plate)에서 500℃까지 가열하는 단계;가열된 상기 기판을 실온에서 냉각하는 단계;를 포함하는 유기발광 트랜지스터의 제조방법
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청구항 8에 있어서,상기 제1 도가니의 온도는 220 ~ 250℃이고, 상기 제2 도가니의 온도는 330 ~ 350℃이며, 상기 제4 도가니의 온도는 270 ~ 300℃인 유기발광 트랜지스터의 제조방법
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청구항 8에 있어서,상기 정공수송층의 증착속도는 0
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청구항 8에 있어서,상기 제1 도가니, 제2 도가니, 제3 도가니, 및 제4 도가니 각각은 증기화된 화합물을 상기 클러스터 빔 증착 챔버 내부로 공급하는 노즐을 구비하고, 상기 노즐의 직경은 0
12 12
청구항 8에 있어서,상기 제1 도가니, 제2 도가니, 제3 도가니, 및 제4 도가니 각각은 전압인가방식에 의해 가열되고, 상기 제1 도가니에는 6 ~ 8 V의 전압을, 상기 제2 도가니 및 제3 도가니에는 10 ~ 12 V의 전압을, 상기 제4 도가니에는 7 ~ 9
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1 교육부 고려대학교 산학협력단 (이공)중점연구소지원 [이지바로]π-전자 제어를 통한 신기능성 분자체연구
2 미래창조과학부 고려대학교 산학협력단 (이공)중견연구자지원_핵심연구 [이지바로][3차년도]방향족 과도화학종의 반응성과 응용성에 관한 연구